【NVD5803N功率MOSFET特点40 V ， 85 A单N沟道， DPAK低RDS （ ON）高】,IC型号NVD5803N,NVD5803N PDF资料,NVD5803N经销商,ic,电子元器件-51电子网

NVD5803N

功率MOSFET

特点

40 V ， 85 A单N沟道， DPAK

低R

DS （ ON）

高电流能力

较高的雪崩能量

AEC- Q101标准

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

40 V

DS （ ON）

最大

5.7毫瓦@ 10 V

最大

85 A

应用

直流电机驱动

反向电池保护

电热塞

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

连续漏极

电流（R

QJC

)

（注1 ）

功耗

QJC

）（注1 ）

漏电流脉冲

= 25°C

稳定

状态

= 100°C

= 25°C

, T

英镑

符号

DSS

价值

"20

228

175

240

°C

1 2

单位

N沟道MOSFET

= 10

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

= 50 V, V

= 10 V ，R

= 25

L（ PK）

= 40 A，L = 0.3 MH）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

DPAK

CASE 369AA

（表面贴装）

方式2

260

°C

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

YWW

V58

03NG

1 3漏

门源

5803N

=年

=工作周

=器件代码

= Pb-Free包装

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结到环境

稳态（注1 ）

符号

QJC

qJA

价值

1.8

单位

° C / W

1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板

（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年4月

第0版

出版订单号：

NVD5803N/D

NVD5803N

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

D（上）

D（关闭）

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

= 30 A

= 25°C

= 150°C

= 10 V, V

= 32 V,

= 50 A，R

= 2.0

= 10 V, V

= 20 V,

= 50 A

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

= 25 V

= 10 V，I

= 50 A

= 5.0 V，I

= 30 A

正向跨导

= 15 V，I

= 15 A

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

12.6

21.4

28.3

6.6

3220

390

270

3.8

12.7

= 0 V,

= 40 V

= 25°C

= 150°C

= 0 V，I

= 250

1.0

100

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

±20

= V

, I

= 250

1.5

7.4

4.9

6.7

13.6

3.5

毫伏/°C的

5.7

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 0 V,

= 30 A

0.88

0.73

27.2

13.2

1.2

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

订购信息

订单号

NVD5803NT4G

包

DPAK

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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NVD5803N

典型特征

160

140

，漏电流（ A）

120

100

10 V

= 25°C

，漏电流（ A）

= 5 V

4.8 V

4.6 V

4.4 V

4.2 V

4.0 V

3.8 V

3.6 V

，漏极至源极电压（ V）

160

140

120

100

= 25°C

= 125°C

55°C

≥

10 V

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.010

= 50 A

= 25°C

0.008

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.008

图2.传输特性

= 25°C

0.007

= 5 V

0.006

0.005

= 10 V

0.004

，栅 - 源极电压（ V）

，漏电流（ A）

DS （ ON）

，漏源电阻（标准化）

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.8

1.7

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

55 35 15

100

= 50 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

10000

100000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 0 V

= 150°C

1000

= 125°C

85 105 125 145 165

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NVD5803N

典型特征

4000

3500

C，电容（pF ）

3000

2500

2000

1500

1000

500

RSS

漏极至源极电压（V ）

OSS

国际空间站

= 0 V

= 25°C

，漏极至源极电压（ V）

，栅 - 源极电压（ V）

= 50 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

，源电流（ A）

= 32 V

= 85 A

= 10 V

100

T， TIME （ NS ）

D（关闭）

D（上）

0.4

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

= 0 V

= 25°C

，栅极电阻（ W）

100

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

= 10 V

单脉冲

= 25°C

，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

250

图10.二极管的正向电压与电流

= 85 A

200

150

100

125

150

175

，起动结温（ ° C）

，漏电流（ A）

100

1毫秒

10毫秒

0.1

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

100

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

， DRAISN电压（ V）

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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NVD5803N

典型特征

QJC （T ）

（ ° C / W）有效的瞬变

热阻

占空比= 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.01

0.000001

脉冲时间（秒）

图13.热响应

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