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NUD3105D
集成继电器，
感性负载驱动
此设备用于切换感性负载如继电器，
螺线管白炽灯，以及小型直流电动机，而不需要
一个续流二极管。该器件集成了所有必需的物品
如MOSFET开关， ESD保护和齐纳二极管钳位。它
接收逻辑电平输入从而使其能够通过大的驱动
各种设备，包括逻辑门电路，逆变器，和
微控制器。
特点
http://onsemi.com
之间提供直流继电器线圈和强大的驱动程序接口
继电器，感性负载驱动
硅SMALLBLOCK ]
0.5安培， 8.0 V钳位
记号
图
3
敏感的逻辑电路
优化，从3.0 V开关继电器至5.0 V轨
能够驱动继电器线圈的额定最高2.5瓦， 5.0 V
内部齐纳消除续流二极管的需要
感应电流接地更安静的内部齐纳二极管钳位路线
系统操作
低V
DS （ ON）
降低了系统电流消耗
无铅包装是否可用
6
5
4
1
2
SC74
CASE 318F
风格7
JW4
D
G
JW4
G
G
典型应用
电信：线路卡，调制解调器，答录机，传真机
计算机和办公：复印机，打印机，台式电脑
消费者：电视，录像机，立体声接收器， CD播放器，
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
录音机
工业：小家电，安防系统，自动化测试
设备，车库开门器
汽车： 5.0 V驱动继电器，马达控制，电源插销，
灯驱动器
订购信息
设备
NUD3105DMT1
NUD3105DMT1G
包
SC74
SC74
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
内部电路图
漏（6）
漏极（3）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
门（2）
1.0 k
300 k
1.0 k
300 k
门（5）
源（1）
资料来源（ 4 ）
CASE 318F
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第3版
1
出版订单号：
NUD3105D/D
NUD3105D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
E
z
漏源极电压
连续
门源电压 - 连续
漏电流 - 连续
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量（
T
Jinitial =
25°C)
结温
工作环境温度
存储温度范围
总功率耗散（注1 ）
降额25℃以上
热阻结到环境
等级
价值
6.0
6.0
500
50
150
40
85
65
+150
380
1.5
329
单位
V
dc
V
dc
mA
mJ
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
° C / W
T
J
T
A
T
英镑
P
D
R
qJA
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1.此设备包含ESD保护和超过以下测试：
人体模型每MIL -STD - 883 2000 V，方法3015 。
机模型法200 V.
典型电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
开关特性
V
BRDSS
B
VGSO
I
DSS
漏极至源极耐受电压（内部钳位）
（ID = 10 mA）的
I
g
= 1.0毫安
漏极至源极漏电流
(V
DS
= 5.5 V , V
GS
= 0 V ，T
J
= 25°C)
(V
DS
= 5.5 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85°C )
门体漏电流
(V
GS
= 3.0 V, V
DS
= 0 V)
(V
GS
= 5.0 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0 mA）的
(V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安，T
J
= 85°C)
漏极至源极导通电阻
(I
D
= 250毫安， V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 3.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 5.0 V)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 3.0 V，T
J
= 85°C)
(I
D
= 500毫安， V
GS
= 5.0 V ，T
J
= 85°C)
连续输出电流
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V)
(V
DS
= 0.25 V, V
GS
= 3.0 V，T
J
= 85°C)
正向跨导
(V
OUT
= 5.0 V，I
OUT
= 0.25 A)
6.0
5.0
8.0
9.0
8.0
15
15
35
65
V
V
mA
特征
民
典型值
最大
单位
I
GSS
mA
基本特征
V
GS （ TH）
0.8
0.8
1.2
1.4
1.4
1.2
1.3
0.9
1.3
0.9
V
R
DS （ ON）
W
I
DS （ ON）
300
200
350
400
570
mA
毫姆欧
g
FS
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2
NUD3105D
典型电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
(V
DS
= 5.0 V,V
GS
= 0 V ， F = 10千赫）
输出电容
(V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0 V ， F = 10千赫）
传输电容
(V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0 V ， F = 10千赫）
25
37
8.0
pF
pF
pF
特征
民
典型值
最大
单位
开关特性
符号
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
f
t
r
t
f
t
r
特征
传播延迟时间：
高到低传输延迟;图1 （5.0V ）
从低到高传输延迟;图1 （5.0V ）
高到低传输延迟;图1 （ 3.0V）
从低到高传输延迟;图1 （ 3.0V）
转换时间：
下降时间;图1 （5.0V ）
上升时间;图1 （5.0V ）
下降时间;图1 （ 3.0V）
上升时间;图1 （ 3.0V）
民
典型值
25
80
44
44
23
32
53
30
最大
nS
单位
nS
V
CC
V
in
50%
t
PLH
90%
50%
10%
t
r
t
f
t
PHL
GND
V
Z
V
CC
GND
V
OUT
图1.开关波形
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3
NUD3105D
典型特征
10
10
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
T
J
= 25°C
1.0
0.1
0.01
0.001
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 3.0 V
V
GS
= 2.0 V
1.0
0.1
0.01
0.001
0.0001
V
DS
= 0.8 V
85°C
50°C
25°C
0.0001
0.00001
0.00001
V
GS
= 1.0 V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
40°C
0.000001
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图2.输出特性
1200
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（MW ）
1000
800
600
400
200
0
50
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 5.0 V
I
D
= 0.25 A
V
GS
= 3.0 V
50
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（ W）
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 3.0 V
45
40
35
30
25
20
15
0.8
1.0
图3.传输功能
I
D
= 250
mA
40°C
125°C
85°C
50°C
25°C
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
25
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图4.导通电阻变化与温度的关系
8.20
V
Z
，齐纳钳位电压（ V）
8.18
V
Z
齐纳电压（V）
8.16
8.14
8.12
8.10
8.08
8.06
8.04
8.02
8.00
50
25
0
25
50
75
100
I
Z
= 10毫安
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
0.1
图5.
DS （ ON）
与变异
栅极 - 源极电压
V
GS
= 0 V
40°C
25°C
85°C
1.0
10
100
1000
125
温度（℃）
I
Z
，齐纳电流（毫安）
图6.齐纳电压与温度的关系
图7.齐纳钳位电压与稳压电流
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4
NUD3105D
典型特征
1.2
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（ W）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.05
0.1
0.15
85°C
50°C
25°C
40°C
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4 0.45
0.5
125°C
40
35
I
GSS
，栅极漏电流（毫安）
30
25
20
15
10
5
0
50
25
0
25
50
75
100
125
V
GS
= 3.0 V
V
GS
= 5.0 V
I
D
，漏电流（ A）
温度（℃）
图8.导通电阻与漏电流和
温度
1.0
图9.栅极漏电流与温度的关系
V
GS
= 3.0 V，T
C
= 25°C
I
D-连续
= 0.5 A
I
D
，漏电流（ A）
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
DC
PW = 0.1秒
DC = 50％的
PW = 10毫秒
DC = 20％的
PW = 7.0毫秒
DC = 5％
典型
I
Z
与V
Z
1.0
10
100
0.1
V
（ BR ） DSS
分= 6.0 V
0.01
0.01
0.1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图10.安全工作区NUD3105DLT1
1.0
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P
D（ PK ）
0.01
单脉冲
PW
t
1
t
2
期
占空比= T
1
/t
2
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
T1 ，脉冲宽度（毫秒）
1000
10,000
100,000
1,000,000
对于NUD3105DLT1图11.瞬态热响应
http://onsemi.com
5
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    NUD3105DMT1G
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