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NUP2201MR6
低电容TSOP- 6
二极管TVS阵列高
高速数据线路
保护
该NUP2201MR6瞬态电压抑制器的设计
防止ESD , EFT ,闪电高速数据线。
产品特点:
http://onsemi.com
低电容( 3 pF最大之间的I / O线)
ESD额定值3B类的(超过8千伏)每人体模型
和C类(超过400 V)每台机器型号
保护以下IEC标准:
IEC 61000-4-2 ( ESD ) 15千伏(空气) 8千伏(接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40 A( 5/50纳秒)
IEC 61000-4-5 (雷电) 23 A( 8/20
女士)
UL防火等级的94 V- 0
典型应用:
TSOP - 6低电容
TVS二极管阵列
500瓦峰值功率
6伏
引脚配置
和原理图
I / O 1
V
N
2
N / C 3
6 I / O
5 V
P
4 N / C
高速通信线路保护
USB 1.1和2.0电源和数据线保护
数字视频接口( DVI )
显示器和佛罗里达州的显示器
无铅包装是否可用
6
1
TSOP6
CASE 318G
塑料
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
峰值功耗
8 x 20
mS
@ T
A
= 25 ° C(注1 )
工作结温范围
存储温度范围
无铅焊锡温度 -
最大( 10秒)
人体模型( HBM )
机器模型( MM )
IEC 61000-4-2空气( ESD )
IEC 61000-4-2接触( ESD )
符号
P
pk
T
J
T
英镑
T
L
ESD
价值
500
-40到+125
-55到+150
235
16000
400
20000
20000
单位
W
标记图
°C
°C
°C
V
1
62 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
6
62 MG
G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
按照图1 1.非重复性电流脉冲(引脚5到引脚2 )
订购信息
设备
NUP2201MR6T1
TSOP6
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
NUP2201MR6T1G TSOP - 6
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年1月 - 第2版
出版订单号:
NUP2201MR6/D
NUP2201MR6
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
钳位电压
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
I
PP
C
J
C
J
(注2 )
I
T
= 1毫安, (注3)
V
RWM
= 5 V
I
PP
= 5 A(注4 )
I
PP
= 8 A(注4 )
8x20
ms
波形
V
R
= 0 V , F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
V
R
= 0 V , F = 1 I / O引脚之间兆赫
3.0
1.5
6.0
5.0
12.5
20
25
5.0
3.0
条件
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
V
V
A
pF
pF
根据工作峰值反向电压2. TVS器件通常被选定(Ⅴ
RWM
) ,这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
3. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
按照图1 4.非重复性电流脉冲(引脚5到引脚2 )
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
100
峰值功耗( % )
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
t
P
20
40
吨,时间( ms)的
60
80
T
A
,环境温度( ° C)
图1.脉冲降额曲线
5.0
结电容(pF )
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
I / O线
I / O-地
钳位电压( V)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
图2: 8
×
20
ms
脉冲波形
10
20
30
40
50
V
BR
,反向电压(V)的
峰值脉冲电流( A)
图3.结电容VS反向电压
图4.钳位电压与峰值脉冲电流
(8 x 20
ms
波形)
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2
NUP2201MR6
应用信息
该NUP2201MR6是一个低电容TVS二极管阵列
旨在保护敏感的电子设备,如
通信系统,计算机和计算机
由于ESD事件或短暂的外围设备不受损坏
过压条件。因为它的低电容,它
可以用在高速I / O数据线。综合
在NUP2201MR6的设计提供额定浪涌,低
电容控向二极管和TVS二极管集成在一个
单个封装( TSOP- 6)。如果一个短暂的情况发生时,
转向二极管将带动短暂的正电源轨
的电源或接地。 TVS器件保护
针对过压条件下的电源线,以避免
损坏电源和任何下游
组件。
NUP2201MR6配置选项
该NUP2201MR6能够保护两条数据线
对瞬态过压条件,促使他们
一个固定的参考点用于夹紧的目的。转向
二极管将被正向偏置时的电压
保护线路电压超过参考电压(Vf或Vcc的+ Vf)的。
二极管将迫使瞬态电流绕过
敏感电路。
数据线的引脚1和6负连接
参考连接引脚2。该引脚必须连接
直接通过使用一个接地平面,以最大限度地减少对地
PCB的接地电感。这是非常重要的,以减少
PCB走线长度尽可能以最小化寄生
电感。
选项1
保护的两条数据线和使用该电源
的Vcc为参考。
I / O 1
I / O 2
1
2
3
6
5
4
V
CC
选项2
保护的两条数据线与偏置和电源
隔离电阻。
I / O 1
I / O 2
V
CC
1
2
3
6
10 k
5
4
该NUP2201MR6可以从电源分离
通过连接销5和Vcc之间的串联电阻。一
10千瓦电阻被推荐用于此应用。这
将维持偏上的内部TVS和转向二极管,
减少他们的电容。
选项3
使用内部的TVS二极管的两条数据线的保护
作为参考。
I / O 1
I / O 2
1
2
3
6
5
4
NC
在应用中缺乏正电源参考或
这些案件中,一个完全隔离的电源
需要时,内部的TVS可以用作参考。为
这些应用中,销5未连接。在这
配置方面,转向二极管将进行的时候
电压保护线路超过工作电压
在TVS加一个二极管压降(VC = VF + V
TVS
).
电源线的ESD保护
当使用二极管用于数据线路保护,要引用
一个电源轨提供了优势。偏置二极管
降低它们的电容,最大限度地减少信号失真。
实现这种拓扑结构与分立器件确实有
缺点。显示此配置如下:
对于此配置,连接引脚5直接到
正供电线( Vcc的) ,数据线被参照的
电源电压。内部TVS二极管防止
过电压的电源轨。转向二极管偏置
降低它们的电容。
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3
NUP2201MR6
动力
供应
V
CC
I
ESDpos
受保护的数据线
设备
D1
I
ESDpos
I
ESDneg
D2
I
ESDneg
VF + V
CC
-VF
看上面的图中,可以看出的是,当
正ESD发生时,二极管D1将是向前
偏置而二极管D2将被正向偏置时,一
负ESD情况发生。对于较慢的瞬态
条件下,该系统可近似为如下:
对于正脉冲条件:
VC = VCC + VF
D1
对于负脉冲条件:
VC = -Vf
D2
ESD事件可以具有上升时间的一些顺序上
纳秒数。在这些条件下,其效果
寄生电感必须加以考虑。的图示
这种表示法如下所示。
动力
供应
V
CC
保护
设备
D1
数据线
D2
V
C
= V
CC
+ Vf的+ (L diESD / dt的)
I
ESDneg
I
ESDpos
I
ESDneg
电感会提供短暂显著的好处
免疫力。
即使有良好的电路板布局,一些缺点仍然
当分立二极管用于抑制ESD介绍
横跨datalines和供电轨的事件。分立二极管
具有良好的瞬态功率能力将有较大的芯片和
因此,较高的电容。该电容变
问题是传输频率增加。减少
电容通常需要减少芯片尺寸。这些
小模头将具有更高的正向电压特性
典型的ESD瞬态电流水平。该电压组合
用更小的芯片会导致器件失效。
安森美半导体NUP2201MR6被开发
解决在使用中遇到的缺点
分立二极管的ESD保护。该器件集成了一个
内转向二极管的一个网络的TVS二极管。
D1
D3
D2
D4
I
ESDpos
0
NUP2201MR6等效电路
在ESD情况下, ESD电流将被驱动
接地通过TVS二极管如下所示。
动力
供应
V
CC
D1
I
ESDpos
V
C
= -Vf - (L- diESD / dt的)
钳位电压为这些快速的逼近
瞬变将是:
对于正脉冲条件:
的vc = Vcc的+ Vf的+ (L二
ESD
/ DT )
对于负脉冲条件:
的vc = -Vf - (L-二
ESD
/ DT )
如图式中,所述钳位电压( Vc)的不
仅依赖于所述转向二极管的Vf的同时也对
升二
ESD
/ dt的因素。一个相对小的走线电感可以
导致数百出现在电源轨的电压。这
危害都附连到电源和任何
该铁路。这凸显了良好的电路板的重要性
布局。同时注意尽量减少寄生效应
保护
设备
数据线
D2
在受保护的集成电路所产生的钳位电压,将
是:
VC = V
F
+ V
TVS
.
该TVS二极管的钳位电压,在提供
图4中,并且依赖于静电放电电流的大小。
转向二极管快速切换装置具有独特的
正向电压和低电容特性。
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4
NUP2201MR6
典型应用
上游
USB端口
V
公共汽车
V
公共汽车
D+
D
GND
V
公共汽车
USB
调节器
R
T
R
T
V
公共汽车
NUP4201MR6
V
公共汽车
V
公共汽车
D+
D
GND
下游
USB端口
C
T
C
T
V
公共汽车
NUP2201MR6
V
公共汽车
R
T
D+
R
T
C
T
C
T
D
GND
下游
USB端口
ESD保护USB端口
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5
NUP2201MR6
低电容TSOP- 6
二极管TVS阵列高
高速数据线路
保护
该NUP2201MR6瞬态电压抑制器的设计
防止ESD , EFT ,和照明高速数据线。
产品特点:
http://onsemi.com
低电容( 3 pF最大之间的I / O线)
ESD额定值3B类的(超过8千伏)每人体模型
和C类(超过400 V)每台机器型号
保护以下IEC标准:
IEC 61000-4-2 ( ESD ) 15千伏(空气) 8千伏(接触)
IEC 61000-4-4 ( EFT ) 40 A( 5/50纳秒)
IEC 61000-4-5 (照明) 23 A( 8/20
女士)
UL防火等级的94 V- 0
典型应用:
TSOP - 6低电容
TVS二极管阵列
500瓦峰值功率
6伏
引脚配置
和原理图
I / O 1
V
N
2
N / C 3
6 I / O
5 V
P
4 N / C
高速通信线路保护
USB 1.1和2.0电源和数据线保护
数字视频接口( DVI )
显示器和佛罗里达州的显示器
无铅封装可用。在G-后缀是指一个
无铅无铅封装
6
1
TSOP6
CASE 318G
塑料
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
等级
峰值功耗
8 x 20
mS
@ T
A
= 25 ° C(注1 )
工作结温范围
存储温度范围
无铅焊锡温度 -
最大( 10秒)
人体模型( HBM )
机器模型( MM )
IEC 61000-4-2空气( ESD )
IEC 61000-4-2接触( ESD )
符号
P
pk
T
J
T
英镑
T
L
ESD
价值
500
-40到+125
-55到+150
235
16000
400
20000
20000
单位
W
标记图
°C
°C
°C
V
62 =具体设备守则
M
=日期代码
62
M
按照图1 1.非重复性电流脉冲(引脚5到引脚2 )
订购信息
设备
NUP2201MR6T1
TSOP6
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
NUP2201MR6T1G TSOP - 6
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2003
1
2003年11月 - 第1版
出版订单号:
NUP2201MR6/D
NUP2201MR6
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
反向工作电压
击穿电压
反向漏电流
钳位电压
钳位电压
最大峰值脉冲电流
结电容
结电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
I
PP
C
J
C
J
(注2 )
I
T
= 1毫安, (注3)
V
RWM
= 5 V
I
PP
= 5 A(注4 )
I
PP
= 8 A(注4 )
8x20
ms
波形
V
R
= 0 V , F = 1 I / O引脚与GND之间兆赫
V
R
= 0 V , F = 1 I / O引脚之间兆赫
3.0
1.5
6.0
5.0
12.5
20
25
5.0
3.0
条件
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
V
V
A
pF
pF
根据工作峰值反向电压2. TVS器件通常被选定(Ⅴ
RWM
) ,这应该是等于或大于直流
或连续峰值工作电压电平。
3. V
BR
测量在脉冲测试电流I
T
.
按照图1 4.非重复性电流脉冲(引脚5到引脚2 )
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
100
峰值功耗( % )
%的峰值脉冲电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
t
r
高峰值I
RSM
@ 8
ms
脉冲宽度(T
P
)是德网络定义
因为这地步
峰值电流衰减= 8
ms
半值我
RSM
/2 @ 20
ms
t
P
20
40
吨,时间( ms)的
60
80
T
A
,环境温度( ° C)
图1.脉冲降额曲线
5.0
结电容(pF )
4.5
钳位电压( V)
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
I / O线
I / O-地
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
图2: 8
×
20
ms
脉冲波形
10
20
30
40
50
V
BR
,反向电压(V)的
峰值脉冲电流( A)
图3.结电容VS反向电压
图4.钳位电压与峰值脉冲电流
(8 x 20
ms
波形)
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2
NUP2201MR6
包装尺寸
TSOP6
CASE 318G -02
ISSUE
A
L
6
5
1
2
4
3
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米。
3.最大引线厚度INCLUDES
铅涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。作者:
4.尺寸A和B不包括
塑模毛边,突出物,或门
毛刺。
MILLIMETERS
DIM MIN
最大
A
2.90
3.10
B
1.30
1.70
C
0.90
1.10
D
0.25
0.50
G
0.85
1.05
H
0.013 0.100
J
0.10
0.26
K
0.20
0.60
L
1.25
1.55
M
0
_
10
_
S
2.50
3.00
英寸
最大
0.1142 0.1220
0.0512 0.0669
0.0354 0.0433
0.0098 0.0197
0.0335 0.0413
0.0005 0.0040
0.0040 0.0102
0.0079 0.0236
0.0493 0.0610
0
_
10
_
0.0985 0.1181
S
B
D
G
M
0.05 (0.002)
H
C
K
J
焊接足迹*
2.4
0.094
1.9
0.075
0.95
0.037
0.95
0.037
0.7
0.028
1.0
0.039
图5. TSOP- 6
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
3
NUP2201MR6
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
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买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NUP2201MR6
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
NUP2201MR6
ON
2023+
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