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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第296页 > NVTFS5116PL
NVTFS5116PL
功率MOSFET
特点
60
V,
14
A， 52毫瓦，单P沟道
小尺寸（ 3.3× 3.3毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
NV前缀为汽车和其他需要的应用
AEC - Q101标准的网站和变更控制
这些无铅器件
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
YJ- MB
（注1 ，
2, 3, 4)
功耗
R
YJ- MB
（注1 ，2，3 ）
连续漏电流
租金
qJA
（注1 &
3, 4)
功耗
R
qJA
（注1,3）
漏电流脉冲
T
mb
= 25°C
稳定
状态
T
mb
= 100°C
T
mb
= 25°C
T
mb
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
14
10
21
10
6
4
3.2
1.6
126
55
to
+175
17
45
A
°C
A
mJ
W
1
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
60
V
单位
V
V
A
P沟道MOSFET
D (58)
R
DS （ ON）
最大
52毫瓦@
10
V
72毫瓦@
4.5
V
I
D
最大
14
A
W
G (4)
S (1,2,3)
A
标记图
1
WDFN8
(m8FL)
CASE 511AB
5116
A
Y
WW
G
S
S
S
G
5116
AYWWG
G
D
D
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L（ PK）
= 30 A，L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NVTFS5116PLTAG
包
航运
WDFN8 1500 /磁带&卷轴
（无铅）
WDFN8 5000 /磁带&卷轴
（无铅）
热阻最大额定值
（注1 ）
参数
结到安装板（上）
稳定
状态（注2和3）
结到环境
稳态（注3 ）
符号
R
YJ- MB
R
qJA
价值
7.2
47
单位
° C / W
NVTFS5116PLTWG
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，
它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。
2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中
大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。
3.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
4.连续额定直流电流。对于脉冲的最大电流，只要1
第二较高，但依赖于脉冲宽度和占空比。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年1月
第0版
1
出版订单号：
NVTFS5116PL/D
NVTFS5116PL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
V
GS
=
10
V, V
DS
=
48
V,
I
D
=
7
A
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
48
V,
I
D
=
7
A
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
60
1.0
10
"100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
V
GS
=
10
V，I
D
=
7
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
7
A
V
DS
= 15 V，I
D
=
5
A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
=
25
V
1
37
51
11
3
52
72
V
mW
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
S
1258
127
84
14
1
4
8
25
pF
nC
nC
nC
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，二
S
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
=
7
A
V
GS
= 0 V,
I
S
=
7
A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
48
V,
I
D
=
7
A
14
68
24
36
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
0.79
0.64
21
16
5
24
nC
ns
1.20
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NVTFS5116PL
典型特征
50
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
40
30
20
10
0
10
V
V
GS
=
7
V
I
D
，漏电流（ A）
5.0
V
4.6
V
4.3
V
4
V
3.7
V
3.4
V
3.1
V
2.8
V
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
5
30
40
V
DS
≥
10
V
20
T
J
= 25°C
10
T
J
= 125°C
0
2
T
J
=
55°C
6
3
4
5
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.075
I
D
=
7
A
T
J
= 25°C
0.065
0.080
0.070
0.060
0.050
0.040
0.030
图2.传输特性
V
GS
=
4.5
V
0.055
0.045
V
GS
=
10
V
0.035
3
4
5
6
7
8
9
10
5
10
15
20
25
30
35
40
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
2.2
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
50
25
0
25
50
75
100 125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
100
I
D
=
7
A
V
GS
=
10
V
I
DSS
，漏电（ NA）
10000
100000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
60
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NVTFS5116PL
典型特征
1800
1600
C，电容（pF ）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
RSS
10
20
C
OSS
30
40
50
60
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
V
GS
，栅极至源极电压
(V)
Q
T
8
6
4
2
0
Q
gs
Q
gd
V
DS
=
48
V
I
D
=
7
A
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极电压与总
收费
40
I
S
，源电流（ A）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
30
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
1000
V
DD
=
48
V
I
D
=
7
A
V
GS
=
4.5
V
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
D（关闭）
10
t
D（上）
t
r
20
10
1.0
1
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.5
图10.二极管的正向电压与电流
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
1.0
1000
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
V
GS
=
10
V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
ms
100
ms
10毫秒
1毫秒
45
I
D
=
30
A
I
D
，漏电流（ A）
100
30
10
15
1
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
dc
100
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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4
NVTFS5116PL
典型特征
100
占空比= 0.5
10
R
qJA （T ）
（ ° C / W）
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.1
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
100
图13.热响应
脉冲时间（秒）
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5
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NAND128R4A2CZA1E
NTE7084
NJM3414AD
NFE31PT220R1E9
NC7SZ19_04
NCS2511
NAS1581
NX8567SAM597-CC
NPH25S4803EI
N74F32N
NLAS4051QSR
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    NVTFS5116PL
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