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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第408页 > NUP4304MR6T1G
NUP4304MR6
低电容二极管
阵列的ESD保护
四条数据线
NUP4304MR6是一个微整合设备设计提供
保护免受可能有害的电子敏感元件
瞬变;例如， ESD（静电放电） 。
特点
http://onsemi.com
引脚配置
和原理图
低电容（之间，我1.5 pF最大/ O线）
单封装集成设计
提供ESD保护JEDEC JESD22标准
机型号= C类
人体模型= 3B类
保护IEC61000-4-2 （ 4级）
8.0千伏（联系）
15千伏（空气）
确保数据的线速度和完整性
更少的元件和电路板空间更少
直接瞬态无论是正面还是侧面向地面
USB 1.1和2.0数据线保护
T1 / E1二级保护IC
T3 / E3二级保护IC
HDSL ， IDSL二级保护IC
视频线路保护
微控制器输入保护
基站
I
2
C总线保护
无铅包装是否可用
等级
反向电压
正向电流
峰值正向浪涌电流
反向重复峰值电压
平均整流器前向编
电流（注1 ）
（平均超过任何20 ms周期）
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向电流
t = 1.0
ms
T = 1.0毫秒
T = 1.0秒
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
V
RRM
I
F（ AV ）
价值
70
200
500
70
715
单位
VDC
MADC
MADC
V
mA
6
5
I / O 1
V
P
2
1/O 3
6 I / O
5 V
N
4 I / O
标记图
4
3
应用
1
2
LG MG
G
TSOP6
CASE 318F
塑料
LG
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
最大额定值
（每个二极管） （T
J
= 25 ° C除非另有说明）
订购信息
设备
NUP4304MR6T1
NUP4304MR6T1G
包
TSOP6
航运
3000 /磁带&卷轴
TSOP - 6 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
I
FRM
I
FSM
450
2.0
1.0
0.5
mA
A
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第1版
出版订单号：
NUP4304MR6/D
NUP4304MR6
热特性
特征
热阻结到环境
无铅焊锡温度
最大10秒的持续时间
结温
储存温度
符号
R
qJA
T
L
T
J
T
英镑
最大
556
260
-40至+85
-55到+150
单位
° C / W
°C
°C
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （每个二极管）
特征
开关特性
反向击穿电压（I
（ BR ）
= 100
毫安）
反向电压漏电流
(V
R
= 70 V直流）
(V
R
= 25伏直流，T
J
= 150°C)
(V
R
= 70伏直流，T
J
= 150°C)
V
（ BR ）
I
R
70
0.8
1.6
2.5
30
50
1.5
3
715
855
1000
1250
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
电容（ I / O引脚之间）
(V
R
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
电容（之间的I / O引脚和接地）
(V
R
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 MADC ）
(I
F
= 50 MADC ）
(I
F
= 150 MADC ）
C
D
C
D
V
F
pF
pF
mV
dc
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
http://onsemi.com
2
NUP4304MR6
曲线适用于每个阴极
100
IF ，正向电流（mA ）
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ，反向电流（ μA ）
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
图1.正向电压
1.75
CD ，二极管电容（PF ）
图2.漏电流
1.5
1.25
1.0
0.75
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图3.电容
http://onsemi.com
3
NUP4304MR6
应用信息
该NUP4304MR6是一个低电容二极管阵列
旨在保护敏感的电子设备，如
通信系统，计算机和计算机
由于ESD事件或短暂的外围设备不受损坏
过压条件。因为它的低电容，它
可以用在高速I / O数据线。综合
在NUP4304MR6的设计提供额定浪涌，低
电容转向二极管集成在单个封装中
（ TSOP- 6）。如果一个瞬变状态时，所述转向
二极管将带动瞬态的正电源轨
电源或接地。
NUP4304MR6配置选项
该NUP4304MR6能够保护多达四个数据线
对瞬态过压条件，促使他们
一个固定的参考点用于夹紧的目的。转向
二极管将被正向偏置时的电压
保护线路电压超过参考电压（Vf或Vcc的+ Vf）的。
二极管将迫使瞬态电流绕过
敏感电路。
数据线的引脚1，3， 4和6的负极相连
参考连接引脚5该引脚必须连接
直接通过使用一个接地平面，以最大限度地减少对地
PCB的接地电感。这是非常重要的，以减少
PCB走线长度尽可能以最小化寄生
电感。
选项1
保护用的Vcc为参考4条数据线。
I / O 1
I / O 2
1
V
CC
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
选项2
保护的四个数据线和供电线用V
CC
作为一个参考和一个外部的TVS二极管。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
如果电源轨的附加保护是需要的，一个
外部TVS二极管可跨V添加
CC
和地面。
这将防止在电源轨的过压条件
保护电源和连接到它的其它电路。
选项3
保护的4条数据线与偏置和电源
隔离电阻。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
10 k
2
3
I / O 3
I / O 4
5
4
6
该NUP4304MR6可以从电源分离
通过引脚2和V之间连接一个串联电阻
CC
. A
10千瓦电阻被推荐用于此应用。这
将维持偏上的内部控向二极管，减少了
它们的电容。
对于此配置，则将管脚2直接到
正供电线（ Vcc的） ，数据线被参照的
电源电压。转向二极管偏置降低其
电容。
http://onsemi.com
4
NUP4304MR6
选项4
保护的4条数据线而不施力内部的
转向二极管。
I / O 1
I / O 2
1
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
5
NUP4304MR6等效电路
2
D1
D3
D5
D7
1
3
D2
4
D4
6
D6
D8
在应用中缺乏正电源参考一
外部TVS二极管可以被用作一个参考。对于这些
应用中， TVS连接销2与之间
接地平面。转向二极管会进行时
被保护线路上的电压超过其向前
电压与TVS二极管的工作电压（VC = Vf的
+ V
TVS
） 。在这种情况下，所述的有效电容
转向二极管会比如果一个偏压施加更高。
http://onsemi.com
5
集成解决方案的USB线路保护与终止
安森美半导体提供了一系列的USB线路保护和终端整体解决方案。
集成IC解决方案结合了二极管，电阻和电容元件整合至单一封装，
提供：
参数稳定性
降低寄生电感
元件数量减少
相关应用笔记
（来自www.onsemi.com下载）
ESD保护的双USB 2.0端口使用低电容TVS二极管阵列， NUP4201DR2设备 - 下载AND8082 / D
传导EMI
过滤， USB上行线路终端和ESD保护利用STF202设备 - 下载AND8074 / D
微整合
为保护高速I / O数据线的技术解决方案 - 下载AND8104 / D
设计
注意事项ESD / EMI滤波器： （几乎所有你想知道的EMI滤波器和怯于
ASK） - 降负荷AND8200 / D
求解
EMI和ESD问题与集成无源器件低通滤波器丕 - 下载AND8026 / D
改进
板
空间减少
简化供应链
更低系统成本的
数据传输速度
PORT
串行端口
标准的并行端口
USB 1.1
低速
高速
USB 2.0
低速
全速
高速
1.5 Mbit / s的
12 Mbit / s的
480 Mbit / s的
1.5 Mbit / s的
12 Mbit / s的
速度
0.115 Mbit / s的
0.92 Mbit / s的
USB端口
典型的USB线路保护中的应用
上游
USB端口
V
公共汽车
V
公共汽车
D+
D–
GND
V
公共汽车
USB
调节器
R
T
R
T
V
公共汽车
C
T
C
T
V
公共汽车
V
公共汽车
D+
D–
GND
V
公共汽车
R
T
NUP2201/2202
单USB端口
保护
R
T
C
T
C
T
NUP4201/4202
双USB端口
保护
V
公共汽车
D+
D–
GND
下游
USB端口
下游
USB端口
第2页
USB解决方案
USB线路保护装置
综合保护装置的USB安森美半导体可以取代多达9个分立器件，减小了电路板
空间和简化电路板布局。我们的产品包括低速，全速和高速USB解决方案。我们所有的设备
是IEC61000-4-2标准。
1号线（1/2端口）
2线（ 1口）
4线（ 2端口）
低&完整
速度
I / O线
+
VBUS
SOT-23
SL05T1G
LC03–6R2
SO-8
SO-8
SRDA05–4R2
SOT-723
ESD7A5.0DT5G*
SOD-923
ESD9A5.0ST5G
低速，全速&
高速
I / O线
+
VBUS
—
TSOP-6
SO-8
NUP2201MR6T1G
NUP2202W1T2G
SC-88
NUP4201DR2
NUP4201MR6T1G
NUP4202W1T2G
TSOP-6
SC-88
低速，全速&
高速
I / O线
—
SOT-563
NUP4060AXV6T1G
NUP8010MNT1G
DFN-8
低速，全速&
高速
I / O线
SOT-23
NUP1301ML3T1G
NUP2301MW6T1G
SC-88
NUP4301MR6T1G
NUP4304MR6T1G
TSOP-6
=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。
* =即将推出。
第3页
USB解决方案
USB设备过滤器
综合保护和终止设备的USB安森美半导体可以取代多达11台设备
结合TVS二极管，电阻和电容元件。它们适用于低收入和全速USB
的解决方案。我们所有的设备都符合IEC61000-4-2第4级标准。
上游Filters
上游Filters
R
S1
R
S1
A1
OTG （在- The-Go的）
OTG （在- The-Go的）
1.3 K
C1
C1
1.3 K
上游/下游的过滤器
上游/下游的过滤器
R
S1
R
S1
C
C
C
C
D
D
RPU
RPU
A3
A3
C3
C3
D
D
C
C
C
C
GND
GND
33 R
33 R
B2
A1
B2
D2
（ GND引脚）
D2
（ GND引脚）
GND
GND
D
D
R
S2
R
S2
E1
E1
33 R
33 R
E3
E3
D
D
R
S2
R
S2
TSOP-6
TSOP-6
STF202-22T1G
STF202-22T1G
NUF2221W1T2G
NUF2221W1T2G
NUF2015W1T2G
NUF2015W1T2G
倒装芯片
倒装芯片
SC-88
SOT-363
SC-88
SOT-363
NUF2222FCT1G
NUF2222FCT1G
SOT-563
SOT-563
NUF2030XV6T1G
30 pF的（典型值） @ 2.5 V
NUF2030XV6T1G
30 pF的（典型值） @ 2.5 V
NUF2042XV6T1G
42 pF的（典型值） @ 2.5 V
NUF2042XV6T1G
42 pF的（典型值） @ 2.5 V
SC-88
SOT-363
SC-88
=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。
SOT-363
=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。
NUF2240W1T1G
17 pF的（典型值） @ 2.5 V
NUF2240W1T1G
17 pF的（典型值） @ 2.5 V
下游过滤器
D+
O
D+
O
GND
GND
D-
O
D-
O
下游过滤器
R
S
15 k
R
S
15 k
15 k
15 k
D+
I
D+
I
V
公共汽车
V
公共汽车
D-
I
D-
I
安森美半导体的集成解决方案
由于提供有改进的插入损耗
较低的寄生效应相比分立式
该解决方案使用多个包。
0
-10
-20
增益（dB ）
-30
-40
-50
-60
-70
1.E+05
1.E+06
1.E+07
1.E+08
频率（Hz）
1.E+09
1.E+10
多种
分立器件
安森美半导体
集成芯片
解决方案
TSOP-6
NUF2101MT1G
55 pF的（典型值） @ 0 V
NUF2101MT1G
55 pF的（典型值） @ 0 V
=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。
TSOP-6
=符号表示2级互联无铅费（铅）含量。
第4页
NLAS7222A双路SPDT开关
<7 pF的开开关电容
NLAS7222A双路SPDT
WQFN -10封装
USB
收发器
选择
控制
ESD / EMI
滤波器
连接器
1.4 mm
1.4 mm
UART
选择
控制
1.8 mm
1
1
主要性能特点
通过USB 2.0高速信号
6.5
W
典型导通电阻@ 3.0 V
500 MHz带宽
低串扰： -45分贝@ 250兆赫
最小包装的行业
R
ON
最大
(W)
9
4.5
TYP
（PF ）
6.5
38
0.75 mm
0.55 mm
WQFN-10
uQFN-10*
设备
NLAS7222A
NLAS4717EP
*即将推出
CON组fi guration
双路SPDT
双路SPDT
包
WQFN -10， UDFN -10 *
倒装芯片10
安森美半导体
第5页
NUP4304MR6
低电容二极管
阵列的ESD保护
四条数据线
NUP4304MR6是一个微整合设备设计提供
保护免受可能有害的电子敏感元件
瞬变;例如， ESD（静电放电） 。
特点
http://onsemi.com
引脚配置
和原理图
低电容（之间，我1.5 pF最大/ O线）
单封装集成设计
提供ESD保护JEDEC JESD22标准
机型号= C类
人体模型= 3B类
保护IEC61000-4-2 （ 4级）
8.0千伏（联系）
15千伏（空气）
确保数据的线速度和完整性
更少的元件和电路板空间更少
直接瞬态无论是正面还是侧面向地面
USB 1.1和2.0数据线保护
T1 / E1二级保护IC
T3 / E3二级保护IC
HDSL ， IDSL二级保护IC
视频线路保护
微控制器输入保护
基站
I
2
C总线保护
无铅包装是否可用
等级
反向电压
正向电流
峰值正向浪涌电流
反向重复峰值电压
平均整流器前向编
电流（注1 ）
（平均超过任何20 ms周期）
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向电流
t = 1.0
ms
T = 1.0毫秒
T = 1.0秒
符号
V
R
I
F
I
FM （浪涌）
V
RRM
I
F（ AV ）
价值
70
200
500
70
715
单位
VDC
MADC
MADC
V
mA
6
5
I / O 1
V
P
2
1/O 3
6 I / O
5 V
N
4 I / O
标记图
4
3
应用
1
2
LG MG
G
TSOP6
CASE 318F
塑料
LG
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
最大额定值
（每个二极管） （T
J
= 25 ° C除非另有说明）
订购信息
设备
NUP4304MR6T1
NUP4304MR6T1G
包
TSOP6
航运
3000 /磁带&卷轴
TSOP - 6 3000 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
I
FRM
I
FSM
450
2.0
1.0
0.5
mA
A
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第1版
出版订单号：
NUP4304MR6/D
NUP4304MR6
热特性
特征
热阻结到环境
无铅焊锡温度
最大10秒的持续时间
结温
储存温度
符号
R
qJA
T
L
T
J
T
英镑
最大
556
260
-40至+85
-55到+150
单位
° C / W
°C
°C
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （每个二极管）
特征
开关特性
反向击穿电压（I
（ BR ）
= 100
毫安）
反向电压漏电流
(V
R
= 70 V直流）
(V
R
= 25伏直流，T
J
= 150°C)
(V
R
= 70伏直流，T
J
= 150°C)
V
（ BR ）
I
R
70
0.8
1.6
2.5
30
50
1.5
3
715
855
1000
1250
VDC
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
电容（ I / O引脚之间）
(V
R
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
电容（之间的I / O引脚和接地）
(V
R
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC ）
(I
F
= 10 MADC ）
(I
F
= 50 MADC ）
(I
F
= 150 MADC ）
C
D
C
D
V
F
pF
pF
mV
dc
1， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
http://onsemi.com
2
NUP4304MR6
曲线适用于每个阴极
100
IF ，正向电流（mA ）
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ，反向电流（ μA ）
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
，反向电压（伏）
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
，正向电压（伏）
1.2
0.001
图1.正向电压
1.75
CD ，二极管电容（PF ）
图2.漏电流
1.5
1.25
1.0
0.75
0
2
4
6
8
V
R
，反向电压（伏）
图3.电容
http://onsemi.com
3
NUP4304MR6
应用信息
该NUP4304MR6是一个低电容二极管阵列
旨在保护敏感的电子设备，如
通信系统，计算机和计算机
由于ESD事件或短暂的外围设备不受损坏
过压条件。因为它的低电容，它
可以用在高速I / O数据线。综合
在NUP4304MR6的设计提供额定浪涌，低
电容转向二极管集成在单个封装中
（ TSOP- 6）。如果一个瞬变状态时，所述转向
二极管将带动瞬态的正电源轨
电源或接地。
NUP4304MR6配置选项
该NUP4304MR6能够保护多达四个数据线
对瞬态过压条件，促使他们
一个固定的参考点用于夹紧的目的。转向
二极管将被正向偏置时的电压
保护线路电压超过参考电压（Vf或Vcc的+ Vf）的。
二极管将迫使瞬态电流绕过
敏感电路。
数据线的引脚1，3， 4和6的负极相连
参考连接引脚5该引脚必须连接
直接通过使用一个接地平面，以最大限度地减少对地
PCB的接地电感。这是非常重要的，以减少
PCB走线长度尽可能以最小化寄生
电感。
选项1
保护用的Vcc为参考4条数据线。
I / O 1
I / O 2
1
V
CC
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
选项2
保护的四个数据线和供电线用V
CC
作为一个参考和一个外部的TVS二极管。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
如果电源轨的附加保护是需要的，一个
外部TVS二极管可跨V添加
CC
和地面。
这将防止在电源轨的过压条件
保护电源和连接到它的其它电路。
选项3
保护的4条数据线与偏置和电源
隔离电阻。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
10 k
2
3
I / O 3
I / O 4
5
4
6
该NUP4304MR6可以从电源分离
通过引脚2和V之间连接一个串联电阻
CC
. A
10千瓦电阻被推荐用于此应用。这
将维持偏上的内部控向二极管，减少了
它们的电容。
对于此配置，则将管脚2直接到
正供电线（ Vcc的） ，数据线被参照的
电源电压。转向二极管偏置降低其
电容。
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4
NUP4304MR6
选项4
保护的4条数据线而不施力内部的
转向二极管。
I / O 1
I / O 2
1
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
5
NUP4304MR6等效电路
2
D1
D3
D5
D7
1
3
D2
4
D4
6
D6
D8
在应用中缺乏正电源参考一
外部TVS二极管可以被用作一个参考。对于这些
应用中， TVS连接销2与之间
接地平面。转向二极管会进行时
被保护线路上的电压超过其向前
电压与TVS二极管的工作电压（VC = Vf的
+ V
TVS
） 。在这种情况下，所述的有效电容
转向二极管会比如果一个偏压施加更高。
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5
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