【NTS4409N小信号MOSFET25 V ， 0.75 A单N通道，ESD保护， SC -70 /】,IC型号NTS4409N,NTS4409N PDF资料,NTS4409N经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTS4409N

小信号MOSFET

25 V ， 0.75 A单N通道，

ESD保护， SC -70 / SOT- 323

特点

高级平面技术的快速切换，低R

DS （ ON）

更高的效率延长电池寿命

这是一个Pb - Free设备

应用

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

25 V

299毫瓦@ 2.7 V

DS （ ON）

典型值

249毫瓦@ 4.5 V

0.75 A

最大

升压和降压转换器

负荷开关

电池保护

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流

连续漏电流

（注1 ）

功率耗散（注1 ）

漏电流脉冲

t<5s

稳定

状态

= 25°C

= 75°C

英镑

符号

DSS

价值

"8.0

0.75

0.7

0.6

0.28

0.33

3.0

-55

+150

0.3

260

250

单位

来源

门

SC- 70 （ 3 -信息）

漏

顶视图

稳定状态

= 10

标记图&

引脚分配

漏

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）（注1 ）

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

ESD额定值 - 机器型号

°C

SC70/SOT323

CASE 419

风格8

门

T4 WG

来源

热电阻额定值

等级

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

结 - 环境 - 吨

5秒（注1 ）

符号

qJA

最大

450

375

单位

° C / W

=器件代码

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸

（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ）。

订购信息

设备

NTS4409NT1G

包

SOT323

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年1月 - 第2版

出版订单号：

NTS4409N/D

NTS4409N

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

= 0 V,

= 20 V

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

GS （ TH）

DS （ ON）

= 4.5 V，I

= 0.6 A

= 2.7 V，I

= 0.2 A

= 4.5 V，I

= 1.2 A

正向跨导

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 4.5 V, V

= 15 V,

= 0.7 A，R

= 51

5.0

8.2

8.0

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

= 4.5 V, V

= 15 V,

= 0.8 A

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

= 10 V

22.4

8.0

1.2

0.2

0.28

0.3

0.50

0.40

1.5

= 5.0 V，I

= 0.5 A

= V

, I

= 250

0.65

2.0

249

299

260

0.5

350

400

1.5

毫伏/°C的

GSS

= 25°C

= 70°C

= 125°C

= 0 V, V

= 8.0 V

= 0 V，I

= 250

0.5

2.0

5.0

100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 0 V,

= 0.6 A

= 25°C

0.82

1.20

2.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTS4409N

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

3.2

漏电流（安培）

4.5 V

2.4

2.5 V

1.6

= 2 V

= 25°C

漏电流（安培）

3.2

≥

10 V

2.4

1.6

0.8

= 1.5 V

0.8

25°C

= 125°C

= 55°C

0.5

1.5

2.5

，漏极至源极电压（伏）

0.8

1.6

3.2

2.4

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.8

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.8

图2.传输特性

= 4.5 V

= 2.5 V

= 125°C

0.6

= 125°C

0.6

0.4

= 25°C

0.4

= 25°C

0.2

= 55°C

0.8

2.4

漏电流（安培）

1.6

3.2

0.2

= 55°C

0.8

1.6

2.4

3.2

漏电流（安培）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

= 0.75 A

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

100

125

150

C，电容（pF ）

= 2.5 V

100

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 25°C

= 0 V

国际空间站

OSS

RSS

= 4.5 V

，结温（ ° C）

漏 - 源电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.电容变化

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NTS4409N

典型性能曲线

= 25 ° C除非另有说明）

GS ，

栅 - 源电压（伏）

，源电流（安培）

G（ TOT ）

3.2

= 0 V

2.4

1.6

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，总栅极电荷（ NC）

= 0.8 A

= 25°C

1.2

1.4

0.8

= 125°C

0.2

0.4

0.6

= 25°C

0.8

1.2

，源极到漏极电压（伏）

图7.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

图8.二极管的正向电压与电流

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NTS4409N

包装尺寸

SC- 70 （ SOT- 323 ）

CASE 419-04

ISSUE M

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

0.05 (0.002)

暗淡

民

0.80

0.00

0.30

0.10

1.80

1.15

1.20

2.00

MILLIMETERS

喃

最大

0.90

1.00

0.05

0.10

0.7 REF

0.35

0.40

0.18

0.25

2.10

2.20

1.24

1.35

1.30

1.40

0.65 BSC

0.425 REF

2.10

2.40

民

0.032

0.000

0.012

0.004

0.071

0.045

0.047

0.079

英寸

喃

0.035

0.002

0.028 REF

0.014

0.007

0.083

0.049

0.051

0.026 BSC

0.017 REF

0.083

最大

0.040

0.004

0.016

0.010

0.087

0.053

0.055

0.095

风格8 ：

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

焊接足迹*

0.65

0.025

0.65

0.025

1.9

0.075

0.9

0.035

0.7

0.028

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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