【NVLJD4007NZ小信号MOSFET30伏245毫安，双通道， N沟道，门ESD保护， 2x2的】,IC型号NVLJD4007NZTAG,NVLJD4007NZTAG PDF资料,NVLJD4007NZTAG经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NVLJD4007NZ

小信号MOSFET

30伏245毫安，双通道， N沟道，门ESD

保护， 2x2的WDFN封装

特点

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

30 V

R

DS （ ON）

典型值@ V

GS

1.4

W

@ 4.5 V

2.3

W

@ 2.5 V

D (6)

I

D

最大

（注1 ）

245毫安

D (4)

优化布局优异的高速信号完整性

低门电荷的快速切换

小2 ×2mm的足迹

ESD保护门

AEC - Q101标准，并有能力PPAP

这些器件是无铅和符合RoHS标准

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

功耗

（注1 ）

漏电流脉冲

稳态= 25°C

稳态= 25°C

t

P

v

10

ms

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

I

SD

T

L

价值

30

"10

245

755

1.2

55

to

150

245

260

单位

V

V

mA

mW

A

°C

mA

°C

G (2)

G (5)

S (1)

N沟道

S (3)

N沟道

记号

图

WDFN6

CASE 506AN

1

2

3

遗传学报

G

6

5

4

工作结温和存储温度

连续源电流（体二极管）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

1

JG =具体设备守则

M =日期代码

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

引脚连接

S1

G1

S2

D1

1

2

D2

3

（ TOP VIEW ）

4

D2

6

5

D1

G2

热电阻额定值

参数

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

符号

R

qJA

最大

166

单位

° C / W

1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板

（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ）。

订购信息

设备

NVLJD4007NZTAG

NVLJD4007NZTBG

包

WDFN6

（无铅）

WDFN6

（无铅）

航运

3000 /磁带&

REEL

3000 /磁带&

REEL

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

五月， 2013

第0版

1

出版订单号：

NVLJD4007NZ/D

NVLJD4007NZ

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

GP

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

V

GS

= 0 V，I

S

= 125毫安

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 24 V,

I

D

= 125毫安，R

G

= 10

W

V

DS

= 24 V，I

D

= 100毫安，

V

GS

= 4.5 V

V

DS

= 5.0 V ， F = 1MHz时，

V

GS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 100

mA

参考至25℃ ，我

D

= 100

mA

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 125毫安

V

GS

= 2.5 V，I

D

= 125毫安

正向跨导

电容&栅极电荷

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

高原电压

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

0.79

0.9

V

9

41

96

72

ns

ns

12.2

10

3.3

0.75

0.20

0.20

1.57

V

nC

20

15

6.0

pF

V

DS

= 3 V，I

D

= 125毫安

0.5

1.0

2.5

1.4

2.3

80

7.0

7.5

1.5

V

毫伏/°C的

W

mS

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

DSS

I

GSS

I

GSS

I

GSS

V

GS

= 0 V，I

D

= 100

mA

参考至25℃ ，我

D

= 100

mA

V

GS

= 0 V, V

DS

= 30 V

V

GS

= 0 V, V

DS

= 20 V,

T = 85

°C

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±10

V

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±5

V

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±5

V

T = 85

°C

30

27

1.0

1.0

±25

±1.0

±1.0

V

毫伏/°C的

mA

mA

mA

mA

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NVLJD4007NZ

典型性能曲线

1.2

1.1

I

D,

漏电流（ A）

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

T

J

= 150°C

T

J

=

55°C

V

GS

= 10 V

5.0 V

4.5 V

4.0 V

3.5 V

3.0 V

2.8 V

2.6 V

2.4 V

2.2 V

2.0 V

1.8 V

I

D,

漏电流（ A）

V

DS

= 5 V

T

J

= 25°C

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0 4.5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

10

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

V

GS ，

栅极电压（ V）

T

J

= 25°C

I

D

= 125毫安

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

10

9.0

8.0

7.0

6.0

5.0

4.0

3.0

2.0

1.0

0

图2.传输特性

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

V

GS

= 2.5 V

V

GS

= 4.5 V

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

=

55°C

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2

I

D,

漏电流（ A）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.9

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

50

1000

I

D

= 125毫安

V

GS

= 4.5 V

I

DSS

，漏电（ NA）

100

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

T

J

= 150°C

T

J

= 125°C

10

1

T

J

= 85°C

25

0

25

50

75

100

125

150

0.1

0

5

10

15

20

25

30

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NVLJD4007NZ

典型性能曲线

25

20

15

10

5

C

RSS

0

0

5

10

15

20

25

30

C

国际空间站

C

OSS

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

F = 1 MHz的

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

0

0.1

Q

GS

Q

GD

V

DS

= 24 V

I

D

= 100毫安

T

J

= 25°C

0.7

V

DS

V

GS

30

25

20

15

10

5

0

0.8

Q

T

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

10

I

S

，源电流（ A）

1000

V

GS

= 4.5 V

V

DD

= 24 V

I

D

= 125毫安

t

D（关闭）

t

f

t

r

t

D（上）

T， TIME （ NS ）

100

T

J

= 85°C

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

1

10

T

J

= 150°C

T

J

=

55°C

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0.1

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

10

V

GS

≤

10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

，漏电流（ A）

1

10

ms

100

ms

1毫秒

10毫秒

dc

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

1

10

100

0.1

0.01

0.001

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

http://onsemi.com

4

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

C，电容（pF ）

NVLJD4007NZ

典型性能曲线

R（T ），有效瞬态热

响应

1000

R

qJA

稳态= 166 ° C / W

100占空比= 0.5

0.20

0.10

0.05

0.02

单脉冲

1

0.01

1E06

1E05

1E04

1E03

1E02

T，时间（S ）

1E01

1E+00

1E+01

1E+02

1E+03

10

图12.热阻抗（结到环境）

http://onsemi.com

5

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联系人：何小姐

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全新原装正品/质量有保证

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24+

2941

QFN

100%原装正品，只做原装正品

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2405+

9580

WDFN-6

十年芯路！只有原装！优势MOS场效应管

深圳市金嘉锐电子有限公司

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联系人：朱先生

地址：深圳福田区振兴路华康大厦211

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6-WDFN

【原装优势★★★绝对有货】

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6-WDFN（2x2）

原厂一级代理，原装现货

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联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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onsemi

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25000

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全新原装现货，原厂代理。

深圳市科恒伟业电子有限公司

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联系人：李小姐

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电话：0755-82574045

联系人：张女士

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B

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5682

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原装正品，支持实单

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联系人：雷小姐

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9675

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电话：0755-/83218466/83200833

联系人：销售部

地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402

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