NTZS3151P
小信号MOSFET
20
V,
950
毫安, P沟道SOT- 563
特点
低R
DS ( ON)
提高系统效率
低阈值电压
小尺寸1.6× 1.6毫米
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
20
V
R
DS ( ON)
典型值
120毫瓦@
4.5
V
144毫瓦@
2.5
V
195毫瓦@
1.8
V
P沟道MOSFET
D
950
mA
I
D
最大
应用
负载/功率开关
电池管理
手机,数码相机, PDA,寻呼机等。
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明。 )
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
(注1 )
功耗
(注1 )
连续漏电流
(注1 )
功耗
(注1 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
价值
20
±8.0
860
690
170
950
760
210
4.0
55
to
150
360
260
mW
A
°C
mA
°C
mW
mA
单位
V
V
mA
6
G
S
记号
图
TX M
G
G
稳定状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
t
v
5s
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
1
SOT5636
CASE 463A
t
v
5s
t
p
= 10
ms
TX
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
引脚: SOT- 563
D 1
6 D
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - 吨
v
5秒(注1 )
符号
R
qJA
R
qJA
最大
720
600
单位
° C / W
D 2
5 D
G
3
顶视图
4 S
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板上使用1英寸平方垫尺寸
(铜,面积= 1.127英寸平方[ 1盎司]包括痕迹) 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月,
第2版
1
出版订单号:
NTZS3151P/D
NTZS3151P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
GS ,
栅 - 源电压(伏)
1000
900
C,电容(pF )
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
5
V
GS
V
DS
0
5
10
15
20
25
C
OSS
C
国际空间站
5
QT
4
3
2
1
0
Q
GS
Q
GD
V
GS
30
V
DS ,
漏 - 源电压(伏)
V
DS
= 0 V
C
RSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
25
20
15
10
I
D
=
0.77
A
T
J
= 25°C
6
5
0
V
DS
0
1
5
2
3
4
Q
G
,总栅极电荷( NC)
栅极 - 源极或漏极至源极电压(伏)
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1.2
I
S
,源电流(安培)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1000
V
DD
=
25
V
I
D
=
0.95
A
V
GS
=
4.5
V
T, TIME ( NS )
100
t
D(关闭)
t
f
t
r
t
D(上)
10
1
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
订购信息
设备
NTZS3151PT1G
NTZS3151PT5G
包
SOT563
(无铅)
SOT563
(无铅)
航运
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子, BRD8011 / D 。
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4
NTZS3151P
包装尺寸
SOT - 563 ,比6领先
CASE 463A -01
本期
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
民
喃最大
0.50
0.55
0.60
0.17
0.22
0.27
0.08
0.12
0.18
1.50
1.60
1.70
1.10
1.20
1.30
0.5 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.021 0.023
0.009 0.011
0.005 0.007
0.062 0.066
0.047 0.051
0.02 BSC
0.004 0.008 0.012
0.059 0.062 0.066
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
D
X
6
5
4
A
L
1
2
3
E
Y
b
H
E
e
5
6 PL
M
C
X Y
0.08 (0.003)
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.35
0.0531
1.0
0.0394
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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5
NTZS3151P/D