NUS3065MU
低调的过电压
保护IC，具有
集成MOSFET
该设备代表了安全和集成了一个新的水平
用相结合的NCP345过压保护电路（OVP）
30伏P沟道功率MOSFET。它是专门设计来保护
过压瞬态和功耗敏感的电子电路
电源故障。在这样的危险事件时，迅速IC
断开与负载输入电压，从而保护了负载
前的任何损坏可能发生。
过压保护IC是为使用外部应用进行了优化
AC- DC适配器或汽车配件充电器供电的便携式产品
或充电的内置电池。它有一个名义上的过电压
6.85 V阈值，这使得它们非常适用于单节锂离子电池作为
还有3/4芯镍镉/镍氢电池应用。
特点
http://onsemi.com
记号
图
8
TLLGA8
CASE 517AH
3065
A
Y
WW
G
1
3065
AYWW
G
1
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
小于1.0 OvervoltageTurn ，关闭时间
ms
6.85 V，额定准确的电压阈值
欠压锁定保护; 2.8 V，额定
2.0 ％的高准确度欠电压阈值
-30 V集成的P沟道功率MOSFET
低R
DS （ ON）
= 66毫瓦@ -4.5 V
低调0.55毫米高度， 2.5× 3.0毫米LLGA套餐适用
用于便携式应用
最大回流焊温度@ 260℃
该器件制造用无铅外部引线只完成。
这是一个Pb - Free设备
好处
引脚连接
VCC 8
OUT
门
SRC
7
6
5
漏
4
（底视图）
1年
2 GND
3 CNTRL
4漏
提供电池保护
集成解决方案提供成本和节省空间
综合解决方案提高系统可靠性
应用
订购信息
设备
NUS3065MUTAG
包
TLLGA8
（无铅）
航运
3000 /
磁带&卷轴
便携式电脑和PDA
手机和手持产品
数码相机
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年3月 - 修订版0
出版订单号：
NUS3065/D
NUS3065MU
肖特基
二极管
V
CC
SRC
P- CH
IN
欠压
锁定
+
V
REF
NUS3065
GND
CNTRL
微处理器端口
逻辑
FET
司机
门
+
C1
OUT
负载
漏
的AC / DC适配器
附件充电器
图1.简化的原理图
引脚功能描述
针＃
1
符号
IN
引脚说明
该引脚检测外部电压点。如果该输入的电压高于过电压阈值
(V
TH
） ， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而断开P沟道功率MOSFET 。该
额定阈值电平为6.85 V和该阈值水平可以随着增加一个外部电阻的
IN和V之间器
CC
.
电路接地
此逻辑信号被用于控制OUT的状态和导通/关断，P沟道功率MOSFET。逻辑高
结果，在输出信号驱动至1.0范围内V V的
CC
其断开FET 。如果不使用该引脚，
输入应连接到地。
漏P沟道功率MOSFET的管脚
P沟道功率MOSFET的源极引脚
P沟道功率MOSFET的门销
这个信号驱动的P沟道功率MOSFET的栅极。它是通过在IN或逻辑上的电压电平来控制
在CNTRL输入的状态。当检测到过压情况时， OUT引脚在1.0 V V的驱动
CC
in
小于1.0 _sec只要栅极和杂散电容小于12 nF的。
正电源电压。如果V
CC
低于2.8 V（标称值）， OUT引脚将被驱动到内1.0 V V的
CC
，从而
断开P沟道场效应晶体管。
2
3
GND
CNTRL
4
5
6
7
漏
SRC
门
OUT
8
V
CC
过电压保护电路真值表
IN
＆ LT ; V
th
＆ LT ; V
th
＆ GT ; V
th
＆ GT ; V
th
CNTRL
L
H
L
H
OUT
GND
V
CC
V
CC
V
CC
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2
NUS3065MU
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
输出电压至GND
输入和CNTRL引脚对地电压
V
CC
最大射程
最大功率耗散
（注
1)
热阻结到空气
（注
1)
结温
工作环境温度
V
CNTRL
工作电压
存储温度范围
ESD性能（ HBM ）
（注
2)
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流，稳态，T
A
= 25 ° C（注1 ）
漏极电流峰值（注1 ）
P
W
= 500
女士，
T
A
= 80°C
OVP IC
P沟道FET
针
7
1
3
8
3
1, 2, 3, 7, 8
符号
V
O
V
输入
V
CNTRL
V
CC（ MAX）的
P
D
R
qJA
T
J
T
A
T
英镑
V
DSS
V
GS
I
D
I
DPK
20
民
0.3
0.3
0.3
0.3
40
0
65
2.5
最大
30
30
13
30
1.0
342
124
150
85
5.0
150
30
20
1.0
4.0
单位
V
V
V
W
° C / W
°C
°C
V
°C
kV
V
V
A
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方英寸的焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
2.人体模型（ HBM ） ： MIL STD 883C方法3015-7 ， （ R = 1500
W,
C = 100 pF的， F = 3脉冲延迟1秒） 。
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3
NUS3065MU
电气特性
(T
A
= 25 ℃， Vcc的= 6.0 V时，除非另有规定）
特征
V
CC
工作电压范围
电源电流（I
CC
+ I
输入
; V
CC
= 6.0 V稳态）
输入阈值（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
增加）
输入迟滞（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
递减）
输入阻抗（输入= V
Th
)
CNTRL电压高
CNTRL电压低
CNTRL高电流（V
ih
= 5.0 V)
CNTRL电流低（V
il
= 0.5 V)
欠压锁定（V
CC
递减）
输出灌电流（V
CC
＆ LT ; V
Th
, V
OUT
= 1.0 V)
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 10 mA）的
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0.25 mA）的
输出电压高（V
CC
= V
in
= 8.0 V ;我
来源
= 0 mA时）
输出电压低
（输入< 6.5 V ;我
SINK
= 0 mA时; V
CC
= 6.0 V， CNTRL = 0 V）
导通延迟 - 输入（注3 ）
(V
输入
连接到V
CC
; V
输入
从8.0下台信号
6.0 V ;测得的70％的点的输出） *
延时关闭 - 输入（V
输入
连接到V
CC
; V
输入
步
上升信号从6.0至8.0伏;
L
= 12 nF的输出> V
CC
1.0 V)
导通延迟 - CNTRL （ CNTRL 2.0下台的信号
以0.5 V ;测得的70％的点的输出） （注3）
延时关闭 - CNTRL （ CNTRL加强信号，从0.5到
2.0 V ;
L
= 12 nF的输出> V
CC
1.0 V)
3.通过设计保证。
符号
V
CC （ OPT ）
V
Th
V
HYST
R
in
V
ih
V
il
I
ih
I
il
V
LOCK
I
SINK
V
oh
针
8
1, 8
1
1
1
3
3
3
3
3
7
7
民
3.0
6.65
50
70
1.5
2.5
10
V
CC
1.0
V
CC
0.25
V
CC
0.1
典型值
4.8
0.75
6.85
100
150
95
10
2.8
33
最大
25
1.0
7.08
200
0.5
200
20
3.0
50
单位
V
mA
V
mV
kW
V
V
mA
mA
V
mA
V
V
ol
T
在
7
7
0.1
10
V
ms
T
在OFF
T
CT上
T
CT OFF
7
7
7
0.5
1.0
1.0
10
2.0
ms
ms
ms
P沟道MOSFET
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极导通电阻
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= 600 mA）的
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= 1.0 A)
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V)
打开延迟（注4 ）
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.0 A，R
G
= 6.0
W,
V
DS
= 15 V)
延时关闭（注4 ）
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.0 A，R
G
= 6.0
W,
V
DS
= 15 V)
输入电容（注3 ）
(V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 15 V)
门源漏电流
(V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V)
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250
毫安）
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
毫安）
符号
R
DS （ ON）
66
66
I
DSS
1.0
t
on
11
t
关闭
28
C
in
750
I
GSS
±10
V
（ BR ） DSS
30
V
（ GS ）个
3.0
1.0
V
V
nA
pF
ns
ns
100
100
mA
民
典型值
最大
单位
mW
4.开关的特点是独立的工作结温。
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
