NVD6828NL
功率MOSFET
特点
90 V， 20毫瓦， 41 A单N通道
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
高电流能力
较高的雪崩能量
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金
QJC
（注1 & 3 ）
功耗
QJC
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注1 ，
2 & 3 ）
功耗
qJA
（注1 & 2 ）
漏电流脉冲
T
C
= 25°C
稳定
状态
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
90
"20
41
29
83
42
8.7
6.1
3.8
1.9
206
55
to
175
40
90
A
°C
A
mJ
W
1 2
3
A
W
S
4
单位
V
V
A
G
N沟道
D
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
90 V
R
DS （ ON）
20毫瓦@ 10 V
25毫瓦@ 4.5 V
I
D
41 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（T
J
= 25 ° C，V
GS
= 10 V，I
L（ PK）
= 24.5 A,
L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
DPAK
CASE 369C
方式2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
68
28LG
2
排水3
1
门源
Y
WW
6828L
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热阻最大额定值
参数
结到外壳
稳态（漏）
结到环境
稳态（注2 ）
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.8
40
单位
° C / W
1.整个应用程序环境的影响的热阻值
示出，它们不是常数和仅适用于特定的条件
指出。
2.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
， 2盎司Cu焊盘。
3.连续额定直流电流。对于脉冲的最大电流，只要1
第二较高，但依赖于脉冲宽度和占空比。
订购信息
设备
NVD6828NLT4G
包
DPAK
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年8月
第0版
1
出版订单号：
NVD6828NL/D
NVD6828NL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 25 V
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 72 V,
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 72 V,
I
D
= 20 A
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 20 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 20 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 72 V,
I
D
= 20 A，R
G
= 2.5
W
14
64
28
43
ns
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 10 V, V
DS
= 72 V,
I
D
= 20 A
2900
175
126
32
61
3.3
9.0
16
nC
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 90 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
90
87
1.0
100
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
6.5
16.5
19.1
2.5
V
毫伏/°C的
20
25
mW
漏源二极管特性
正向二极管电压
0.84
0.72
35
25
10
49
nC
ns
1.2
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
