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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第292页 > NVR4003NT3G
NTR4003N , NVR4003N
小信号MOSFET
特点
30 V , 0.56 A单N沟道, SOT -23
低栅极阈值电压(V
GS ( TH)
),方便驱动电路
设计
低门电荷的快速切换
ESD保护门
SOT- 23封装提供卓越的热性能
最小击穿电压额定值的30 V
NVR前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的,有能力PPAP
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
30 V
R
DS ( ON)
典型值
1.0
W
@ 4.0 V
1.5
W
@ 2.5 V
I
D
最大
0.56 A
N沟道
3
应用
笔记本电脑:
电平转换器
逻辑关闭
低端负载开关
便携式应用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流(注1 )
功耗
(注1 )
连续漏极
电流(注1 )
功耗
(注1 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
TSTG
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
0.5
0.37
0.69
0.56
0.40
0.83
1.7
55
to
150
1.0
260
W
A
°C
A
°C
W
A
1
2
单位
V
V
A
1
2
标记图/
引脚分配
3
3
TR8 M
G
G
1
2
来源
稳定状态
吨< 10秒
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
t<5s
t
p
= 10
ms
SOT23
CASE 318
21风格
TR8
M
G
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和横线可能会有所不同
根据生产地点。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NTR4003NT1G
NTR4003NT3G
NVR4003NT3G
SOT23
(无铅)
SOT23
(无铅)
SOT23
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&
REEL
万/磁带&
REEL
热电阻额定值
参数
结到环境
稳态(注1 )
结到环境
吨< 10秒(注1 )
结到环境
稳态(注2 )
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
180
150
300
单位
° C / W
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
(铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ) 。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
2012年6月,
第3版
1
出版订单号:
NTR4003N/D
NTR4003N , NVR4003N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
负阈值
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
V
GS
= 4.0 V,I
D
= 10毫安
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 10毫安
V
DS
= 3.0 V,I
D
= 10毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.8
3.4
1.0
1.5
0.33
1.5
2.0
1.4
V
毫伏/°C的
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 30 V
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 100
mA
30
40
1.0
±1.0
V
毫伏/°C的
mA
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±10
V
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
RR
W
S
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅 - 源栅极电荷
栅 - 漏极电荷
开关特性
(注4 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
正向二极管电压
21
V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
V
DS
= 5.0 V
19.7
8.1
1.15
V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 24 V,
I
D
= 0.1 A
0.15
0.32
0.23
nC
pF
16.7
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 5.0 V,
I
D
= 0.1 A,R
G
= 50
W
47.9
65.1
64.2
ns
V
GS
= 0 V,
I
S
= 10毫安
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.65
0.45
14
0.7
V
反向恢复时间
V
GS
= 0 V ,二
S
/ DT = 8A / MS ,
I
S
= 10毫安
ns
3.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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2
NTR4003N , NVR4003N
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
1.6
V
GS
= 10 V至5 V
I
D,
漏电流( A)
4.5 V
1.2
1.6
V
DS
10 V
T
J
=
55°C
1.2
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
I
D,
漏电流( A)
0.8
4V
0.8
0.4
3.5 V
2.5 V
0
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
2
0.4
0
0
0
3
2
4
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
1
5
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
10
8
6
4
2
0
2.4
I
D
= 0.2 A
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
1
0.8
0.6
0.4
图2.传输特性
V
GS
= 10 V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.2
0
0
0.1
0.2
T
J
=
55°C
2.8
3.2
3.6
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
4
0.3
0.4
0.5
0.6
I
D,
漏电流(安培)
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
(归一化)
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
25
I
D
= 0.3 A
V
GS
= 4.5 V
I
DSS
,漏电( NA)
图4.导通电阻与漏电流和
温度
1000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
100
T
J
= 125°C
50
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
30
T
J
,结温( ° C)
V
DS ,
漏 - 源电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTR4003N , NVR4003N
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
V
GS ,
栅 - 源电压(V)的
50
40
30
20
10
0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
5
4
3
2
1
0
T
J
= 25°C
I
D
= 0.1 A
C,电容(pF )
0
4
8
12
16
20
0
0.4
0.8
1.2
漏极至源极电压(V )
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极&漏 - 源
电压与总充电
1
I
S
,源电流( A)
V
GS
= 0 V
0.1
0.01
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
0.001
0.4
0.6
V
SD
,源极到漏极电压(V )
0.8
图9.二极管的正向电压与电流
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4
NTR4003N , NVR4003N
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
ISSUE AP
D
SEE视图C
3
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线FINISH
厚度。最小引线厚度是最小的
厚度基体材料。
4.尺寸D和E不包括塑模FLASH ,
突起,或毛刺。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
q
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0
°
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
10
°
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
0
°
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
10
°
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
A
A1
L
L1
视图C
风格21 :
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC拥有的权利,拥有多项专利,商标,
著作权,商业秘密和其他知识产权。 SCILLC的产品/专利覆盖的上市可能在www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf访问。 SCILLC
保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证,声明或担保
特定用途,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,包括但
不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数,并会根据不同的应用
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权使用的组件用于系统
外科植入到体内,或用于支持或维持生命,或其他应用程序的任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成一种情况,
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出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
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NTR4003N/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NVR4003NT3G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
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Onsemi/安森美
10000
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
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Onsemi/安森美
24+
68500
SOT-23
一级代理/放心采购
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联系人:欧阳
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ON
20+
2047533
SMD
安森美PD电源芯片优势现货
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电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
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ON
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
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联系人:李先生
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ON/安森美
2407+
30098
SOT-23
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电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
NVR4003NT3G
ON代理
20+
8690
原厂原封
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
NVR4003NT3G
ON/安森美
2018+
125880
SOT23-3
全新原装15818663367
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Onsemi/安森美
24+
10000
SOT-23
原装正品热卖
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NVR4003NT3G
onsemi
24+
10000
SOT-23-3(TO-236)
原厂一级代理,原装现货
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联系人:陈泽强
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NVR4003NT3G
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2443+
23000
SOP
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