NUP5150MU
电气特性
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
电容
（注1 ）
I
T
= 1毫安， （注2）
V
RWM
= 3 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫（线到GND）
条件
符号
V
RWM
V
BR
I
R
C
J
6.2
-
-
12
民
典型值
-
6.8
最大
5.0
7.2
0.1
15
单位
V
V
mA
pF
根据工作峰值反向电压1. TVS器件通常被选定（Ⅴ
RWM
） ，这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
2. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
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2
NUP5150MU
包装尺寸
UDFN6 ， 1.2x1.0 ， 0.4P
CASE 517AA -01
问题B
D
A
B
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于镀终端
与被测量0.25至
0.30毫米航站楼。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
MILLIMETERS
民
最大
0.45
0.55
0.00
0.05
0.127 REF
0.15
0.25
1.20 BSC
1.00 BSC
0.40 BSC
0.30
0.40
0.40
0.50
销1
参考
2X
0.10 C
2X
0.10 C
0.10 C
10X
0.08 C
L2
0.40
沥青
e
底部视图
6X
b
0.10 C A B
0.05 C
注3
6
4
安森美半导体
和
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1
E
顶视图
(A3)
A
SIDE VIEW
A1
5X
3
座位
飞机
暗淡
A
A1
A3
b
D
E
e
L
L2
安装印迹*
6X
C
L
0.42
6X
0.22
1.07
外形尺寸：毫米
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4
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