NTTFS5116PL
功率MOSFET
60
V,
20
A, 52毫瓦
特点
低R
DS ( ON)
快速开关
这些器件是无铅和符合RoHS标准
应用
http://onsemi.com
V
( BR ) DSS
60
V
R
DS ( ON)
最大
52毫瓦@
10
V
72毫瓦@
4.5
V
I
D
最大
20
A
负载开关
直流电机控制
DC- DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
(注1 )
功耗
qJA
(注1 )
连续漏极
当前
QJC
(注1 )
功耗
R
QJC
(注1 )
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
L = 0.1 mH的
E
AS
I
AS
T
L
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
60
±20
5.7
4.0
3.2
1.6
20
14
40
20
76
55
to
+175
20
45
30
260
A
°C
A
mJ
A
°C
W
A
W
单位
V
V
A
P沟道MOSFET
D (58)
G (4)
S (1,2,3)
标记图
1
1
工作结温和存储温度
源电流(体二极管)
单脉冲漏极 - 源极Ava-
拦车能源
WDFN8
(m8FL)
CASE 511AB
5116
A
Y
WW
G
S
S
S
G
5116
AYWWG
G
D
D
D
D
无铅焊接温度的目的
( 1/8“从案例10秒)
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
包
航运
NTTFS5116PLTAG
NTTFS5116PLTWG
WDFN8 1500 /磁带&卷轴
(无铅)
WDFN8 5000 /磁带&卷轴
(无铅)
热阻最大额定值
参数
结到外壳 - 稳定
国家(注1 )
结 - 环境 - 稳定
国家(注1 )
符号
R
QJC
R
qJA
价值
3.8
47
单位
° C / W
1.表面安装用1平方焊盘尺寸(铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2011
2011年11月
第1版
1
出版订单号:
NTTFS5116PL/D