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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第90页 > NTTFS4823NTAG
NTTFS4823N
功率MOSFET
特点
30 V ， 50 A单N沟道，
m8FL
小尺寸（ 3.3× 3.3毫米）的紧凑型设计
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
10.5毫瓦@ 10 V
17.5毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
50 A
应用
DC-DC转换器
高侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
≤
10 s
（注1 ）
功耗
R
qJA
≤
10秒（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
漏电流脉冲
通过PKG电流限制。
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25 ° C，T
p
= 10
ms
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
12.6
9.1
2.1
17.5
12.6
4.0
7.1
5.1
0.66
50
36
32.9
150
90
55
to
+150
33
6
31
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
W
A
W
A
单位
V
V
A
N沟道MOSFET
D (58)
G (4)
S (1,2,3)
标记图
1
1
S
S
S
G
4823
AYWWG
G
D
D
D
D
WDFN8
(m8FL)
CASE 511AB
扁平引脚
4823
A
Y
WW
G
=具体设备守则
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTTFS4823NTAG
NTTFS4823NTWG
包
航运
WDFN8 1500 /磁带&卷轴
（无铅）
WDFN8 5000 /磁带&卷轴
（无铅）
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(T
J
= 25 ° C，V
DD
= 50 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 25 A
pk
中，L = 0.1毫亨，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年6月
第2版
1
出版订单号：
NTTFS4823N/D
NTTFS4823N
热阻最大额定值
参数
结至外壳（漏）
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 稳态（注4 ）
结至环境 - （叔
≤
10秒） （注3）
3.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。
4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
符号
R
QJC
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
3.8
59.4
190.2
31.1
单位
° C / W
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
I
D
= 20 A
I
D
= 10 A
I
D
= 20 A
I
D
= 10 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 24 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
30
25
1.0
10
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注5 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±20
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.5
1.9
6
8.1
8.0
13.5
13
34
2.5
V
毫伏/°C的
V
GS
= 10 V至11.5 V
V
GS
= 4.5 V
10.5
mW
17.5
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= 1.5 V，I
D
= 20 A
S
750
V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫，V
DS
= 12 V
175
100
6.5
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
0.8
2.5
2.9
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V，I
D
= 20 A
15
1013
237
150
9.0
pF
nC
nC
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
12
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
22
14
4
ns
5.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTTFS4823N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
（注6 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100 A / MS ，
I
S
= 20 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
7.0
18
20
2.0
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 20 A
0.93
0.83
13
7.5
5.5
4.0
nC
ns
1.1
V
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感
门电感
栅极电阻
0.38
0.054
1.3
0.65
2.0
nH
W
5.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
v
2%.
6.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
3
NTTFS4823N
典型特征
60
50
I
D
，漏电流（ A）
40
30
20
10
3.2 V
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
60
V
DS
≥
10 V
50
4.2 V
4.0 V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
I
D
，漏电流（ A）
40
30
20
10
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
2
3
T
J
=
55°C
4
5
6
10 V
7.0 V
5.0 V
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 25°C
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
4
5
6
7
8
9
I
D
= 20 A
T
J
= 25°C
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.025
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.020
0.015
0.010
0.005
0
20
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
10
25
30
35
40
45
50
55
60
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.8
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
50
25
0
25
50
75
100
125
150
10
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
1000
10000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
100
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
4
NTTFS4823N
典型特征
1600
1400
C，电容（pF ）
1200
1000
800
600
400
200
0
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
12
10
8
6
4
2
0
Q
gs
Q
gd
V
GS
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
QT
I
D
= 20 A
T
J
= 25°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
栅极 - 源极或漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
20
1000
V
DD
= 15 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
100
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
t
f
t
r
10
t
D（上）
I
S
，源电流（ A）
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
15
10
5
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
E
AS
，单脉冲漏 -
源雪崩能量（兆焦耳）
100
10
ms
10
1
0.1
0.01
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
ms
1毫秒
10毫秒
40
图10.二极管的正向电压与电流
I
D
= 25 A
30
I
D
，漏电流（ A）
20
10
dc
100
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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推荐型号
NESE021T
NX8563LA397-CC
NRLF102M63V22x20F
NRN7S104GTI
NCE101E10K
NDL5592PD
NET-50D
NMC27C32Q45/883
NTE5724
NL27WZ125USG
NMC27C256Q250
N50480M1EB1S
N3440N1EN1S
NXT-PA(05)
NM27P020V120
N80C325
NTSA0WF104FE1B0
NX8563LA549-CD
NM24C08FLMT8
NAND01GR4A2CZB6T
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTTFS4823NTAG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳信泰电子器材有限公司
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电话：0755-83242658
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全新原装现货
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联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
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11280
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进口原装!优势现货!
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电话：0755-23919407
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4550
进口全新原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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10000
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原厂一级代理，原装现货
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电话：0755-88291559
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23000
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一级代理专营，原装现货，价格优势
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ON/安森美
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9634
QFN
全新原装现货，原厂代理。
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
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21+22+
27000
WDFN8
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