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NUP4304MR6
低电容二极管
阵列的ESD保护
四条数据线
NUP4304MR6是一个微整合设备设计提供
保护免受可能有害的电子敏感元件
瞬变;例如, ESD(静电放电) 。
特点
http://onsemi.com
引脚配置
和原理图
低电容(之间,我1.5 pF最大/ O线)
单封装集成设计
提供ESD保护JEDEC JESD22标准
机型号= C类
人体模型= 3B类
保护IEC61000-4-2 ( 4级)
8.0千伏(联系)
15千伏(空气)
确保数据的线速度和完整性
更少的元件和电路板空间更少
直接瞬态无论是正面还是侧面向地面
USB 1.1和2.0数据线保护
T1 / E1二级保护IC
T3 / E3二级保护IC
HDSL , IDSL二级保护IC
视频线路保护
微控制器输入保护
基站
I
2
C总线保护
无铅包装是否可用
等级
反向电压
正向电流
峰值正向浪涌电流
反向重复峰值电压
平均整流器前向编
电流(注1 )
(平均超过任何20 ms周期)
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向电流
t = 1.0
ms
T = 1.0毫秒
T = 1.0秒
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
V
RRM
I
F( AV )
价值
70
200
500
70
715
单位
VDC
MADC
MADC
V
mA
6
5
I / O 1
V
P
2
1/O 3
6 I / O
5 V
N
4 I / O
标记图
4
3
应用
1
2
LG MG
G
TSOP6
CASE 318F
塑料
LG
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
最大额定值
(每个二极管) (T
J
= 25 ° C除非另有说明)
订购信息
设备
NUP4304MR6T1
NUP4304MR6T1G
TSOP6
航运
3000 /磁带&卷轴
TSOP - 6 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
I
FRM
I
FSM
450
2.0
1.0
0.5
mA
A
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年1月 - 第1版
出版订单号:
NUP4304MR6/D
NUP4304MR6
热特性
特征
热阻结到环境
无铅焊锡温度
最大10秒的持续时间
结温
储存温度
符号
R
qJA
T
L
T
J
T
英镑
最大
556
260
-40至+85
-55到+150
单位
° C / W
°C
°C
°C
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明) (每个二极管)
特征
开关特性
反向击穿电压(I
( BR )
= 100
毫安)
反向电压漏电流
(V
R
= 70 V直流)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
(V
R
= 70伏直流,T
J
= 150°C)
V
( BR )
I
R
70
0.8
1.6
2.5
30
50
1.5
3
715
855
1000
1250
VDC
MADC
符号
典型值
最大
单位
电容( I / O引脚之间)
(V
R
= 0 V , F = 1.0兆赫)
电容(之间的I / O引脚和接地)
(V
R
= 0 V , F = 1.0兆赫)
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
C
D
C
D
V
F
pF
pF
mV
dc
1, FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸
2.氧化铝= 0.4

0.3

0.024英寸99.5 %的氧化铝。
http://onsemi.com
2
NUP4304MR6
曲线适用于每个阴极
100
IF ,正向电流(mA )
T
A
= 85°C
10
T
A
= 40°C
IR ,反向电流( μA )
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
,反向电压(伏)
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
,正向电压(伏)
1.2
0.001
图1.正向电压
1.75
CD ,二极管电容(PF )
图2.漏电流
1.5
1.25
1.0
0.75
0
2
4
6
8
V
R
,反向电压(伏)
图3.电容
http://onsemi.com
3
NUP4304MR6
应用信息
该NUP4304MR6是一个低电容二极管阵列
旨在保护敏感的电子设备,如
通信系统,计算机和计算机
由于ESD事件或短暂的外围设备不受损坏
过压条件。因为它的低电容,它
可以用在高速I / O数据线。综合
在NUP4304MR6的设计提供额定浪涌,低
电容转向二极管集成在单个封装中
( TSOP- 6)。如果一个瞬变状态时,所述转向
二极管将带动瞬态的正电源轨
电源或接地。
NUP4304MR6配置选项
该NUP4304MR6能够保护多达四个数据线
对瞬态过压条件,促使他们
一个固定的参考点用于夹紧的目的。转向
二极管将被正向偏置时的电压
保护线路电压超过参考电压(Vf或Vcc的+ Vf)的。
二极管将迫使瞬态电流绕过
敏感电路。
数据线的引脚1,3, 4和6的负极相连
参考连接引脚5该引脚必须连接
直接通过使用一个接地平面,以最大限度地减少对地
PCB的接地电感。这是非常重要的,以减少
PCB走线长度尽可能以最小化寄生
电感。
选项1
保护用的Vcc为参考4条数据线。
I / O 1
I / O 2
1
V
CC
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
选项2
保护的四个数据线和供电线用V
CC
作为一个参考和一个外部的TVS二极管。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
如果电源轨的附加保护是需要的,一个
外部TVS二极管可跨V添加
CC
和地面。
这将防止在电源轨的过压条件
保护电源和连接到它的其它电路。
选项3
保护的4条数据线与偏置和电源
隔离电阻。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
10 k
2
3
I / O 3
I / O 4
5
4
6
该NUP4304MR6可以从电源分离
通过引脚2和V之间连接一个串联电阻
CC
. A
10千瓦电阻被推荐用于此应用。这
将维持偏上的内部控向二极管,减少了
它们的电容。
对于此配置,则将管脚2直接到
正供电线( Vcc的) ,数据线被参照的
电源电压。转向二极管偏置降低其
电容。
http://onsemi.com
4
NUP4304MR6
选项4
保护的4条数据线而不施力内部的
转向二极管。
I / O 1
I / O 2
1
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
5
NUP4304MR6等效电路
2
D1
D3
D5
D7
1
3
D2
4
D4
6
D6
D8
在应用中缺乏正电源参考一
外部TVS二极管可以被用作一个参考。对于这些
应用中, TVS连接销2与之间
接地平面。转向二极管会进行时
被保护线路上的电压超过其向前
电压与TVS二极管的工作电压(VC = Vf的
+ V
TVS
) 。在这种情况下,所述的有效电容
转向二极管会比如果一个偏压施加更高。
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5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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