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NUP4201DR2

低电容表面

山TVS用于高速

数据接口

该NUP4201DR2瞬态电压抑制器的设计

保护设备连接到高速通信线路从

ESD ， EFT ，和闪电。

特点

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SO- 8封装

峰值功率

500瓦8 ×20

ESD额定值：

SO- 8低电容

电压抑制器

500瓦峰值功率

6伏

引脚配置

和原理图

I / O 1 1

REF 1 2

REF 1 3

I / O 2 4

8 REF 2

7 I / O 4

6个I / O 3

5 REF 2

IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）

IEC 61000-4-4 （ EFT ） 40 A（ 5/50纳秒）

IEC 61000-4-5 （雷电） 25 A（ 8/20

女士）

UL防火等级的94 V- 0

无铅包装是否可用

典型应用

高速通信线路保护

USB电源线和数据线保护

视频线路保护

基站

HDSL ， IDSL次级IC侧保护

微控制器输入保护

SOIC8

CASE 751

塑料

最大额定值

等级

峰值功耗

8 x 20

@ T

= 25 ° C（注1 ）

结温和存储温度范围

无铅焊锡温度

最大10秒的持续时间

符号

, T

英镑

价值

500

+150

260

单位

°C

标记图

P4201

AYWWG

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.非重复性电流脉冲8 ×20

指数衰减波形

P4201 =器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

NUP4201DR2

NUP4201DR2G

包

SO8

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2008年

2008年8月，

启示录6

出版订单号：

NUP4201DR2/D

NUP4201DR2

电气特性

特征

反向击穿电压@ I

= 1.0毫安

反向漏电流@ V

RWM

= 5.0伏特

最大钳位电压@ I

= 1.0 A， 8 ×20

最大钳位电压@ I

= 10 A， 8 ×20

最大钳位电压@ I

= 25 A， 8 ×20

之间的I / O引脚和地@ DC偏置= 0 V ， 1.0 MHz的

之间的I / O引脚和I / O @ DC偏置= 0 V ， 1.0 MHz的

符号

电容

民

6.0

不适用

典型值

5.0

2.5

最大

9.8

5.0

单位

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

单向

（电路连接到引脚1和3或2和3）

符号

RWM

参数

最大反向峰值脉冲电流

钳位电压@ I

工作峰值反向电压

最大反向漏电流@ V

RWM

击穿电压@ I

测试电流

V的最大温度系数

正向电流

正向电压@ I

最大齐纳阻抗@ I

反向电流

最大齐纳阻抗@ I

RWM

单向TVS

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NUP4201DR2

典型特征

，反向击穿（V ）

，反向漏电流（毫安）

100

T，温度（ ° C）

150

200

100

150

200

T，温度（ ° C）

图1.反向击穿对比

温度

100

％的峰值脉冲电流

吨，时间（ ms）的

高峰值I

RSM

@ 8

脉冲宽度（T

）是德网络定义

因为这地步

峰值电流衰减= 8

半值我

RSM

/2 @ 20

，钳位电压（V ）

图2.反向漏抗

温度

，峰值脉冲电流（ A）

图3. 8 ×20

脉冲波形

图4.钳位电压与峰值脉冲

当前

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NUP4201DR2

应用信息

新NUP4201DR2是一个低电容TVS二极管

阵列旨在保护敏感的电子设备，如

通信系统，计算机和计算机

由于ESD事件或短暂的外围设备不受损坏

过压电压条件下。由于其低

电容，它可以在高速I / O数据线使用。该

在NUP4201DR2一体化设计提供额定浪涌，

低电容控向二极管和TVS二极管集成

在单个封装（SO -8）。如果一个短暂的情况发生时，

转向二极管将带动短暂的正电源轨

的电源或接地。 TVS器件保护

针对过压条件下的电源线，以避免

损坏电源和任何下游

组件。

NUP4201DR2配置选项

该NUP4201DR2能够保护多达四个数据线

对瞬态过压条件，促使他们

一个固定的参考点用于夹紧的目的。转向

二极管将被正向偏置时的电压

保护线路电压超过参考电压（Vcc + Vf）的。该

二极管将迫使瞬态电流绕过敏感

电路。

数据线的针脚1 ，图4，图6和7的负极相连

参考连接在引脚5和8必须将这些引脚

直接连接到接地用的接地平面，以

最大限度地减少了PCB的接地电感。这是很重要

减小PCB走线长度尽可能向

最大限度地减少寄生电感。

选项1

保护的4条数据线和使用该电源

的Vcc为参考。

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 4

选项2

保护的4条数据线与偏置和电源

隔离电阻。

I / O 1

I / O 2

10 K

I / O 3

I / O 4

图6 。

该NUP4201DR2可以从电源分离

通过连接销2和3和Vcc之间的串联电阻。

10 kW的电阻推荐这种应用。这

将维持偏压在内部瞬态和转向二极管

减少他们的电容。

选项3

使用内部的TVS二极管的4条数据线保护

作为参考。

I / O 1

I / O 2

图7 。

图5中。

对于这样的结构，直接连接管脚2和3的

正供电线（ Vcc的），数据线被参照的

电源电压。内部TVS二极管防止

过电压的电源轨。转向二极管偏置

降低它们的电容。

在应用中缺乏正电源参考或

这些案件中，一个完全隔离的电源

需要时，内部的TVS可以用作参考。为

这些应用中，引脚2和3没有连接。在这

配置方面，转向二极管将进行的时候

电压保护线路超过工作电压

在TVS加一个二极管压降（VC = VF + V

TVS

电源线的ESD保护

当使用二极管用于数据线路保护，要引用

一个电源轨提供了优势。偏置二极管

降低它们的电容，最大限度地减少信号失真。

实现这种拓扑结构与分立器件确实有

缺点。显示此配置如下：

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NUP4201DR2

动力

供应

ESDpos

受保护的数据线

设备

ESDpos

ESDneg

VF + V

-VF

网络连接gure 8 。

看上面的图中，可以看出的是，当

正ESD发生时，二极管D1将是向前

偏置而二极管D2将被正向偏置时，一

负ESD情况发生。对于较慢的瞬态

条件下，该系统可近似为如下：

对于正脉冲条件：

VC = VCC + VF

对于负脉冲条件：

Vc =

-VF

ESD事件可以具有上升时间的一些顺序上

纳秒数。在这些条件下，其效果

寄生电感必须加以考虑。的图示

这种表示法如下所示。

动力

供应

保护

设备

数据线

= V

+ Vf的+ （L diESD / dt的）

ESDneg

ESDpos

ESDneg

电感会提供短暂显著的好处

免疫力。

即使有良好的电路板布局，一些缺点仍然

当分立二极管用于抑制ESD介绍

横跨datalines和供电轨的事件。分立二极管

具有良好的瞬态功率能力将有较大的芯片和

因此，较高的电容。该电容变

问题是传输频率增加。减少

电容通常需要减少芯片尺寸。这些

小模头将具有更高的正向电压特性

典型的ESD瞬态电流水平。该电压组合

用更小的芯片会导致器件失效。

安森美半导体NUP4201DR2被开发

解决在使用中遇到的缺点

分立二极管的ESD保护。该器件集成了一个

内转向二极管的一个网络的TVS二极管。

ESDpos

图10. NUP4201DR2等效电路

在ESD情况下， ESD电流将被驱动

接地通过TVS二极管如下所示。

动力

供应

ESDpos

-vf -

（L diESD / DT ）

保护

设备

图9 。

数据线

钳位电压为这些快速的逼近

瞬变将是：

对于正脉冲条件：

的vc = Vcc的+ Vf的+ （L二

ESD

/ DT ）

对于负脉冲条件：

Vc =

-VF

- （L-二

ESD

/ DT ）

如图式中，所述钳位电压（ Vc）的不

仅依赖于所述转向二极管的Vf的同时也对

升二

ESD

/ dt的因素。一个相对小的走线电感可以

导致数百出现在电源轨的电压。这

危害都附连到电源和任何

该铁路。这凸显了良好的电路板的重要性

布局。同时注意尽量减少寄生效应

图11 。

在受保护的集成电路所产生的钳位电压，将

是：

VC = V

+ V

TVS

该TVS二极管的钳位电压，在提供

图4中，并且依赖于静电放电电流的大小。

转向二极管快速切换装置具有独特的

正向电压和低电容特性。

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