NUF6406MN
低电容6号线
EMI滤波器与ESD
保护
此设备是6线EMI滤波器阵列的无线应用。
从频率得到大于-30 dB的衰减
800兆赫至2.4千兆赫。它还提供ESD保护,钳位
瞬变静电放电。 ESD保护所有提供
电容器。
特点
http://onsemi.com
1
Cd
Cd
12
EMI滤波和ESD保护
30个分立元件集成
符合IEC61000-4-2 (4级)
> 8.0千伏(联系)
DFN封装, 1.35× 3.0毫米
湿度敏感度等级1
ESD额定值:
机型号= C
人体模型= 3B
这是一个Pb - Free设备*
2
Cd
Cd
11
3
Cd
Cd
10
4
Cd
Cd
9
好处
5
Cd
Cd
8
降低上的数据线的EMI / RFI的排放
集成解决方案提供成本和节省空间的DFN封装
降低寄生电感它们提供一个更“理想”低通
滤波器响应
综合解决方案提高系统可靠性
兼容的足迹到BGA或倒装芯片封装
应用
6
Cd
Cd
7
( TOP VIEW )
EMI滤波和ESD保护数据线
无线电话
PDA和手持式产品
笔记本电脑
LCD显示器
1
2
3
4
5
6
记号
图
12
1
1
DFN12
CASE 506AD
64
06
MG
G
GND
6406 =具体设备守则
M
=月
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
12
11
10
9
8
(底视图)
7
设备
NUF6406MNT1G
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
包
DFN12
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年6月 - 第2版
出版订单号:
NUF6406MN/D
NUF6406MN
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
ESD放电IEC61000-4-2
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的(从1.8的情况下为10秒)
接触放电
符号
V
PP
T
OP
T
英镑
T
L
价值
8.0
-40到85
-55到150
260
单位
kV
°C
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大反向工作电压
击穿电压
漏电流
阻力
电容(注1及2 )
截止频率(注3 )
符号
V
RWM
V
BR
I
R
R
A
Cd
f
3dB
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.0 V
I
R
= 20毫安
V
R
= 2.5 V , F = 1.0 MHz的
上面的这个频率,
明显的衰减发生
85
100
13
138
6.0
7.0
1.0
115
16
测试条件
民
典型值
最大
5.0
单位
V
V
mA
W
pF
兆赫
1,测量温度为25 ° C,V
R
= 2.5 V , F = 1.0兆赫。
2.总线电容是2倍的二极管电容(镉) 。
3. 50
W
源和50
W
负载端接。
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2
NUF6406MN
包装尺寸
DFN12 3.0 * 1.35 * 0.85
CASE 506AD -01
本期
0.15 C
A
B
D
(A3)
注意事项:
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸b适用于PLATED
终端和测量之间
0.25和0.30毫米端子。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
5.暴露焊盘连接DIE标志。
作为试验联系。
MILLIMETERS
民
最大
0.80
1.00
0.00
0.05
0.20 REF
0.18
0.30
3.00 BSC
2.10
2.30
1.35理学士
0.20
0.40
0.50 BSC
0.20
0.20
0.40
2X
E
2X
暴露铜
0.15 C
销1
参考
顶视图
0.10 C
12 X
(A3)
A
0.08 C
2X
0.2 X 0.25 MM
注5
12 X
SIDE VIEW
A1
D2
1
座位
飞机
C
暗淡
A
A1
A3
b
D
D2
E
E2
e
K
L
L
e
裸露焊盘
6
E2
12 X
K
12
7
12 X
b
焊接足迹*
2.352
0.093
底部视图
0.10 C A B
0.05 C
注3
0.351
0.014
0.265
0.01
0.479
0.019
尺度16:1的
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
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与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
电话:
81357733850
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
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有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
NUF6406MN/D
NUF6406MN
6通道EMI滤波器
集成ESD保护
该NUF6406MN是一个六声道( C-R - C)的皮式EMI滤波器
阵列集成的ESD保护。其典型的组件值
R = 100
W
且C = 13 pF的交付138 MHz的截止频率,并
阻带衰减大于
30
分贝从800MHz到2.4GHz的。
这种性能使该器件非常适合与并行接口
数据速率高达92 Mbps的应用中,无线干扰
必须最小化。指定的衰减范围是非常有效的
在尽量减少2G / 3G , GPS,蓝牙和干扰
WLAN信号。
该NUF6406MN是在低调的12导联1.35毫米可用
X 3.0毫米DFN12表面贴装封装。
特点/优势
http://onsemi.com
记号
图
1
1
DFN12
CASE 506AD
64
06
MG
G
12
±8.0
kV ESD保护每个通道( IEC61000-4-2第4级,
接触放电)
100 R / C值
W
和13 pF的提供卓越的性能S21
138兆赫的F特性
3dB
和
30
分贝的阻带衰减
从800MHz到2.4GHz的
在DFN封装提供集成的EMI / ESD系统解决方案
卓越的成本,系统可靠性和节省空间
这是一个Pb - Free设备
应用
6406 =具体设备守则
M
=月
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
NUF6406MNT1G
包
DFN12
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
EMI滤波LCD和相机数据线
EMI滤波和保护I / O端口和键盘
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
0
5
10
15
S21 ( dB)的
滤波器+ ESD
n
R=100
W
C
d
= 13 pF的
d
= 13 pF的
请参考表1引脚说明
滤波器+ ESD
n
20
25
30
35
40
45
1.E+06
1.E+07
1.E+08
频率(Hz)
1.E+09
1.E+10
图1.电气原理图
图2.插入损耗特性
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年8月
启5
1
出版订单号:
NUF6406MN/D
NUF6406MN
1
2
3
4
5
6
GND
12
11
10
9
8
(底视图)
7
图3.引脚图
表1.引脚功能说明
滤波器
滤波器1
滤波器2
过滤器3
滤波器4
滤波器5
过滤器6
地垫
器件引脚
1 & 12
2 & 11
3 & 10
4&9
5&8
6&7
GND
过滤+ ESD频道1
过滤+ ESD频道2
过滤+ ESD频道3
过滤+ ESD频道4
过滤+ ESD频道5
过滤+ ESD频道6
地
描述
最大额定值
参数
ESD放电IEC61000-4-2
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的(从1.8的情况下为10秒)
接触放电
符号
V
PP
T
OP
T
英镑
T
L
价值
8.0
40
85
55
150
260
单位
kV
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
最大反向工作电压
击穿电压
漏电流
阻力
二极管电容
线路电容
3分贝截止频率(注1 )
6分贝截止频率
1. 50
W
源和50
W
负载端接。
符号
V
RWM
V
BR
I
R
R
A
C
d
C
L
f
3dB
f
6dB
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.0 V
I
R
= 20毫安
V
R
= 2.5 V , F = 1.0 MHz的
V
R
= 2.5 V , F = 1.0 MHz的
上面的这个频率,
明显的衰减发生
上面的这个频率,
明显的衰减发生
85
100
13
26
138
205
6.0
7.0
1000
115
16
32
测试条件
民
典型值
最大
5.0
单位
V
V
nA
W
pF
pF
兆赫
兆赫
http://onsemi.com
2