NTTS2P03R2
功率MOSFET
-2.48安培，伏特-30
P沟道增强模式
单Micro8t套餐
特点
http://onsemi.com
超低低R
DS （ ON）
更高的效率延长电池寿命
微型Micro8表面贴装封装
二极管具有高转速，软恢复
Micro8安装信息提供
无铅包装是否可用
-2.48安培
-30伏
85毫瓦@ V
GS
= 10 V
单P沟道
D
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，
如：蜂窝电话和无绳电话和PCMCIA卡
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻，
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
热阻，
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
热阻，
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注5 ）
热阻，
结到环境（注4 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注5 ）
工作和存储
温度范围
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
价值
30
"20
160
0.78
2.48
1.98
70
1.78
3.75
3.0
210
0.60
2.10
1.67
17
100
1.25
3.02
2.42
24
-55
+150
单位
V
V
° C / W
W
A
A
° C / W
W
A
A
来源
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
来源
来源
门
G
S
8
1
Micro8
CASE 846A
风格1
标记图
＆放大器;引脚分配
1
2
3
4
8
7
6
5
漏
漏
漏
漏
（ TOP VIEW ）
WW
=工作周
AE
=器件代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTTS2P03R2
NTTS2P03R2G
包
Micro8
Micro8
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
WW
AEG
G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB，时间
≤
10秒。
2.安装到一个2“正方形的FR-4基板（1”平方2盎司铜0.06 “厚的单面） ，
时间
≤
10秒。
3.最小的FR - 4或G - 10 PCB ，稳态。
4.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）
稳定状态。
5.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
2005年6月 - 第2版
出版订单号：
NTTS2P03R2/D
NTTS2P03R2
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （续）
等级
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= -30伏直流，V
GS
= -10伏，峰值I
L
= -3.0 APK ， L = 65 mH的，R
G
= 25
W)
最大的铅焊接温度的目的，持续10秒
符号
E
AS
T
L
价值
292.5
260
单位
mJ
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明） （注6 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
= -30伏直流，T
J
= 25°C)
(V
GS
= 0伏，V
DS
= -30伏直流，T
J
= 125°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
= -20伏直流，V
DS
= 0伏）
门体漏电流（Ⅴ
GS
= 20伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压（V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= -10伏直流，我
D
= -2.48 ADC）
(V
GS
= -4.5伏，我
D
= -1.24 ADC）
正向跨导（V
DS
= -15伏直流，我
D
= -1.24 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注7 & 8 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
（注7 ）
二极管正向导通电压
(I
S
= -2.48 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= -2.48 ADC ，V
GS
= 0伏，
T
J
= 125°C)
(I
S
= -1.45 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
6.处理措施以防止静电放电是强制性的。
7.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
毫秒
最大值，占空比= 2 ％ 。
8.开关特性是独立的工作结温。
V
SD
0.92
0.72
38
20
18
0.04
1.3
mC
VDC
(V
DS
= -24伏直流，
V
GS
= -4.5伏，
I
D
= -2.48 ADC）
(V
DD
= -24伏直流，我
D
= -1.24 ADC ，
V
GS
= -4.5伏，R
G
= 6.0
W)
(V
DD
= -24伏直流，我
D
= -2.48 ADC ，
V
GS
= -10伏直流，R
G
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
gs
Q
gd
10
20
40
35
16
40
30
30
15
3.2
4.0
22
nC
ns
ns
(V
DS
= -24伏直流，V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
500
160
65
pF
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
0.063
0.100
3.1
0.085
0.135
姆欧
1.0
1.7
3.6
3.0
VDC
W
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
I
GSS
1.0
25
100
100
NADC
NADC
30
30
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
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2
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