NUF2900MN
两线EMI滤波器
ESD保护
高速数据接口
NUF2900MN是一个两线EMI滤波器与ESD保护设计
用于高速数据接口。它提供大于-30 dB的衰减
在同时支持数据速率为800 MHz到6.0 GHz的频率
高达250 Mbps的（ 125兆赫） 。
1
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8
特点
提供EMI滤波和ESD保护
最大数据传输速率高达250 Mbps的
最大ESD额定值：
5.0千伏（联系）
DFN8 ， 2×2毫米的封装
湿度敏感度等级1
ESD额定值：机器型号= C
人体模型= 3B
这是一个Pb - Free设备*
4
5
（ TOP VIEW ）
应用
记号
图
DFN8
CASE 506AA
塑料
1
4
U9 M
G
G
EMI滤波和ESD保护高速数据接口
串行器/解串器
摄像头成像接口
高分辨率彩色LCD显示屏
1
U9 =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
OUT1
NC
NC
OUT2
8
7
GND
6
5
1
2
3
4
IN1
NC
NC
IN2
（底视图）
订购信息
设备
NUF2900MNT1G
包
DFN8
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年4月 - 修订版0
出版订单号：
NUF2900MN/D
NUF2900MN
最大额定值
参数
ESD放电IEC61000-4-2
工作温度范围
存储温度范围
最大的铅焊接温度的目的（从1.8的情况下为10秒）
接触放电
符号
V
PP
T
OP
T
英镑
T
L
价值
5.0
-40到85
-55到150
260
单位
kV
°C
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大反向工作电压
击穿电压
漏电流
阻力
有效电容（注1 ）
电感
电容（注2 ）
截止频率（注3 ）
上面的这个频率，
明显的衰减发生
I
R
= 1.0毫安
V
RWM
= 3.3 V
测试条件
符号
V
RWM
V
BR
I
R
R
A
C
EFF
L
C
LINE
f
3dB
3.6
10.4
22.1
33
350
6.0
7.0
民
典型值
最大
5.0
8.3
0.1
5.0
单位
V
V
mA
W
pF
nH
pF
兆赫
1.请参阅下面的“有效电容计算” 。
2.在25 ° C，V
R
= 0 V ， F = 1.0兆赫。
3. 50
W
源和50
W
负载端接。
有效电容的计算
该NUF2900MN的电容可以被确定
多种方法。当评价使用低频率，低
电容电流测量设备
LINE
（行
电容），它被确定为大约33 pF的。
当在有信号的上升和下降次数的系统中使用
1纳秒以下C
有效
（等效电容） ，这是更接近
10.4 pF的。
如果信号的上升和下降时间被确定
该NUF2900MN的电容，那么一个“有效”的
电容可以用下面的函数来计算
基于简单的“RC”的组合。
V
OUT
+
V
IN
*
t
R
终止
C
有效
1
*
e
CEffective
+
R
*
t
VOUT
1 LN
*
V
IN
*
1.08ns
CEffective
+
50 LN （ 1
*
0.88)
NUF2900MN
R
来源
+
C
有效
V
来源
R
终止
V
IN
V
OUT
上升时间“T”是用V约1.08纳秒
OUT
V 88 ％
IN
其中，所述网络的阻抗为50
W.
当
求解C
有效
时，电容被发现是
10.4 pF的。
如果该数据信号源有一个上升和下降时间慢于
1纳秒，则NUF2900MN将有一个滤波输出与
类似的上升和下降时间。
有效
将相应规模
作为上升/下降时间增加，直至达到
LINE
.
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NUF2900MN
包装尺寸
DFN8
CASE 506AA -01
版本D
D
A
B
注意事项：
1.尺寸和公差PER
ASME Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸b适用于PLATED
终端和测量之间
0.25和0.30毫米端子。
4的共面适用于暴露
PAD以及端子。
MILLIMETERS
民
最大
0.80
1.00
0.00
0.05
0.20 REF
0.20
0.30
2.00 BSC
1.10
1.30
2.00 BSC
0.70
0.90
0.50 BSC
0.20
0.25
0.35
销1
参考
2X
0.10 C
2X
0.10 C
0.10 C
8X
0.08 C
座位
飞机
A1
8X
L
K
安森美半导体
和
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D2
e/2
1
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顶视图
暗淡
A
A1
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b
D
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E2
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K
L
A
SIDE VIEW
(A3)
C
e
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E2
5
8X
b
0.10 C A B
0.05 C
注3
底部视图
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