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NVD5890NL
产品预览
功率MOSFET
特点
40 V , 3.7毫瓦, 123 A单N通道
DPAK
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
40 V
R
DS ( ON)
最大
3.7毫瓦@ 10 V
5.5毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
123 A
低R
DS ( ON)
为最大限度地减少传导损耗
MSL 1 @ 260℃
100%的雪崩测试
AEC Q101标准,并有能力PPAP
这些器件是无铅,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
参数
符号
V
DSS
V
GS
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
=10ms
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
E
AS
P
D
I
D
I
D
价值
40
"20
123
95
107
24
18.5
4.0
400
100
55
to
175
100
240
W
A
A
°C
A
mJ
W
A
单位
V
V
A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金(R
QJC
) (注1 &
3)
功耗
(R
QJC
) (注1 )
连续漏电流
租金(R
qJA
) (注1 , 2 ,
3)
功耗
(R
qJA
) (注1 & 2 )
漏电流脉冲
通过封装电流限制
(注3)
D
G
S
4
1 2
N沟道
3
CASE 369C
DPAK
(本特铅)
方式2
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源(V
GS
= 10 V , L = 0.3 mH的,我
L( PK)
= 40 A,
R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
标记DIAGRAMS
&放大器;引脚分配
4
YWW
58
90LG
T
L
260
°C
2
排水3
1
门源
Y
WW
5890L
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.整个应用程序环境的影响示出的热阻值,
它们不是常数,并且仅用于特定条件指出有效的。
2.表面安装在FR4板上用650毫米的
2
, 2盎司Cu焊盘。
3.对于脉冲的最大电流,只要1秒较高,但取决于
在脉冲持续时间和suty周期。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体
保留不另行通知,以更改或终止本产品的权利。
半导体元件工业有限责任公司, 2012
, 2012年5月
牧师P0
1
出版订单号:
NVD5890NL/D
NVD5890NL
热阻最大额定值
参数
结至外壳(漏)
结到环境
稳态(注2 )
符号
R
QJC
R
qJA
价值
1.4
37
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
GS
= 10 V,I
D
= 50 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 50 A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
(注5 )
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
GS
= 10 V, V
DS
= 20 V,
I
D
= 50 A,R
G
= 2.0
W
待定
待定
待定
待定
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 50 A
V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
V
DS
= 25 V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 50 A
4760
580
385
74
待定
待定
待定
待定
nC
nC
pF
V
DS
= 15 V,I
D
= 15 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 40 V
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
mA
40
40
1.0
100
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注4 )
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
待定
2.9
4.4
待定
2.5
V
毫伏/°C的
3.7
5.5
mW
S
4.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比
2%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NVD5890NL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 50 A
V
GS
= 0 V,
I
S
= 20 A
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
t
RR
ta
tb
Q
RR
V
GS
= 0 V , DIS / DT = 100 A / MS ,
I
S
= 50 A
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
0.9
0.8
待定
待定
待定
待定
nC
1.2
1.0
ns
V
符号
测试条件
典型值
最大
单位
订购信息
订单号
NVD5890NLT4G
DPAK
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
3
NVD5890NL
包装尺寸
DPAK
CASE 369C
版本D
A
B
C
A
c2
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
3.热PAD等高可选WITHIN DI-
MENSIONS B3 ,L3和Z。
4.尺寸D和E不包括塑模
闪存,突起,或毛刺。模具
闪存,突起,或毛刺SHALL
不得超过0.006英寸每边。
5.尺寸D和E是在确定的
塑料机身最外层极端。
6.基准A和B是AT DATUM DETERMINED
平面H.
暗淡
A
A1
b
b2
b3
c
c2
D
E
e
H
L
L1
L2
L3
L4
Z
英寸
最大
0.086 0.094
0.000 0.005
0.025 0.035
0.030 0.045
0.180 0.215
0.018 0.024
0.018 0.024
0.235 0.245
0.250 0.265
0.090 BSC
0.370 0.410
0.055 0.070
0.108 REF
0.020 BSC
0.035 0.050
0.040
0.155
MILLIMETERS
最大
2.18
2.38
0.00
0.13
0.63
0.89
0.76
1.14
4.57
5.46
0.46
0.61
0.46
0.61
5.97
6.22
6.35
6.73
2.29 BSC
9.40 10.41
1.40
1.78
2.74 REF
0.51 BSC
0.89
1.27
1.01
3.93
E
b3
L3
1
4
D
2
3
Z
细节A
H
L4
b2
e
b
0.005 (0.13)
M
c
C
L2
飞机
H
C
L
L1
细节A
座位
飞机
A1
旋转90 CW
5
焊接足迹*
6.20
0.244
3.00
0.118
2.58
0.102
5.80
0.228
1.60
0.063
6.17
0.243
尺度3:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
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和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5817-1050
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
NVD5890NL/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NVD5890NL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NVD5890NL
ON/安森美
2443+
23000
DPAK-3
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
NVD5890NL
ON/安森美
24+
21000
SOT-263
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
NVD5890NL
ON/安森美
22+
100739
DPAK-3
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
NVD5890NL
ON/安森美
24+
32000
SOT-263
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NVD5890NL
ON/安森美
22+
32570
SOT-263
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
NVD5890NL
ON/安森美
21+
15360
DPAK-3
全新原装正品/质量有保证
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