NTTD4401F
FETKYt功率MOSFET
和肖特基二极管
-20 V， -3.3 P沟道20 V，
1.0一个肖特基二极管， Micro8t套餐
http://onsemi.com
该FETKY产品系列采用了低R
DS （ ON）
，真正的逻辑电平
封装的MOSFET具有业界领先的低正向压降，低
泄漏肖特基二极管，以提供高效率的组件
节省空间的配置。对于TMOS独立的引脚和
肖特基死允许灵活地使用单个组件
开关和整流功能的各种应用程序。
特点
MOSFET产品概要
V
（ BR ） DSS
20 V
100毫瓦@ -2.7 V
2.7 A
R
DS （ ON）
典型值
70毫瓦@ -4.5 V
I
D
最大
3.3 A
低V
F
和低泄漏肖特基二极管
较低的元件布局和库存成本以及董事会
节省空间
逻辑电平栅极驱动器 - 可通过逻辑IC驱动
无铅包装是否可用
应用
肖特基二极管摘要
V
R
最大
20 V
S
I
F
最大
2.0 A
V
F
最大
为600mV @我
F
= 2.0 A
A
降压转换器
同步整流
低压电机控制
在电池负载管理包，充电器，手机，
其他便携式产品
等级
符号
V
DSS
V
GS
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
稳定
状态
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
EAS
T
L
P
D
I
D
I
D
价值
20
10
3.3
2.1
1.42
2.4
1.5
0.78
10
-55
150
150
260
W
A
°C
mJ
°C
W
A
单位
V
V
A
G
D
P沟道MOSFET
C
肖特基二极管
MOSFET的最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
脉冲漏
当前
工作结
储存温度
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源起始物为
A
= 25°C （T
v
10 s)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
标记图&
引脚分配
CD
8
1
Micro8
CASE 846A
8
WW
BG
G
G
1
一个为g
BG
=具体设备守则
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
t = 10
ms
订购信息
设备
NTTD4401FR2
NTTD4401FR2G
包
Micro8
Micro8
（无铅）
航运
4000 /磁带&卷轴
4000 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
（铜面积=在平0.172 ） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年1月 - 修订版5
出版订单号：
NTTD4401F/D
NTTD4401F
肖特基二极管的最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
反向重复峰值电压
平均正向电流（额定V
R
, T
A
= 100°C)
峰值重复正向电流（注3 ）
非重复峰值浪涌电流（注4 ）
符号
V
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
20
1.0
2.0
20
单位
V
A
A
A
热电阻额定值
FET
等级
结 - 环境 - 稳态（注5 ）
结 - 环境 - 稳态（注6 ）
符号
R
qJA
R
qJA
88
160
肖特基
最大
135
250
单位
° C / W
° C / W
MOSFET电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流（注7 ）
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V ，T
J
= 125°C ，V
DS
= 16 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压
负阈值
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= -4.5 V，I
D
= 3.3 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= 1.2 A
正向跨导
g
FS
V
DS
= -10 V，I
D
= 2.7 A
0.5
2.5
70
100
4.2
1.5
90
150
S
V
毫伏/°C的
mW
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±10
V
20
1.0
25
±100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源栅极电荷
栅 - 漏“米勒”“充电
开关特性
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
3.
4.
5.
6.
7.
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V ，D
IS
/ DT = 100 A / MS ，
I
S
= 3.3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A
0.88
37
16
21
0.025
1.0
50
0.05
nC
V
ns
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 10 V,
I
D
= -3.3 A，R
G
= 6.0
W
11
35
33
29
20
65
60
55
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 16 V,
I
D
= 3.3 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 16 V
550
200
50
10
1.5
5.0
750
300
175
18
3.0
10
nC
pF
为V
R
，方波， 20千赫，T
A
= 105°C.
浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹。
表面安装在FR4板采用1平方英寸的焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹） 。
表面安装在FR4电路板使用的最低建议焊盘尺寸（铜面积=在平0.172 ） 。
体二极管的漏电流。
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2
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