NVMFS5826NL
功率MOSFET
特点
60 V ， 24毫瓦， 26 A单N通道
小尺寸（ 5×6毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低Q
G
和电容，以最大限度地减少驱动器损耗
NVMFS5826NLWF
可湿性侧翼产品
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些无铅器件，符合RoHS标准
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V
（ BR ） DSS
60 V
R
DS （ ON）
最大
24毫瓦@ 10 V
32毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
26 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
YJ- MB
（注1 ，
2, 3, 4)
功耗
R
YJ- MB
（注1 ，2，3 ）
连续漏电流
租金
qJA
（注1 ， 3 ，
4)
功耗
R
qJA
（注1 & 3 ）
漏电流脉冲
T
mb
= 25°C
稳定
状态
T
mb
= 100°C
T
mb
= 25°C
T
mb
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
26
19
39
19
8.0
6.0
3.6
1.8
130
55
to
+ 175
32
20
A
°C
A
mJ
A
Y
W
ZZ
1
单位
V
V
A
G (4)
W
S (1,2,3)
A
N沟道MOSFET
D (5,6)
W
记号
图
D
S
S
S
G
D
XXXXXX
AYWZZ
D
D
=大会地点
=年
=工作周
=批次追踪
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L（ PK）
= 20 A，L = 0.1 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
DFN5
(SO8FL)
CASE 488AA
风格1
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热阻最大额定值
参数
结到安装板（上）
稳定
状态（注2,3）
结到环境
稳态（注3 ）
符号
R
YJ- MB
R
qJA
价值
3.9
42
单位
° C / W
订购信息
查看详细的订购，标记和航运信息
包装尺寸本数据手册的第5页上的一节。
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值，
它们不是常数，并且仅用于特定条件指出有效的。
2. PSI（ Y）用于每个JESD51-12要求包在其中
大致的热量低于100％流动到单个壳体表面。
3.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
4.一种用于脉冲的最大电流，只要1秒较高，但取决于
关于脉冲宽度和占空比。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
五月， 2013
第3版
1
出版订单号：
NVMFS5826NL/D
NVMFS5826NL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 10 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 10 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 48 V,
I
D
= 10 A，R
G
= 2.5
W
V
GS
= 10 V, V
DS
= 48 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 48 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 60 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
60
1.0
10
±100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±
20 V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 5 A
V
GS
= 0 V ， F = 1MHz时，
V
DS
= 25 V
1.5
18
24
8.0
2.5
24
32
V
mW
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
S
850
85
50
9.1
1.0
3.0
4.0
17
pF
nC
nC
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
9.0
32
15
24
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
0.8
0.7
15
11
4.0
11
nC
ns
1.2
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
5.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NVMFS5826NL
典型特征
100
占空比= 0.5
10
0.2
0.1
0.05
1 0.02
0.01
0.1
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
R
qJA （T ）
（ ° C / W）有效的瞬变
热阻
0.01
0.000001
脉冲时间（秒）
图13.热响应
设备订货信息
设备
NVMFS5826NLT1G
NVMFS5826NLWFT1G
NVMFS5826NLT3G
NVMFS5826NLWFT3G
记号
V5826L
5826LW
V5826L
5826LW
包
DFN5
（无铅）
DFN5
（无铅）
DFN5
（无铅）
DFN5
（无铅）
航运
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
QQ：2881677436 复制
