NUD3112
集成继电器，
感性负载驱动
此设备用于切换感性负载如继电器，
螺线管白炽灯，以及小型直流电动机，而不需要
一个续流二极管。该器件集成了所有必需的物品
如MOSFET开关， ESD保护和齐纳二极管钳位。它
接收逻辑电平输入从而使其能够通过大的驱动
各种设备，包括逻辑门电路，逆变器，和
微控制器。
特点
http://onsemi.com
之间提供直流继电器线圈和强大的驱动程序接口
敏感的逻辑电路
优化开关12 V轨继电器
能够驱动继电器线圈的额定最高6.0瓦， 12 V
内部齐纳消除续流二极管的需要
感应电流接地更安静的内部齐纳二极管钳位路线
系统操作
低V
DS （ ON）
降低了系统电流消耗
无铅包装是否可用
继电器，感性负载驱动
硅SMALLBLOCKt
0.5安培，16V钳位
3
标记DIAGRAMS
JW5
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
4
JW5 =具体设备守则
D
=日期代码
典型应用
6
5
JW5
1
2
3
JW5 =具体设备守则
D
=日期代码
电信：线路卡，调制解调器，答录机，传真机
计算机和办公：复印机，打印机，台式电脑
消费者：电视，录像机，立体声接收器， CD播放机，磁带
录像机
工业：小家电，安防系统，自动化测试
设备，车库开门器
内部电路图
漏极（3）
SC74
CASE 318F
风格7
漏（6）
漏极（3）
门（1）
1.0 k
300 k
门（2）
1.0 k
300 k
1.0 k
300 k
门（5）
源（2）
源（1）
资料来源（ 4 ）
CASE 318
CASE 318F
订购信息
设备
NUD3112LT1
NUD3112LT1G
NUD3112DMT1
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SC74
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
NUD3112/D
NUD3112
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
E
z
漏源极电压 - 连续
门源电压 - 连续
漏电流 - 连续
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量（
T
Jinitial =
25°C)
结温
工作环境温度
存储温度范围
总功率耗散（注1 ）
降额25℃以上
总功率耗散（注1 ）
降额25℃以上
热阻结到环境（注1 ）
人体模型（ HBM ）根据EIA / JESD22 / A114
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
14
6
500
50
150
-40到85
-65到+150
225
1.8
380
3.0
556
329
2000
单位
V
dc
V
dc
mA
mJ
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
V
T
J
T
A
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
ESD
1.安装在最小焊盘板。
典型电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
开关特性
V
BRDSS
B
VGSO
I
DSS
漏极至源极耐受电压（内部钳位）
（ID = 10 mA）的
I
g
= 1.0毫安
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V , V
GS
= 0 V ，T
A
= 25°C)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ，T
A
= 85°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
14
16
17
V
特征
民
典型值
最大
单位
8
20
40
35
65
V
mA
I
GSS
mA
基本特征
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA）的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安，T
A
= 85°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 250毫安， V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 3.0 V，T
A
=85°C)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 5.0 V ，T
A
=85°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V，T
A
= 85°C)
正向跨导
(V
OUT
= 12.0 V，I
OUT
= 0.25 A)
0.8
0.8
1.2
1.4
1.4
1.2
1.3
0.9
1.3
0.9
V
R
DS （ ON）
W
I
DS （ ON）
300
200
350
400
490
mA
毫姆欧
g
FS
http://onsemi.com
2
NUD3112
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
I
D
，漏电流（ A）
25°C
40°C
V
GS
= 3.0 V
I
GSS
，栅极漏电流（毫安）
125°C
85°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
50
25
0
50
25
75
温度（℃）
100
125
V
GS
= 3.0 V
V
GS
= 5.0 V
图8.导通电阻与漏电流和
温度
图9.栅极漏电流与温度的关系
+12V
接力
+5V / 3.3V
齐纳钳位
齐纳钳位
1.0 k
逻辑
ESD齐纳
300 k
ESD齐纳
图10.典型应用电路
http://onsemi.com
5
NUD3112
集成继电器，
感性负载驱动
此设备用于切换感性负载如继电器，
螺线管白炽灯，以及小型直流电动机，而不需要
一个续流二极管。该器件集成了所有必需的物品
如MOSFET开关， ESD保护和齐纳二极管钳位。它
接收逻辑电平输入从而使其能够通过大的驱动
各种设备，包括逻辑门电路，逆变器，和
微控制器。
特点
http://onsemi.com
标记DIAGRAMS
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
JW5 MG
G
之间提供直流继电器线圈和强大的驱动程序接口
敏感的逻辑电路
优化开关12 V轨继电器
能够驱动继电器线圈的额定最高6.0瓦， 12 V
内部齐纳消除续流二极管的需要
感应电流接地更安静的内部齐纳二极管钳位路线
系统操作
低V
DS （ ON）
降低了系统电流消耗
无铅包可用
JW5 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
6
1
SC74
CASE 318F
风格7
JW5 MG
G
典型应用
电信：线路卡，调制解调器，答录机，传真机
计算机和办公：复印机，打印机，台式电脑
消费者：电视，录像机，立体声接收器， CD播放机，磁带
录像机
工业：小家电，安防系统，自动化测试
设备，车库开门器
JW5 =具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NUD3112LT1
NUD3112LT1G
NUD3112DMT1
NUD3112DMT1G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SC74
SC74
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
内部电路图
漏极（3）
漏（6）
漏极（3）
门（1）
1.0 k
300 k
门（2）
1.0 k
300 k
1.0 k
300 k
门（5）
源（2）
源（1）
资料来源（ 4 ）
CASE 318
CASE 318F
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年11月 - 修订版7
出版订单号：
NUD3112/D
NUD3112
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
E
z
漏源极电压 - 连续
门源电压 - 连续
漏电流 - 连续
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量（
T
Jinitial =
25°C)
结温
工作环境温度
存储温度范围
总功率耗散（注1 ）
降额25℃以上
总功率耗散（注1 ）
降额25℃以上
热阻结到环境（注1 ）
人体模型（ HBM ）根据EIA / JESD22 / A114
SOT23
SC74
SOT23
SC74
等级
价值
14
6
500
50
150
-40到85
-65到+150
225
1.8
380
3.0
556
329
2000
单位
V
dc
V
dc
mA
mJ
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
° C / W
V
T
J
T
A
T
英镑
P
D
P
D
R
qJA
ESD
1.安装在最小焊盘板。
典型电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
开关特性
V
BRDSS
B
VGSO
I
DSS
漏极至源极耐受电压（内部钳位）
（ID = 10 mA）的
I
g
= 1.0毫安
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 12 V , V
GS
= 0 V ，T
A
= 25°C)
(V
DS
= 12 V, V
GS
= 0 V ，T
A
= 85°C)
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
14
16
17
V
特征
民
典型值
最大
单位
8
20
40
35
65
V
mA
I
GSS
mA
基本特征
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA）的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安，T
A
= 85°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 250毫安， V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 3.0 V，T
A
=85°C)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 5.0 V ，T
A
=85°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V，T
A
= 85°C)
正向跨导
(V
OUT
= 12.0 V，I
OUT
= 0.25 A)
0.8
0.8
1.2
1.4
1.4
1.2
1.3
0.9
1.3
0.9
V
R
DS （ ON）
W
I
DS （ ON）
300
200
350
400
490
mA
毫姆欧
g
FS
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2
NUD3112
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40 0.45 0.50
I
D
，漏电流（ A）
25°C
40°C
V
GS
= 3.0 V
I
GSS
，栅极漏电流（毫安）
125°C
85°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
50
25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
V
GS
= 3.0 V
V
GS
= 5.0 V
图8.导通电阻与漏电流和
温度
图9.栅极漏电流与温度的关系
+12V
接力
+5V / 3.3V
齐纳钳位
齐纳钳位
1.0 k
逻辑
ESD齐纳
300 k
ESD齐纳
图10.典型应用电路
http://onsemi.com
5
