【评估板可用。NX2305单电源12V同步PWM控制器与NMOS LDO控制器， POWER GOOD】,IC型号NX2305,NX2305 PDF资料,NX2305经销商,ic,电子元器件-51电子网

评估板可用。

NX2305

单电源12V同步PWM控制器

与NMOS LDO控制器， POWER GOOD &启用

初步数据表

无铅产品

描述

在NX2305控制IC是一个组合同步

降压和LDO控制器IC设计转换单

12V电源成本双重船上供电应用的低

系统蒸发散。的同步控制器，用于高电流

租金高效率降压DC -DC转换器应用程序

而阳离子结合的LDO控制器与

外部低低成本的N沟道MOSFET可被用作一个非常

低压降稳压器的应用程序，例如转换

3.3V至2.5V的输出。内部UVLO保持两个法规

器关闭，直到电源电压超过9V不知疲倦的地方

吊灯内部数字软启动得到启动斜坡

最多两个outputs.The开关部分有打嗝电流

通过检测同步MOSFET的RDSON租金上限。

该LDO控制器具有反馈欠压锁定

作为一个短路protection.Other功能包括：

12V的栅极驱动能力，自适应死区控制，

电源良好标记为切换控制器和独立

使能引脚独立电源排序。

R14 10

C11

开放

5V REG

PGOOD

47uF

C10 150pF的

LDO FB

150uF

25mohm

R10

ENLDO

0.75k

R11

1.4k

LDO输出

C12

1uF

VCC

特点

12V PWM控制器以及LDO控制器

通过检测MOSFET导通电阻的断续电流限制

12V高侧和低侧驱动器

内部固定为300kHz的开关控制器

双独立数字软启动功能

自适应死区控制

使能引脚可用编程Vbus用UVLO

通过拉低关机开关和LDO

EnSW或ENLDO销

无铅并符合RoHS标准

应用

PCI显卡板载转换器

主板板载DC到DC应用

船上的单电源12V DC到DC ，如

12V至3.3V ， 2.5V或1.8V

机顶盒和LCD显示器

典型用途

VIN2

+3.3V

VOUT2

+1.6V/2A

R6 10K

PVCC

C1 0.1uF的

1N4148

L1 1uH的

180uF

IRFR3709Z

2.2uH的L2

2× 470uF的

100uF

BST

0.1uF

HDRV

VIN1

+12V

NX2305

VOUT1

+1.8V/10A

VIN2

+3.3V

OCP

LDRV

保护地

R1 4K

IRFR3709Z

1.1k

3.9nF

HI = SD

VIN1

+12V

10k

R12

ENSW

6.8k

R13

1.4k

AGND

COMP

10k

5.6nF

HI = SD

C13 100pF的

图1 - NX2305的典型应用

订购信息

设备

NX2305CMTR

NX2305CSTR

Rev.5.0

08/19/08

温度

0到70

包

MLPQ-16L

SOIC -16L

频率

300kHz

无铅

是的

NX2305

绝对最大额定值

VCC与PGND & BST到SW电压.................... -0.3V至16V

BST到地线的电压...................................... -0.3V至35V

SW与PGND ............................................... ..... -2V至35V

所有其他引脚............................................... ..... -0.3V至6.5V

存储温度范围-65 ...............................

C至150

工作结点温度范围-40 ...............

C至125

注意：如果运行条件超过上述"ABSOLUTE最大RATINGS"上市，可能会导致永久性损坏

该设备。这是一个压力只有在这些等级和所述设备的操作或高于任何其他条件

在本规范的业务部门所标明是不是暗示。

包装信息

16引脚塑料MLPQ

COMP

OCP

BST

16引脚塑封SOIC

≈ 46

BST

HDRV

GND

LDRV

PVCC

VCC

LDO -OUT

LDO -FB

≈ 83

OCP

COMP

PGOOD

EN -SW

EN - LDO

5V REG

HDRV 1

保护地2

LDRV 3

4 PVCC

VCC

12 FB

AGND

11 PGOOD

10 EN -SW

9 EN - LDO

LDO -OUT

LDO -FB

5V REG

电气规格

除非另有说明，这些规格适用于VCC = 12V ，V

BST

-V

= 12V， ENSW = ENLDO = 3V ，和T

= 0至70

C.典型值是指给T

= 25

参数

参考电压

REF电压

参考电压线路调整

电源电压（ Vcc&V

BST

)

电压范围

电源电流

（静态）

电源电流

（动态）

BST

电压范围

BST

电源电流（静态）

符号

REF

10V<=Vcc<=14V

（静态） ENSW = LOW

ENLDO = LOW

=3300pF

（动态）

BST

到V

BST

（静态） ENSW = LOW

ENLDO = LOW

8.2

0.2

8.2

8.5

测试条件

民

典型值

0.8

0.2

最大

单位

Rev.5.0

08/19/08

NX2305

参数

BST

电源电流

（动态）

欠压锁定

-threshold

Hysterises

振荡器（ RT ）

频率

斜坡电压振幅

最大占空比

最小占空比

误差放大器

开环增益

跨

比较SD门槛

输入偏置电流

EN & SS

软启动时间

启用HI阈值

TSS

ENTHH

6.8

1.24

符号

BST

（动态）

测试条件

=3300PF

民

典型值

9.2

最大

单位

_UVLO V

瑞星（注1）

下降（注1）

坡道

6.8

300

1.1

2000

0.2

100

千赫

umho

启用Hysterises

ENTHL

高侧驱动器， HDRV ， BST ，

SW （C

=3300pF)

输出阻抗，采购

来源

（ HDRV ）

当前

输出阻抗，下沉

当前

上升时间

下降时间

死区时间

I=200mA

10 ％至90％

3.6

欧姆

SINK

（ HDRV ）

THdrv （上升）

THdrv （秋季）

90 ％至10％

tdead后（L为LDRV会低到HDRV去

高，10％至10％的

低侧驱动器， LDRV ，

PVCC ，地线（C

=3300pF)

输出阻抗，采购

当前

输出阻抗，下沉

当前

上升时间

下降时间

死区时间

LDO控制器

FB引脚偏置电流

高输出电压

低输出电压

高输出源电流

Rev.5.0

08/19/08

来源

（ LDRV ）

SINK

（ LDRV ）

TLdrv （上升）

TLdrv （秋季）

tdead后（H为

I=200mA

10 ％至90％

90 ％至10％

SW要低LDRV去

高，10％至10％的

2.2

欧姆

11.1

0.2

1.9

NX2305

参数

开环增益

在FB电压跳变点

电源良好（ PGOOD ）

阈值电压％的

VREF

迟滞

OCP调整

OCP当前设置

符号

测试条件

GBNT （注2）

民

FB斜坡向上

典型值

最大

单位

注1 ： VCC连接通过一个电阻分压器ENSW引脚。在VCC UVLO检测， ENSW引脚为开。

注2 ：此参数由设计保证，但在生产中（ GBNT ），未经测试。

Rev.5.0

08/19/08

NX2305

引脚说明

引脚符号

VCC

引脚说明

集成电路的电源电压。此销施力内部的逻辑电路。高频率1uF的陶瓷电容

被放置在尽可能靠近并连接到该管脚和接地引脚。的最大额定值

该引脚为16V 。

该引脚提供电压到高侧FET驱动器。高频率0.1uF的陶瓷电容被作为

尽可能地接近并连接到这些引脚和SW引脚。

一个电阻分压器从LDO母线电压连接到该管脚保存断LDO的软起动

直到该阈值被达到。外部低成本MOSFET可以连接到这个引脚

外部使能控制。

一个电阻分压器从各自的切换母线电压连接到此引脚保存关闭

控制器的软启动，直到该阈值被达到。外部低成本MOSFET可

连接到该引脚用于外部使能控制。

该引脚为误差放大器的反相输入端。该引脚经电阻分压器连接到输出

开关调节器的设定输出直流电压。

该管脚为误差放大器的输出端，用于补偿的电压控制反馈

循环。

该引脚被连接到外部的低侧MOSFET的漏极，并且是在输入

电流保护（ OCP ）比较。一个内部电流源为40uA流到外部

电阻器，其设置在整个低侧MOSFET的导通电阻在OCP电压。电流限制

问题是这样的电压由RDS-ON分。一旦达到阈值的HDRV和LDRV销

切换低和内部打嗝电路被设置2048后回收的软启动电路

开关周期。

该引脚连接到高侧FET的源代码，并提供返回路径的高边驱动器。

它也被用来保持低侧驱动为低，直到该引脚为低电平通过高侧的动作

关闭。 LDRV只能走高，如果SW低于1V的阈值。

高侧栅极驱动器输出。

低侧栅极驱动器输出。

电源电压的低侧FET驱动器。高频1uF的陶瓷电容必须连接

此引脚与PGND引脚尽量靠近。

LDO控制器的反馈输入。该引脚经电阻分压器连接到所述输出

开关稳压器来设置DC voltage.If的LDOFB引脚输出拉至低于0.4V ，内部

延迟一段时间后比较拉低LDOOUT针，并开始打嗝电路。在

启动该锁没有被激活，使得LDOFB针上来，并按照软启动

VREF电压。

LDO控制器的输出。该引脚控制外部的N沟道MOSFET的栅极。最大

该引脚的评级是16V 。

输出的内部5V稳压器。

BST

ENLDO

ENSW

COMP

OCP

HDRV

LDRV

PVCC

LDO_FB

LDO_OUT

5V REG

Rev.5.0

08/19/08