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5 V继电器驱动器插槽
双极继电器驱动器
插座 - NUD3105
振子
汽车
12 V继电器驱动器插槽
MOSFET继电器驱动器
插座 - NUD3112
阀门
接力
微处理器
微处理器
24 V继电器驱动器插槽
MOSFET继电器驱动器
插座 - NUD3124
窗口
接力
开关
微处理器
最继电器安装到印刷电路板
需要的继电器驱动电路!
可用继电器驱动电路
特点
集成二极管,电阻器和电容器
成一个电路
提供额外的电流至所述继电器线圈
并防止ESD
Meets IEC61000-4-4 Electrical Fast Tran-
过性(EFT)测试标准
设备
MDC3105
MDC3105D
NUD3105
NUD3105D
NUD3112
NUD3112D
NUD3124
NUD3124D
NUD3160
NUD3160D
NUD3048
CON组fi guration
单身
单身
单身
单身
单身
单身
电路类型*
双极钳
双极钳
MOSFET
MOSFET
双极续流
双极续流
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
MOSFET
电压/电流
5 V / 500 mA
5 V / 500 mA
5 V / 500 mA
5 V / 500 mA
12 V / 500 mA
12 V / 500 mA
24 V / 150 mA
24 V / 150 mA
60 V / 150 mA
60 V / 150 mA
100 V / 900 mA
SOT-23
SC-74
SOT-23
SC-74
SOT-23
SC-74
SOT-23
SC-74
SOT-23
SC-74
SC-74
应用
汽车与机电继电器:
utomotive车窗和门锁
A
onsumer电器,电子和玩具
C
ELECOM调制解调器
T
*双极:所述驱动电路包括一个晶体管加上电阻器和二极管。
MOSFET :所述驱动电路包括一个MOSFET的结合电阻和二极管。
销售和设计帮助安森美半导体
北美销售办事处&代表公司
阿拉巴马州
亚利桑那
美国加州
亨茨维尔
亨茨维尔
凤凰
圣克拉拉
欧文
圣地亚哥
所有地区
恩格尔伍德
梦露
博卡拉顿
玛丽湖
种植园
棕榈港
墨尔本
德卢斯
霍夫曼庄园
渔民
科科莫
锡达拉皮兹
欧弗兰帕克
哥伦比亚
伯灵顿
洛厄尔
利福尼亚
伊甸草原
圣查尔斯
丹维尔
长岛
纽约市
罗切斯特
宾厄姆顿
布雷克斯维尔
波特兰
Hatboro
奥斯汀
理查德森
贝尔维尤
全州
电子元器件
销售办事处
指南针西南
T3 Technical Sales
指南针西南
指南针西南
雅达
销售办事处
影响技术销售
电子元器件
电子元器件
销售办事处
电子元器件
电子元器件
电子元器件
斯坦服装店
熊VAI
销售办事处
斯坦服装店
斯坦服装店
三波解
影响技术销售
销售办事处
销售办事处
斯坦服装店
斯坦服装店
CJR协会
CJR协会
CJR协会
三技术
三技术
熊VAI
SiFore技术销售
台达技术销售
西协会
西协会
SiFore技术销售
斯坦服装店
(256) 533-2444
(256) 774-1004
(480) 763-0968
(408) 350-3900
(949) 580-0270
(858) 635-5959
(905) 607-1444
卡尔·希尔: ( 720 ) 895-1367
迈克·巴罗: ( 303 ) 670-8000
(203) 268-7229
(561) 289-1379
(407) 804-0042
(954) 325-1223
(727) 937-3016
(321) 676-5659
(678) 380-5080
(847) 781-4010
(317) 570-0707
(765) 865-2091
(319) 393-1576
(913) 894-1675
(410) 290-5990
(781) 238-8888
(978) 452-6075
(734) 953-6848
(952) 944-3456
(636) 916-3777
(973) 625-2796
(973) 625-2796
(973) 625-2796
(716) 385-6500
(607) 722-3580
(937) 748-1341
(503) 977-6267
(215) 957-0600
(512) 343-1199
(972) 680-2800
(425) 990-4701
(847) 781-4010
加拿大
科罗拉多州
康涅狄格州
佛罗里达
WW瓦特在发E MI .COM
安森美半导体分销合作伙伴
所有的美国
艾睿电子
安富利
芯片供应
向Digi-Key
EBV Elektronik公司
派睿电子InOne公司
富昌电子欧洲
未来& FAI电子
明科
在Mouser Electronics
纽瓦克电子
罗彻斯特电子有限公司
半骰子公司
硅(一种安富利公司)
Spoerle
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www.futureelectronics.com/contact
www.futureelectronics.com/contact
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www.semidice.com
www.silica.com
www.spoerle.de/de/about/offices
(800) 573-2727
(800) 777-2776
(800) 332-8638
(407) 298-7100
(800) 338-1003
(49) 8121 774-0
+44 8701 200 200
info-eur-future@futureelectronics.com
1-800-FUTURE1 (388-8731)
(512) 834-2022
(800) 346-6873
(800) 4-NEWARK
(978) 462-9332
1 (800) 345-6633
+33 1 6447 2929
+49 6103 3040
格鲁吉亚
伊利诺伊州
印地安那
爱荷华州
堪萨斯州
马里兰州
马萨诸塞州
密歇根州
明尼苏达州
密苏里州
新泽西州
纽约
俄亥俄州
俄勒冈州
宾夕法尼亚
得克萨斯州
华盛顿
威斯康星州
国际
巴西
中国
圣保罗
北京
成都
深圳
上海
巴黎
慕尼黑
(55-11) 3842-8911
86-10-8518-2323
86-28-8678-4078
86-755-8209-1128
86-21-5131-7168
33 (0)1 39-26-41-00
49 (0) 89-93-0808-0
国际
香港
印度
以色列
意大利
日本
韩国
马来西亚
法国
德国
香港
班加罗尔
荷兹利亚
米兰
东京
汉城
槟城
852-2689-0088
91-80-2532-5084
972 (0) 9-9609-111
39 02-530-0951
81-3-5773-3850
82-2-2190-3500
60-4-226-9368
国际
墨西哥
新加坡
斯洛伐克
台湾
英国
瓜达拉哈拉
新加坡
皮耶什佳尼
台北
泥沼
(5233) 3123-9199
65-6391-1260
(421) 33 790 2320
886-2-2377-9911
44 (0) 1296-610400
安森美半导体和ON徽标是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。 SCILLC不作任何保证,声明或担保
关于其产品适用于任何特定用途,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于特殊,间接或
附带损失。这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有的操作参数,包括“典型”必须进行验证
每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权使用的组件用于外科植入系统
进入人体,或用于支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡的其他应用程序。如果买方购买或使用SCILLC产品用于任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用,以及所产生的合理的律师费,直接或
间接的,人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称, SCILLC就设计或制造零件的疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。这
文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
电话: 303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真: 303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件: orderlit@onsemi.com
SGD525-0美国印刷08/06 IRONWOOD XXXX 5K
N.美国技术支持: 800-282-9855免费电话
美国/加拿大。
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学: http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
SGD525/D
NUD3124
汽车感性负载
司机
这MicroIntegrationt部分提供了一个单一的组件解决方案
切换感性负载,如继电器,螺线管和小DC
如果电动机没有一个续流二极管的需要。它接受逻辑
电平的输入,从而允许它由大量的各种设备的驱动
包括逻辑门电路,逆变器和微控制器。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
JW6 MG
G
提供直流继电器线圈和敏感之间强大的接口
逻辑
能够驱动继电器线圈额定功率高达150 mA的12伏特
替换3或4分立元件的成本更低
内部稳压器无需为续流二极管
会见负载突降和其他汽车规格
无铅包可用
JW6 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
典型应用
汽车和工业环境
驾驶窗,锁,门,继电器天线
好处
6
1
SC74
CASE 318F
风格7
JW6 MG
G
减少PCB空间
标准化驱动继电器的宽范围
简化电路设计和PCB布局
符合汽车要求
JW6 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
NUD3124LT1
NUD3124LT1G
NUD3124DMT1
NUD3124DMT1G
SOT23
SOT23
(无铅)
SC74
SC74
(无铅)
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
内部电路图
漏极(3)
漏(6)
漏极(3)
门(1)
10 k
100 K
门(2)
10 k
100 K
10 k
100 K
门(5)
源(2)
CASE 318
源(1)
资料来源( 4 )
CASE 318F
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年11月 - 10牧师
出版订单号:
NUD3124/D
NUD3124
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
E
Z
漏极至源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
栅极 - 源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
漏电流 - 连续
(T
J
= 125°C)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
峰值功耗,漏极 - 源极(注1及2 )
(T
J
初步= 85°C )
抛负载脉冲抑制,漏 - 源极(注3和4 )
(抑制波形: V
s
= 45 V ,R
来源
= 0.5
W,
T = 200毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态1 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 10
W,
T为2.0毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态2 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 4.0
W,
T = 50
女士)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
反向电池, 10分钟(漏 - 源)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更多)
双电压跳开始, 10分钟(漏 - 源)
人体模型( HBM )
根据EIA / JESD22 / A114规格
等级
价值
28
12
150
250
单位
V
V
mA
mJ
P
PK
E
LD1
20
80
W
V
E
LD2
100
V
E
LD3
300
V
REV -BAT
双伏
ESD
14
28
2,000
V
V
V
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值(不正常的操作条件),并同时无效。如果超出这些限制,设备功能操作不暗示,
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.非重复性电流脉冲方波, 1.0毫秒的时间。
2.对于不同的方波脉冲持续时间,见图2 。
3.非重复性负载突降抑制按照图3脉冲。
4.对于继电器的线圈/电感负载高于80
W,
参见图4 。
热特性
符号
T
A
T
J
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
工作环境温度
最高结温
存储温度范围
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
热阻结到环境(注5 )
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
-40至125
150
-65到150
225
1.8
380
3.0
556
329
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
5.安装在最小焊盘板。
http://onsemi.com
2
NUD3124
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极耐受电压
(I
D
= 10 mA)的
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
基本特征
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA)的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安,T
J
= 125°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V ,T
J
= 125°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
正向跨导
(V
DS
= 12 V,I
D
= 150 mA)的
动态特性
输入电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
输出电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
传输电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
开关特性
传播延迟时间:
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
转换时间:
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
ns
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
890
912
324
1280
ns
t
f
t
r
t
f
t
r
2086
708
556
725
西塞
科斯
CRSS
32
21
8.0
pf
pf
pf
V
GS ( TH)
1.3
1.3
R
DS ( ON)
I
DS ( ON)
150
140
g
FS
200
500
mmho
1.4
1.7
0.8
1.1
mA
1.8
2.0
2.0
W
V
V
BRDSS
I
DSS
I
GSS
60
80
90
110
0.5
1.0
50
80
mA
28
34
38
V
mA
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
3
NUD3124
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
IH
V
in
50%
0V
t
PHL
90%
V
OUT
50%
10%
V
OL
t
r
t
PLH
V
OH
t
f
图1.开关波形
25
P
pk
,峰值浪涌功率( W)
20
15
10
5
0
1
10
P
W
,脉冲宽度(毫秒)
100
图2.最大非重复浪涌
功率与脉冲宽度
抛负载脉冲不抑制:
V
R
= 13.5 V额定
±10%
V
S
= 60 V额定
±10%
T = 300 ms的名义
±10%
T
R
= 1 - 10毫秒
±10%
抛负载脉冲抑制:
注:最大。电压的DUT暴露是
注意:
大约45 V.
V
S
= 30 V
±20%
T = 150毫秒
±20%
T
R
90%
峰值的10%;
参考= V
R
, I
R
10%
V
R
, I
R
VS
T
图3.抛负载波形定义
http://onsemi.com
4
NUD3124
140
I
DSS
,漏极漏电流(毫安)
V
S
,负载突降(伏)
14
12
10
V
DS
= 28 V
8
6
4
2
0
50
25
0
25
50
75
100
125
120
100
80
60
40
80 110
140
170
200
230
260
290
320 350
继电器线圈( W)
T
J
,结温( ° C)
图4.抛负载能力与
继电器线圈的直流电阻
图5.漏极 - 源极与漏
结温
80
BV
DSS
击穿电压( V)
I
GSS
栅极漏电流(毫安)
70
60
V
GS
= 5 V
50
40
V
GS
= 3 V
30
20
50
34.8
34.6
34.4
34.2
34.0
33.8
33.6
33.4
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 10毫安
25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.栅极 - 源极与漏
结温
图7.击穿电压与结
温度
1
0.01
V
GS
= 5 V
I
D
漏电流( A)
1
V
DS
= 0.8 V
0.1
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
125
°C
I
D
漏电流( A)
0.01
0.001
1E04
85
°C
25
°C
40
°C
1E06
V
GS
= 1 V
1E04
1E05
1E06
1E08
1E10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1E07
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.输出特性
图9.传输功能
http://onsemi.com
5
NUD3124
汽车感性负载
司机
这MicroIntegrationt部分提供了一个单一的组件解决方案
切换感性负载,如继电器,螺线管和小DC
如果电动机没有一个续流二极管的需要。它接受逻辑
电平的输入,从而允许它由大量的各种设备的驱动
包括逻辑门电路,逆变器和微控制器。
特点
http://onsemi.com
提供直流继电器线圈和敏感之间强大的接口
逻辑
能够驱动继电器线圈额定功率高达150 mA的12伏特
替换3或4分立元件的成本更低
内部稳压器无需为续流二极管
会见负载突降和其他汽车规格
无铅包装是否可用
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
标记DIAGRAMS
JW6
JW6 =具体设备守则
D
=日期代码
典型应用
汽车和工业环境
驾驶窗,锁,门,继电器天线
好处
6
1
SC74
CASE 318F
风格7
JW6
减少PCB空间
标准化驱动继电器的宽范围
简化电路设计和PCB布局
符合汽车要求
内部电路图
漏极(3)
漏(6)
JW6 =具体设备守则
D
=日期代码
漏极(3)
门(1)
10 k
100 K
门(2)
10 k
100 K
10 k
100 K
门(5)
源(2)
CASE 318
源(1)
资料来源( 4 )
CASE 318F
订购信息
设备
SOT23
SOT23
(无铅)
SC74
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
NUD3124LT1
NUD3124LT1G
NUD3124DMT1
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年6月 - 8版本
出版订单号:
NUD3124/D
NUD3124
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
E
Z
漏极至源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
栅极 - 源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
漏电流 - 连续
(T
J
= 125°C)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
峰值功耗,漏极 - 源极(注1及2 )
(T
J
初步= 85°C )
抛负载脉冲抑制,漏 - 源极(注3和4 )
(抑制波形: V
s
= 45 V ,R
来源
= 0.5
W,
T = 200毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态1 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 10
W,
T为2.0毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态2 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 4.0
W,
T = 50
女士)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
反向电池, 10分钟(漏 - 源)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更多)
双电压跳开始, 10分钟(漏 - 源)
人体模型( HBM )
根据EIA / JESD22 / A114规格
等级
价值
28
12
150
250
单位
V
V
mA
mJ
P
PK
E
LD1
20
80
W
V
E
LD2
100
V
E
LD3
300
V
REV -BAT
双伏
ESD
1.
2.
3.
4.
14
28
2,000
V
V
V
非重复性电流脉冲方波, 1.0毫秒的时间。
对于不同的方波脉冲持续时间,见图2 。
非重复性负载突降抑制按照图3脉冲。
对于继电器的线圈/电感负载高于80
W,
参见图4 。
热特性
符号
T
A
T
J
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
工作环境温度
最高结温
存储温度范围
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
热阻结到环境(注5 )
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
-40至125
150
-65到150
225
1.8
380
3.0
556
329
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
5.安装在最小焊盘板。
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2
NUD3124
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极耐受电压
(I
D
= 10 mA)的
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
基本特征
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA)的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安,T
J
= 125°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V ,T
J
= 125°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
正向跨导
(V
DS
= 12 V,I
D
= 150 mA)的
动态特性
输入电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
输出电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
传输电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
开关特性
传播延迟时间:
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
转换时间:
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
ns
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
890
912
324
1280
ns
t
f
t
r
t
f
t
r
2086
708
556
725
西塞
科斯
CRSS
32
21
8.0
pf
pf
pf
V
GS ( TH)
1.3
1.3
R
DS ( ON)
I
DS ( ON)
150
140
g
FS
200
500
mmho
1.4
1.7
0.8
1.1
mA
1.8
2.0
2.0
W
V
V
BRDSS
I
DSS
I
GSS
60
80
90
110
0.5
1.0
50
80
mA
28
34
38
V
mA
符号
典型值
最大
单位
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3
NUD3124
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
IH
V
in
50%
0V
t
PHL
90%
V
OUT
50%
10%
V
OL
t
r
t
PLH
V
OH
t
f
图1.开关波形
25
P
pk
,峰值浪涌功率( W)
20
15
10
5
0
1
10
P
W
,脉冲宽度(毫秒)
100
图2.最大非重复浪涌
功率与脉冲宽度
抛负载脉冲不抑制:
V
R
= 13.5 V额定
±10%
V
S
= 60 V额定
±10%
T = 300 ms的名义
±10%
T
R
= 1 - 10毫秒
±10%
抛负载脉冲抑制:
注:最大。电压的DUT暴露是
注意:
大约45 V.
V
S
= 30 V
±20%
T = 150毫秒
±20%
T
R
90%
峰值的10%;
参考= V
R
, I
R
10%
V
R
, I
R
VS
T
图3.抛负载波形定义
http://onsemi.com
4
NUD3124
140
I
DSS
,漏极漏电流(毫安)
V
S
,负载突降(伏)
14
12
10
V
DS
= 28 V
8
6
4
2
0
50
25
0
25
50
75
100
125
120
100
80
60
40
80 110
140
170
200
230
260
290
320 350
继电器线圈( W)
T
J
,结温( ° C)
图4.抛负载能力与
继电器线圈的直流电阻
图5.漏极 - 源极与漏
结温
80
BV
DSS
击穿电压( V)
I
GSS
栅极漏电流(毫安)
70
60
V
GS
= 5 V
50
40
V
GS
= 3 V
30
20
50
34.8
34.6
34.4
34.2
34.0
33.8
33.6
33.4
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 10毫安
25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.栅极 - 源极与漏
结温
图7.击穿电压与结
温度
1
0.01
V
GS
= 5 V
I
D
漏电流( A)
1
V
DS
= 0.8 V
0.1
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
125
°C
I
D
漏电流( A)
0.01
0.001
1E04
85
°C
25
°C
40
°C
1E06
V
GS
= 1 V
1E04
1E05
1E06
1E08
1E10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1E07
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.输出特性
图9.传输功能
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汽车感性负载
司机
这MicroIntegrationt部分提供了一个单一的组件解决方案
切换感性负载,如继电器,螺线管和小DC
如果电动机没有一个续流二极管的需要。它接受逻辑
电平的输入,从而允许它由大量的各种设备的驱动
包括逻辑门电路,逆变器和微控制器。
特点
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提供直流继电器线圈和敏感之间强大的接口
逻辑
能够驱动继电器线圈额定功率高达150 mA的12伏特
替换3或4分立元件的成本更低
内部稳压器无需为续流二极管
会见负载突降和其他汽车规格
无铅包装是否可用
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
标记DIAGRAMS
JW6
JW6 =具体设备守则
D
=日期代码
典型应用
汽车和工业环境
驾驶窗,锁,门,继电器天线
好处
6
1
SC74
CASE 318F
风格7
JW6
减少PCB空间
标准化驱动继电器的宽范围
简化电路设计和PCB布局
符合汽车要求
内部电路图
漏极(3)
漏(6)
JW6 =具体设备守则
D
=日期代码
漏极(3)
门(1)
10 k
100 K
门(2)
10 k
100 K
10 k
100 K
门(5)
源(2)
CASE 318
源(1)
资料来源( 4 )
CASE 318F
订购信息
设备
SOT23
SOT23
(无铅)
SC74
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
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包括部分方向和磁带大小,请
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出版订单号:
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NUD3124
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
E
Z
漏极至源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
栅极 - 源极电压 - 连续
(T
J
= 125°C)
漏电流 - 连续
(T
J
= 125°C)
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
峰值功耗,漏极 - 源极(注1及2 )
(T
J
初步= 85°C )
抛负载脉冲抑制,漏 - 源极(注3和4 )
(抑制波形: V
s
= 45 V ,R
来源
= 0.5
W,
T = 200毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态1 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 10
W,
T为2.0毫秒)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
电感式开关瞬态2 ,漏 - 源
(波形,R
来源
= 4.0
W,
T = 50
女士)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更高版本)
(T
J
初步= 85°C )
反向电池, 10分钟(漏 - 源)
(对于80继电器的线圈/电感负载
W
或更多)
双电压跳开始, 10分钟(漏 - 源)
人体模型( HBM )
根据EIA / JESD22 / A114规格
等级
价值
28
12
150
250
单位
V
V
mA
mJ
P
PK
E
LD1
20
80
W
V
E
LD2
100
V
E
LD3
300
V
REV -BAT
双伏
ESD
1.
2.
3.
4.
14
28
2,000
V
V
V
非重复性电流脉冲方波, 1.0毫秒的时间。
对于不同的方波脉冲持续时间,见图2 。
非重复性负载突降抑制按照图3脉冲。
对于继电器的线圈/电感负载高于80
W,
参见图4 。
热特性
符号
T
A
T
J
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
工作环境温度
最高结温
存储温度范围
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
总功率耗散(注5 )
降额25℃以上
热阻结到环境(注5 )
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
-40至125
150
-65到150
225
1.8
380
3.0
556
329
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
5.安装在最小焊盘板。
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NUD3124
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
特征
开关特性
漏极至源极耐受电压
(I
D
= 10 mA)的
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V ,T
J
= 125°C)
基本特征
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA)的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安,T
J
= 125°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 150毫安, V
GS
= 5.0 V ,T
J
= 125°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V,T
J
= 125°C)
正向跨导
(V
DS
= 12 V,I
D
= 150 mA)的
动态特性
输入电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
输出电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
传输电容
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V , F = 10千赫)
开关特性
传播延迟时间:
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
高到低传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
从低到高传输延迟;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
转换时间:
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 3.0 V)
下降时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
上升时间;图1中, (Ⅴ
DS
= 12 V, V
GS
= 5.0 V)
ns
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
890
912
324
1280
ns
t
f
t
r
t
f
t
r
2086
708
556
725
西塞
科斯
CRSS
32
21
8.0
pf
pf
pf
V
GS ( TH)
1.3
1.3
R
DS ( ON)
I
DS ( ON)
150
140
g
FS
200
500
mmho
1.4
1.7
0.8
1.1
mA
1.8
2.0
2.0
W
V
V
BRDSS
I
DSS
I
GSS
60
80
90
110
0.5
1.0
50
80
mA
28
34
38
V
mA
符号
典型值
最大
单位
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3
NUD3124
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
IH
V
in
50%
0V
t
PHL
90%
V
OUT
50%
10%
V
OL
t
r
t
PLH
V
OH
t
f
图1.开关波形
25
P
pk
,峰值浪涌功率( W)
20
15
10
5
0
1
10
P
W
,脉冲宽度(毫秒)
100
图2.最大非重复浪涌
功率与脉冲宽度
抛负载脉冲不抑制:
V
R
= 13.5 V额定
±10%
V
S
= 60 V额定
±10%
T = 300 ms的名义
±10%
T
R
= 1 - 10毫秒
±10%
抛负载脉冲抑制:
注:最大。电压的DUT暴露是
注意:
大约45 V.
V
S
= 30 V
±20%
T = 150毫秒
±20%
T
R
90%
峰值的10%;
参考= V
R
, I
R
10%
V
R
, I
R
VS
T
图3.抛负载波形定义
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4
NUD3124
140
I
DSS
,漏极漏电流(毫安)
V
S
,负载突降(伏)
14
12
10
V
DS
= 28 V
8
6
4
2
0
50
25
0
25
50
75
100
125
120
100
80
60
40
80 110
140
170
200
230
260
290
320 350
继电器线圈( W)
T
J
,结温( ° C)
图4.抛负载能力与
继电器线圈的直流电阻
图5.漏极 - 源极与漏
结温
80
BV
DSS
击穿电压( V)
I
GSS
栅极漏电流(毫安)
70
60
V
GS
= 5 V
50
40
V
GS
= 3 V
30
20
50
34.8
34.6
34.4
34.2
34.0
33.8
33.6
33.4
50
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 10毫安
25
0
25
50
75
100
125
T
J
,结温( ° C)
T
J
,结温( ° C)
图6.栅极 - 源极与漏
结温
图7.击穿电压与结
温度
1
0.01
V
GS
= 5 V
I
D
漏电流( A)
1
V
DS
= 0.8 V
0.1
V
GS
= 3 V
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 2 V
125
°C
I
D
漏电流( A)
0.01
0.001
1E04
85
°C
25
°C
40
°C
1E06
V
GS
= 1 V
1E04
1E05
1E06
1E08
1E10
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1E07
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图8.输出特性
图9.传输功能
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