NTTFS5811NL
功率MOSFET
40 V ， 53 A， 6.4 mΩ的
特点
低R
DS （ ON）
低电容
优化的栅极电荷
这些设备是有铅
- 免费且符合RoHS
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
40 V
R
DS （ ON）
最大
6.4毫欧@ 10 V
10毫欧@ 4.5 V
I
D
最大
53 A
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极 - 到 - 源极电压
门 - 到 - 源极电压
连续漏极
当前
θJA
（注1 ）
功耗
θJA
（注1 ）
连续漏极
当前
θJC
（注1 ）
功耗
R
θJC
（注1 ）
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
L = 0.1 mH的
E
AS
I
AS
T
L
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
40
±20
17
10
2.7
1.1
53
33
33
13
211
--55到
+150
53
65
36
260
A
°C
A
mJ
A
°C
W
1
单位
V
V
A
G (4)
S (1,2,3)
N-
声道MOSFET
D (5--8)
W
A
1
WDFN8
(m8FL)
CASE 511AB
5811
A
Y
WW
G
S
S
S
G
标记图
5811
AYWWG
G
D
D
D
D
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
单脉冲漏极 - 到 - 源
雪崩能量
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
=铅 - 免费套餐
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
设备
NTTFS5811NLTAG
包
WDFN8
（铅 - 免费）
WDFN8
（铅 - 免费）
航运
1500 /
磁带&卷轴
5000 /
磁带&卷轴
热阻最大额定值
参数
路口 - 至 - 案例 - 持续
国家（注1 ）
路口 - 至 - 环境 - 稳定
国家（注1 ）
符号
R
θJC
R
θJA
价值
3.8
47
单位
° C / W
NTTFS5811NLTWG
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1.表面 - 安装使用1平方米的焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年5月 - 第1版
-
1
出版订单号：
NTTFS5811NL/D
QQ：2881677436 复制
