NUP4106
低电容表面
山TVS用于高速
数据接口
该NUP4106瞬态电压抑制器的目的是保护
从防静电设备连接到高速通信线路和
闪电。
特点
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SO- 8封装
峰值功率
500瓦8 ×20
mS
ESD额定值：
SO- 8低电容
电压抑制器
500瓦峰值功率
3.3伏特
引脚配置
和原理图
I / O 1 1
REF 1 2
REF 1 3
I / O 2 4
8 GND
7 I / O 4
6个I / O 3
5 GND
IEC 61000-4-2 （ ESD ） 15千伏（空气） 8千伏（接触）
UL防火等级的94 V- 0
这是一个Pb - Free设备
典型应用
高速通信线路保护
T1 / E1二级保护
T3 / E3二级保护
模拟视频保护
基站
I
2
C总线保护
8
最大额定值
等级
峰值功耗
8 x 20
mS
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
结温和存储温度范围
无铅焊锡温度
最大10秒的持续时间
IEC 61000-4-2
联系
空气
符号
P
pk
T
J
, T
英镑
T
L
ESD
价值
500
55
+150
260
±8
±15
单位
W
°C
°C
kV
1
SOIC8
CASE 751
塑料
标记图
8
P4106
AYWWG
G
1
A
Y
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.非重复性电流脉冲8 ×20
mS
指数衰减波形
针2/3到5/8针脚
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NUP4106DR2G
包
SO8
（无铅）
航运
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年2月
第0版
1
出版订单号：
NUP4106/D
NUP4106
应用信息
该NUP4106是一个低电容TVS二极管阵列
旨在保护敏感的电子设备，如
通信系统，计算机和计算机
由于ESD事件或短暂的外围设备不受损坏
过压条件。因为它的低电容，它
可以在高速I / O数据线使用。综合
在NUP4106的设计提供额定浪涌，低电容
转向二极管和一个TVS二极管集成在一个单一
封装（ SO- 8）。如果一个瞬变状态时，所述转向
二极管将带动瞬态的正电源轨
电源或接地。 TVS器件保护
针对过压条件下避免损坏电源线
到电源和其它下游部件。
NUP4106配置选项
该NUP4106能够保护多达四个数据线
对瞬态过压条件，促使他们
一个固定的参考点用于夹紧的目的。转向
二极管将被正向偏置时的电压
保护线路电压超过参考电压（Vf或
V
CC
+ VF ） 。二极管将迫使瞬态电流到
绕过敏感电路。
数据线的针脚1 ，图4，图6和7的负极相连
参考连接在引脚5和8必须将这些引脚
使用一个接地层直接连接到地
最大限度地减少了PCB的接地电感。这是很重要
减小PCB走线长度尽可能向
最大限度地减少寄生电感。
选项1
保护的4条数据线和使用该电源
V
CC
作为参考。
I / O 1
I / O 2
1
V
CC
2
3
4
I / O 3
I / O 4
8
7
6
5
I / O 3
I / O 4
选项2
保护的4条数据线与偏置和电源
隔离电阻。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
10 K
2
3
4
I / O 3
I / O 4
8
7
6
5
图4中。
该NUP4106可以从由电源分离
连接销2和3和V之间的串联电阻
CC
.
10 kW的电阻推荐这种应用。这
将维持偏压在内部瞬态和转向二极管
减少他们的电容。
选项3
使用内部的TVS二极管的4条数据线保护
作为参考。
I / O 1
I / O 2
1
NC
NC
2
3
4
8
7
6
5
图5中。
网络连接gure 3 。
对于这样的结构，直接连接管脚2和3的
正电源电压（V
CC
） 。数据线是参照
电源电压。内部TVS二极管防止
过电压的电源轨。转向二极管偏置
降低它们的电容。
在应用中缺乏正电源参考或
这些案件中，一个完全隔离的电源
需要时，内部的TVS可以用作参考。为
这些应用中，引脚2和3没有连接。在这
配置方面，转向二极管将进行的时候
电压保护线路超过工作电压
在TVS加一个二极管压降（VC = VF + V
TVS
).
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3
NUP4106
电源线的ESD保护
当使用二极管用于数据线路保护，要引用
一个电源轨提供了优势。偏置二极管减少
其电容量和最低的信号失真。
实现这种拓扑结构与分立器件确实有
缺点。显示此配置如下：
动力
供应
I
ESDpos
V
CC
D1
受保护的数据线
设备
I
ESDpos
I
ESDneg
D2
I
ESDneg
VF + V
CC
-VF
图6 。
看上面的图中，可以看出的是，当
正ESD发生时，二极管D1将是向前
偏置而二极管D2将被正向偏置，当负
ESD情况发生。对于较慢的瞬态条件下，这
系统可近似为如下：
对于正脉冲条件：
VC = V
CC
+ VF
D1
对于负脉冲条件：
Vc =
-VF
D2
ESD事件可以具有上升时间的一些顺序上
纳秒数。在这些条件下的效果
寄生电感，必须加以考虑。的图示
这种表示法如下所示。
动力
供应
V
CC
保护
设备
D1
数据线
D2
V
C
= V
CC
+ Vf的+ （L diESD / dt的）
I
ESDneg
I
ESDpos
I
ESDneg
I
ESDpos
升二
ESD
/ dt的因素。一个相对小的走线电感会导致
在数百名出现在电源轨的电压。这
危害都附连到电源和任何
该铁路。这凸显了良好的电路板布局的重要性。
同时注意尽量减少寄生电感效应
将提供瞬态抗扰度显著的好处。
即使有良好的电路板布局，一些缺点仍然
当分立二极管用于抑制ESD事件呈现
横跨datalines和电源轨。分立二极管具有良好的
瞬时功率能力将有较大的模具，因此
较高的电容。该电容成为问题，因为
传输频率增加。降低电容
通常需要减少芯片尺寸。这些小芯片会
在典型的ESD更高的正向电压特性
瞬态电流水平。这个电压加上
更小的芯片可能导致设备故障。
安森美半导体NUP4106被开发
克服缺点，使用分立时遇到
二极管的ESD保护。该器件集成了TVS
内转向二极管的一个网络二极管。
D1
D3
D5
D7
D2
D4
D6
D8
0
图8. NUP4106等效电路
在ESD情况下， ESD电流将被驱动
接地通过TVS二极管如下所示。
动力
供应
V
CC
D1
保护
设备
I
ESDpos
数据线
D2
V
C
=
-vf -
（L diESD / DT ）
图7 。
钳位电压为这些快速的逼近
瞬变将是：
对于正脉冲条件：
VC = V
CC
+ Vf的+ （L二
ESD
/ DT ）
对于负脉冲条件：
Vc =
-VF
- （L-二
ESD
/ DT ）
如图式中，所述钳位电压（ Vc）的不
仅依赖于所述转向二极管的Vf的同时也对
图9 。
在受保护的集成电路所产生的钳位电压，将
是：
VC = V
FD1
+ V
TVS
.
该TVS二极管的钳位电压，在提供
图2中，并且依赖于静电放电电流的大小。
转向二极管快速切换装置具有独特的
正向电压和低电容特性。
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