NTMFS5834NL ， NVMFS5834NL
1.表面安装上使用1平方-在垫FR4板
（铜面积=在平[ 2盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装使用在平方0.155的FR4基板（100mm，所
2
）焊盘尺寸。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GP
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 20 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 20 V,
I
D
= 20 A，R
G
= 2.5
W
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 20V;我
D
= 20 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 20V;我
D
= 20 A
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫，V
DS
= 20 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
正向跨导
收费，电容&栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
高原电压
栅极电阻
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 20 A
0.84
0.72
18
10
8.0
108
nC
ns
1.2
V
10
56.4
17.4
6.6
ns
1231
198
141
24
12
1.0
4.2
6.3
3.4
0.7
V
W
nC
pF
I
D
= 20 A
I
D
= 20 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 40 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
40
34.7
1.0
100
±100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
5.7
7.1
11.3
29
3.0
V
毫伏/°C的
9.3
13.6
mW
S
V
DS
= 5 V，I
D
= 20 A
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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2
NTMFS5834NL ， NVMFS5834NL
典型特征
150
125
100
75
50
25
0
3.5 V
3.0 V
0
1
2
3
4
5
150
5.0 V
4.5 V
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
≥
10 V
125
100
75
50
25
0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2
3
10 V
T
J
= 25°C
I
D
，漏电流（ A）
4.0 V
T
J
=
55°C
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0.000
I
D
= 20 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
5
图2.传输特性
T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
2
4
6
8
10
15
25
35
45
55
65
75
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
I
DSS
，漏电（ NA）
10,000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1,000
T
J
= 125°C
10
20
30
40
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
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3
NTMFS5834NL ， NVMFS5834NL
典型特征
1800
1600
C，电容（pF ）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
OSS
C
RSS
10
20
30
40
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
10
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
8
6
4
2
0
Q
T
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 20 V
I
D
= 20 A
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极电压与总
收费
40
I
S
，源电流（ A）
1000
V
DD
= 32 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V
100
T， TIME （ NS ）
t
r
t
D（上）
t
D（关闭）
10
t
f
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
30
20
10
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
100
10
ms
I
D
，漏电流（ A）
10
100
ms
1毫秒
1
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
10毫秒
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
50
40
30
20
10
0
图10.二极管的正向电压与电流
0.1
dc
0.01
100
25
50
75
100
125
150
T
J
，起动结温（ ° C）
175
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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NTMFS5834NL ， NVMFS5834NL
典型特征
R
qJA （T ）
（ ° C / W）有效的瞬变
热阻
100
占空比= 0.5
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.1
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.000001
脉冲时间（秒）
图13.热响应
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