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NTZS3151P
小信号MOSFET
20
V,
950
毫安, P沟道SOT- 563
特点
低R
DS ( ON)
提高系统效率
低阈值电压
小尺寸1.6× 1.6毫米
这些无铅器件
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
20
V
R
DS ( ON)
典型值
120毫瓦@
4.5
V
144毫瓦@
2.5
V
195毫瓦@
1.8
V
P沟道MOSFET
D
950
mA
I
D
最大
应用
负载/功率开关
电池管理
手机,数码相机, PDA,寻呼机等。
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明。 )
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
(注1 )
功耗
(注1 )
连续漏电流
(注1 )
功耗
(注1 )
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
价值
20
±8.0
860
690
170
950
760
210
4.0
55
to
150
360
260
mW
A
°C
mA
°C
mW
mA
单位
V
V
mA
6
G
S
记号
TX M
G
G
稳定状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
t
v
5s
I
D
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
1
SOT5636
CASE 463A
t
v
5s
t
p
= 10
ms
TX
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
引脚: SOT- 563
D 1
6 D
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态(注1 )
结 - 环境 - 吨
v
5秒(注1 )
符号
R
qJA
R
qJA
最大
720
600
单位
° C / W
D 2
5 D
G
3
顶视图
4 S
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板上使用1英寸平方垫尺寸
(铜,面积= 1.127英寸平方[ 1盎司]包括痕迹) 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
2006年3月,
第2版
1
出版订单号:
NTZS3151P/D
NTZS3151P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明。 )
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
V
GS
= 0 V
V
DS
=
20
V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V,I
D
=
250
mA
20
13
1.0
5.0
"100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
典型值
最大
单位
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
/T
J
栅极 - 源极漏电流
基本特征
(注2 )
栅极阈值电压
负阈值
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8.0
V
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.45
2.4
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
950
mA
120
112
144
195
3.1
1.0
V
毫伏/°C的
150
142
200
240
mW
R
DS ( ON)
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
770
mA
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
670
mA
V
GS
=
1.8
V,I
D
=
200
mA
V
DS
=
10
V,I
D
=
810
mA
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
开关特性
(注3)
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G( TOT )
Q
G( TH )
Q
GS
Q
GD
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
S
458
V
GS
= 0 V , F = 1.0 MHz时,
V
DS
=
16
V
61
38
5.6
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
10
V;
I
D
=
770
mA
0.6
0.9
1.2
pF
nC
5.0
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
10
V,
I
D
=
950
毫安,R
G
= 6.0
W
12
23.7
18
ns
V
SD
t
RR
V
GS
= 0 V,
I
S
=
360
mA
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.64
0.5
10.5
0.9
V
反向恢复时间
V
GS
= 0 V ,二
S
/ DT = 100 A / MS ,
I
S
=
360
mA
ns
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTZS3151P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
4
I
D,
漏电流(安培)
V
GS
=
3
V
V
GS
=
2
V
I
D,
漏电流(安培)
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
1.4
V
1.2
V
1
V
1.8
V
T
J
= 25°C
1.6
V
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
T
J
=
55°C
25°C
125°C
0.5
1.5
2
2.5
1
V
GS
,栅极至源极电压(伏)
3
V
DS
10
V
图1.区域特征
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
R
DS (ON ) ,
漏极至源极电阻( W)
0.3
V
GS
=
4.5
V
0.3
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.2
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= 25°C
T
J
=
55°C
0
0
1
2
3
I
D,
漏电流(安培)
4
0.2
V
GS
=
1.8
V
V
GS
=
2.5
V
V
GS
=
4.5
V
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
I
D,
漏电流(安培)
图3.导通电阻与漏电流和
温度
1.8
R
DS (ON ) ,
漏极 - 源极
电阻(标准化)
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
100
10000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
I
D
=
0.95
A
V
GS
=
4.5
V
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
,漏电( NA)
1000
T
J
= 125°C
25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
T
J
,结温( ° C)
V
DS
,漏极至源极电压(伏)
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTZS3151P
典型性能曲线
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
V
GS ,
栅 - 源电压(伏)
1000
900
C,电容(pF )
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
5
V
GS
V
DS
0
5
10
15
20
25
C
OSS
C
国际空间站
5
QT
4
3
2
1
0
Q
GS
Q
GD
V
GS
30
V
DS ,
漏 - 源电压(伏)
V
DS
= 0 V
C
RSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
25
20
15
10
I
D
=
0.77
A
T
J
= 25°C
6
5
0
V
DS
0
1
5
2
3
4
Q
G
,总栅极电荷( NC)
栅极 - 源极或漏极至源极电压(伏)
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1.2
I
S
,源电流(安培)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
1000
V
DD
=
25
V
I
D
=
0.95
A
V
GS
=
4.5
V
T, TIME ( NS )
100
t
D(关闭)
t
f
t
r
t
D(上)
10
1
1
10
R
G
,栅极电阻( W)
100
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
SD
,源极到漏极电压(伏)
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
订购信息
设备
NTZS3151PT1G
NTZS3151PT5G
SOT563
(无铅)
SOT563
(无铅)
航运
4000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
4
NTZS3151P
包装尺寸
SOT - 563 ,比6领先
CASE 463A -01
本期
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
MILLIMETERS
喃最大
0.50
0.55
0.60
0.17
0.22
0.27
0.08
0.12
0.18
1.50
1.60
1.70
1.10
1.20
1.30
0.5 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.021 0.023
0.009 0.011
0.005 0.007
0.062 0.066
0.047 0.051
0.02 BSC
0.004 0.008 0.012
0.059 0.062 0.066
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
D
X
6
5
4
A
L
1
2
3
E
Y
b
H
E
e
5
6 PL
M
C
X Y
0.08 (0.003)
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.35
0.0531
1.0
0.0394
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
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5
NTZS3151P/D
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTZS3151P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ:
电话:0512-67241533
联系人:王
地址:虎丘区龙湖中心1302室
NTZS3151P
ON
2205+
4081
SOT-563
一级代理,全新原装正品,公司现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
NTZS3151P
ON
24+
18000
SOT-563
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
NTZS3151P
ON
15+
99000
SOT563
产品优势可售样板
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NTZS3151P
ON
24+
18650
SOT-563
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2273544375 复制 点击这里给我发消息 QQ:1402770874 复制

电话:13711580601
联系人:郭
地址:深圳市福田区华强北华强广场B座
NTZS3151P
ON
2021+
10000
SOT-563
原装正品 力挺实单
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
NTZS3151P
ON
21+22+
62710
SOT-563
原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
NTZS3151P
ON
2024+
9675
SOT-563
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NTZS3151P
HAMOS/汉姆
24+
22000
SOT-563
原装正品假一赔百!
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电话:0755-23306107
联系人:业务员
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园4栋
NTZS3151P
汽车ON
21+
15000
SOT-563
原装正品,欢迎询价
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电话:18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人:朱
地址:福田区振兴西路华康大厦2栋315室
NTZS3151P
ON
23+
18000
SOT-563
原装正品,价优
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