NUS2401SNT1
集成PNP / NPN数字
晶体管阵列
集成数字晶体管这个新选项的设计
更换三个晶体管和其外部的分立解决方案阵列
电阻偏置网络。 BRTS （偏置电阻晶体管），包含
与单片偏置网络包括两个单晶体管
电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。快速公交
技术消除了通过整合这些单独的组件
成一个单一的装置，因此所述的3 BRTS积分
导致显著降低系统成本和电路板空间。
这种新器件采用了SC - 74 /外壳318F封装，
是专为低功耗表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
(6)
(5)
(4)
Q3
集成设计
减少了电路板空间和组件计数
简化了电路设计
提供表面贴装技术（ SC- 74 ）
可在3000单位磁带和卷轴
无铅包装是否可用
Q1
(1)
(2)
Q2
(3)
6
1
SC74
CASE 318F
方式4
记号
图
应用
音频静音的应用
驱动电路中的应用
工业：小家电，安防系统，自动化测试
消费者：电视，录像机，立体声接收器， CD播放器，
录音机
50 M
G
G
50
M
最大额定值
（最大额定值超出它的价值
设备损坏可能发生。电气特性并不能保证在
此范围）。
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
价值
60
50
7.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
G
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
NUS2401SNT1
NUS2401SNT1G
包
SC74
SC74
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
符号
P
D
T
J
T
英镑
最大
350
150
55
+150
单位
mW
°C
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第3版
出版订单号：
NUS2401SNT1/D
NUS2401SNT1
电气特性
（除非另有说明：T已
J
= 25°C典型值，共同为Q1 ， Q2和Q3 ，
零下签署省略Q3（ PNP ） 。 ）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流（V
CE
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注1 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 1.0 mA）的
输出电压（上） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关） （V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2 ％ 。
Q3
Q1, Q2
Q3
Q1, Q2
Q3
Q1, Q2
Q3
Q1, Q2
h
FE
V
CE （ SAT ）
35
150
4.9
7.0
0.13
60
350
10
0.175
1.0
∞
VDC
0.25
0.25
0.2
13
0.22
V
V
kW
Q3
Q1, Q2
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
500
0.1
NADC
NADC
mA
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
OL
V
OH
R1
R1/R2
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2
NUS2401SNT1
包装尺寸
SC74
CASE 318F -05
ISSUE L
D
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。作者：
4. 318F01,
02, 03
已过时。 NEW
标准318F -04 。
MILLIMETERS
暗淡
民
喃
最大
民
A
0.90
1.00
1.10
0.035
A1
0.01
0.06
0.10
0.001
b
0.25
0.37
0.50
0.010
c
0.10
0.18
0.26
0.004
D
2.90
3.00
3.10
0.114
E
1.30
1.50
1.70
0.051
e
0.85
0.95
1.05
0.034
L
0.20
0.40
0.60
0.008
H
E
2.50
2.75
3.00
0.099
0°
0°
10°
q
方式4 ：
PIN 1器2
2.发光体1 /发射器2
3.集热器1
4.辐射源3
5. BASE 1 / BASE 2 /集热器3
6. BASE 3
英寸
喃
0.039
0.002
0.015
0.007
0.118
0.059
0.037
0.016
0.108
最大
0.043
0.004
0.020
0.010
0.122
0.067
0.041
0.024
0.118
10°
H
E
6
1
5
2
4
3
E
b
e
q
0.05 (0.002)
A1
A
L
C
焊接足迹*
2.4
0.094
1.9
0.074
0.7
0.028
1.0
0.039
0.95
0.037
0.95
0.037
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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