【NTD5805N ， NVD5805N功率MOSFET特点40 V ， 51 A单N沟道， DPAK】,IC型号NVD5805NT4G,NVD5805NT4G PDF资料,NVD5805NT4G经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NTD5805N ， NVD5805N

功率MOSFET

特点

40 V ， 51 A单N沟道， DPAK

低R

DS （ ON）

高电流能力

较高的雪崩能量

NVD前缀为汽车和其他需要的应用

独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101

合格的，有能力PPAP

这些器件是无铅和符合RoHS标准

应用

http://onsemi.com

V

（ BR ） DSS

40 V

R

DS （ ON）

最大

16毫瓦@ 5.0 V

9.5毫瓦@ 10 V

D

I

D

最大

51 A

LED背光驱动器

CCFL背光源

直流电机控制

电源二次侧同步整流

G

S

N沟道MOSFET

4

1 2

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

栅极 - 源极电压

不重复（T

p

＆ LT ; 10

女士）

连续漏极

电流（R

QJC

)

（注1 ）

功耗

(R

QJC

）（注1 ）

漏电流脉冲

T

C

= 25°C

稳定

状态

T

C

= 100°C

T

C

= 25°C

P

D

I

DM

T

J

, T

英镑

I

S

E

AS

符号

V

DSS

V

GS

V

GS

I

D

价值

40

"20

"30

51

36

47

85

55

to

175

30

80

W

A

°C

A

mJ

单位

V

V

V

A

3

CASE 369C

DPAK

（表面贴装）

方式2

t

p

= 10

ms

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

DD

= 50 V, V

GS

= 10 V ，R

G

= 25

W,

I

L（ PK）

= 40 A，L = 0.1 mH为V

DS

= 40 V)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

标记图

＆放大器;引脚分配

4

漏

YWW

58

05NG

2

1 3漏

门源

Y

WW

5805N

G

=年

=工作周

=器件代码

= Pb-Free包装

T

L

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结到环境

稳态（注1 ）

符号

R

QJC

R

qJA

价值

3.2

107

单位

° C / W

1.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2012

2012年4月

第4版

1

出版订单号：

NTD5805N/D

NTD5805N ， NVD5805N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

V

GS

= 10 V，I

D

= 15 A

V

GS

= 5.0 V，I

D

= 10 A

正向跨导

V

DS

= 15 V，I

D

= 15 A

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

t

RR

ta

tb

Q

RR

V

GS

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

I

S

= 30 A

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

V

GS

= 10 V, V

DD

= 32 V,

I

D

= 30 A，R

G

= 2.5

W

10.2

17.9

22.9

4.5

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

V

GS

= 10 V, V

DS

= 32 V,

I

D

= 30 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

V

DS

= 25 V

1725

220

160

33

2.0

7.2

9.8

80

nC

pF

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 40 V

T

J

= 25°C

T

J

= 150°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

40

40.8

1.0

100

±100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±20

V

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.5

7.04

7.6

10.9

8.54

3.5

V

毫伏/°C的

9.5

16

mW

S

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

GS

= 0 V,

I

S

= 10 A

0.83

0.65

24.8

14.6

10.2

15.5

nC

ns

1.2

V

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTD5805N ， NVD5805N

典型性能特性

100

90

I

D

，漏电流（ A）

70

60

50

40

30

20

10

0

0

0.5

1

1.5

2

2.5

4.0 V

3.5 V

3

4.5 V

V

GS

= 7 V

5.5 V

100

5.2 V

I

D

，漏电流（ A）

5.0 V

75

V

DS

≥

10 V

10 V

80 T

J

= 25°C

50

T

J

= 100°C

25

T

J

= 25°C

0

T

J

=

55°C

2

3

4

5

6

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.021

0.019

0.017

0.015

0.013

0.011

0.009

0.007

4

5

6

7

8

9

10

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

R

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.05

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.04

0.03

0.02

0.01

0

10

V

GS

= 5 V

V

GS

= 10 V

15

20

25

30

35

40

45

50

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

I

D

，漏电流（ A）

R

DS （ ON）

，漏源电阻（标准化）

图3.导通电阻与漏电流

1.9

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

50 25

I

D

= 51 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10,000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 100°C

0

25

50

75

100

125

150

175

10

2

12

22

32

42

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTD5805N ， NVD5805N

典型性能特性

3000

20

40

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

C

国际空间站

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

C，电容（pF ）

15

V

DS

QT

V

GS

30

2000

10

Q

gs

5

Q

gd

20

1000

C

OSS

0

10

5

VGS

C

RSS

0

5

10

VDS

15

20

25

30

35

40

10

I

D

= 30 A

T

J

= 25°C

0

10

20

30

0

0

40

栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）

Q

g

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（ A）

V

DD

= 32 V

I

D

= 30 A

V

GS

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

30

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

20

t

D（关闭）

t

f

t

r

t

D（上）

10

10

1

1

10

R

G

，栅极电阻（ W）

100

0

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

图10.二极管的正向电压与电流

I

D

，漏电流（ A）

100

10

ms

10

V

GS

= 10 V

单脉冲

T

C

= 25°C

R

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

1

10

100

ms

1毫秒

10毫秒

dc

1

0.1

0.1

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

http://onsemi.com

4

NTD5805N ， NVD5805N

典型性能特性

10

D = 0.5

1

0.2

0.1

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

R（T ），有效瞬态热阻

（ ° C / W）

0.01

0.00001

0.0001

0.001

T，脉冲时间（s ）

0.01

0.1

1

图12.热响应

订购信息

订单号

NTD5805NT4G

NVD5805NT4G

包

DPAK

（无铅）

DPAK

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

2500 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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-

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

NVD5805NT4G

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联系人：廖先生

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NVD5805NT4G

ON

24+

80

TO-252

100%原装正品，只做原装正品

深圳市华创欧科技有限公司

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联系人：朱先生

地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

NVD5805NT4G

ON

22+

49000

DPAK-3

原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471

深圳市芯泽盛世科技有限公司

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电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

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24+

10000

DPAK

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

NVD5805NT4G

ON/安森美

2443+

23000

TO-252

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

NVD5805NT4G

onsemi

24+

25000

DPAK (SINGLE GAUGE)

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

NVD5805NT4G

VB

25+23+

35500

DPAK

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

深圳市裕硕科技有限公司

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电话：0755-23613962/82706142

联系人：雷小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711

NVD5805NT4G

ON

2024+

9675

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优势现货，全新原装进口

深圳市翔哲科技有限公司

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电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721

联系人：朱

地址：福田区振兴西路华康大厦2栋315室

NVD5805NT4G

ON

23+

80

TO-252

原装正品，价优

深圳市昭兴微电子有限公司

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电话：0755-23991909

联系人：林裕忠

地址：深圳市福田区中航路国利大厦新亚洲电子市场二期N4C478房间

NVD5805NT4G

ON

24+

80

TO-252

全新原装正品，热卖价优

北京元坤国际科技有限公司

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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

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22+

32570

ORIGINAL

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