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NUP4114UPXV6
瞬态电压
抑制器
低电容ESD保护
高速数据
该NUP4114UPXV6瞬态电压抑制器的设计
防止ESD高速数据线。超低电容和
ESD保护的高电平使该器件非常适合于使用在
USB 2.0的应用程序。
特点
http://onsemi.com
6
1
SOT563
CASE 463A
P4MG
G
记号
低电容0.8 pF的
低钳位电压
关断电压: 5 V
低漏
保护以下IEC标准:
IEC 61000-4-2第4级ESD保护
UL防火等级的94 V- 0
这是一个Pb - Free设备
典型应用
1
P4 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
引脚配置
和原理图
I / O 1
V
N
2
I / O 3
6 I / O
5 V
P
4 I / O
高速通信线路保护
USB 2.0高速数据线路和电源线路保护
显示器和佛罗里达州的显示器
MP3
千兆以太网
笔记本电脑
数字视频接口( DVI )和HDMI
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
工作结温范围
存储温度范围
无铅焊锡温度
最大( 10秒)
人体模型( HBM )
机器模型( MM )
IEC 61000-4-2接触( ESD )
符号
T
J
T
英镑
T
L
ESD
价值
40
+125
55
+150
260
16000
400
13000
单位
°C
°C
°C
V
订购信息
设备
NUP4114UPXV6T1G
SOT563
(无铅)
航运
4000 /
磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
参见应用笔记AND8308 / D为进一步说明
生存性规范。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年9月
第1版
1
出版订单号:
NUP4114UPXV6/D
NUP4114UPXV6
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
P
pk
C
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
峰值功耗
马克斯。电容@ V
R
= 0且f = 1.0兆赫
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
*请参阅应用笔记AND8308 / D的详细解释
数据表中的参数。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
结电容
结电容
钳位电压
钳位电压
符号
V
RWM
V
BR
I
R
C
J
C
J
V
C
V
C
(注1 )
I
T
= 1毫安, (注2)
V
RWM
= 5 V
V
R
= 0 V , F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
V
R
= 0 V , F = 1 I / O引脚之间兆赫
@ I
PP
= 1 (注4 )
符合IEC 61000-4-2 (注5 )
图1和图2
0.8
0.4
6.0
1.0
1.0
0.5
11.2
条件
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
pF
pF
V
V
根据工作峰值反向电压1. TVS器件通常被选定(Ⅴ
RWM
) ,这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
2. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
每图3.非重复性电流脉冲
NO TAG
(引脚5到引脚2 )
按照图5 4.浪涌电流波形。
5.典型波形。对于测试过程参见图3和4及应用说明AND8307 / D转换。
图1. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2正8 kV接触
图2. ESD钳位电压截图
对于每IEC61000-4-2负8 kV接触
http://onsemi.com
2
NUP4114UPXV6
IEC 61000-4-2规格。
TEST
电压
(千伏)
2
4
6
8
第一个高峰
当前
(A)
7.5
15
22.5
30
电流
30纳秒(一)
4
8
12
16
电流
60纳秒(一)
2
4
6
8
我@ 60纳秒
10%
t
P
= 0.7 ns至1纳秒
我@ 30纳秒
IEC61000-4-2波形
I
PEAK
100%
90%
水平
1
2
3
4
图3. IEC61000-4-2规格
静电放电枪
TVS
示波器
50
W
电缆
50
W
图4图的ESD测试设置
以下是摘自应用笔记
AND8308/D
数据参数解读
对于ESD器件。
ESD电压钳位
对于敏感的电路元件是非常重要的,以限制
电压,一个集成电路的ESD事件期间将暴露于
到尽可能低的电压成为可能。该ESD钳位电压
是在整个ESD保护二极管上的电压降
按照IEC61000-4-2波形ESD事件。自从
IEC61000-4-2被写成一个合格/不合格规格较大
100
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
t
P
t
r
诸如蜂窝电话或膝上型计算机系统,它不
在规范中明确规定如何指定钳位电压
在设备级别。安森美半导体已经开发出一种方法
检查整个ESD整个电压波形
在ESD脉冲在时域中的保护二极管
形式的示波器屏幕截图,其中可以发现在
该数据表的所有的ESD保护二极管。欲了解更多
关于安森美半导体是如何创造这些信息
截图以及如何对其进行解释,请参考
AND8307/D.
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
40
吨,时间( ms)的
60
80
图5. 8 ×20
ms
脉冲波形
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3
NUP4114UPXV6
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
图6. 500 MHz的数据模式
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4
NUP4114UPXV6
应用信息
新NUP4114UPXV6是一个低电容TVS
二极管阵列旨在保护敏感的电子设备,如
通信系统,计算机和计算机
由于ESD事件或短暂的外围设备不受损坏
过压条件。因为它的低电容,它
可以在高速I / O数据线使用。综合
在NUP4114UPXV6的设计提供额定浪涌,低
电容控向二极管和TVS二极管集成在
单一封装( SOT - 563 ) 。如果一个短暂的情况发生时,
转向二极管将带动短暂的正电源轨
的电源或接地。 TVS器件保护
针对过压条件下的电源线,以避免
损坏电源和任何下游
组件。
NUP4114UPXV6配置选项
选项2
保护的4条数据线与偏置和电源
隔离电阻。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
10 k
该NUP4114UPXV6能够保护多达四个数据
对通过驱动瞬态过压条件下线路
它们用于夹紧目的的一个固定的参考点。该
控向二极管将被正向偏置时的电压
被保护线路上超过参考电压(V
f
or
V
CC
+ V
f
) 。二极管将迫使瞬态电流到
绕过敏感电路。
数据线的引脚1,3, 4和6的负极相连
参考连接引脚2。该引脚必须连接
直接通过使用一个接地平面,以最大限度地减少对地
PCB的接地电感。这是非常重要的,以减少
PCB走线长度尽可能以最小化寄生
电感。
选项1
该NUP4114UPXV6可以从电源分离
电源通过5脚之间连接一个串联电阻
V
CC
。 10 kW的电阻推荐这种应用。
这将保持在内部的TVS和转向的偏置
二极管,降低其容量。
选项3
使用内部的TVS二极管的4条数据线保护
作为参考。
I / O 1
I / O 2
1
2
3
6
5
4
NC
保护的4条数据线和使用该电源
V
CC
作为参考。
I / O 1
I / O 2
1
2
3
I / O 3
I / O 4
6
5
4
V
CC
I / O 3
I / O 4
在应用中缺乏正电源参考或
这些案件中,一个完全隔离的电源
需要时,内部的TVS可以用作参考。为
这些应用中,销5未连接。在这
配置方面,转向二极管将进行的时候
电压保护线路超过工作电压
在TVS加一个二极管压降(V
C
= V
f
+ V
TVS
).
电源线的ESD保护
对于此配置,连接引脚5直接到
正电源电压(V
CC
) ,数据线是参照
电源电压。内部TVS二极管防止
过电压的电源轨。转向二极管偏置
降低它们的电容。
当使用二极管用于数据线路保护,要引用
一个电源轨提供了优势。偏置二极管
降低它们的电容,最大限度地减少信号失真。
实现这种拓扑结构与分立器件确实有
缺点。显示此配置如下:
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
NUP4114UPXV6
ON/安森美
21+
8500
SOT563
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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