NTS4173P
功率MOSFET
30
V,
1.3
A单P沟道， SC- 70
特点
30
V BV
ds
，低R
DS （ ON）
在SC- 70封装
低阈值电压
开关速度快
这是一种无卤化物设备
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
150毫瓦@
10
V
30
V
200毫瓦@
4.5
V
280毫瓦@
2.5
V
I
D
最大
1.2
A
1.0
A
0.9
A
应用
负荷开关
低电流逆变器和DC- DC转换器
电源开关打印机，通信设备
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
0.35
5.0
55
to
150
1.0
260
A
°C
A
°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
30
±12
1.2
0.80
1.3
0.29
W
A
单位
V
V
SC - 70 / SOT - 323 （ 3引线）
S
G
D
3
1
2
SC70/SOT323
CASE 419
风格8
标记图/
引脚分配
3漏
TGMG
G
1
门
2
来源
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
TG
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
热电阻额定值
参数
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
t
≤
5秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
最大
425
360
单位
° C / W
订购信息
设备
NTS4173PT1G
包
SC70
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*日期代码的方向可能会根据变化
生产地点
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年9月，
第0版
1
出版订单号：
NTS4173P/D
NTS4173P
MOSFET电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
V
GS
=
10
V，I
D
=
1.2
A
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
1.0
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
0.9
A
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V，I
S
=
1.0
A,
dI
SD
/d
t
= 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
=
1.0
A
V
GS
=
10
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
1.2
A，R
G
= 3
W
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
1.2
A，R
G
= 3
W
V
GS
=
10
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
1.2
A
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
15
V,
I
D
=
1.2
A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
=
15
V
V
DS
=
5
V，I
D
=
1.2
A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
430
55
40
4.8
0.6
1.1
1.5
10.1
0.6
1.1
1.5
nC
nC
pF
0.7
1.15
90
110
165
3.6
1.5
150
200
280
S
V
mW
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
V
GS
= 0 V, V
DS
=
24
V，T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V, V
DS
=
24
V，T
J
= 85°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
30
1.0
5.0
±0.1
V
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
7.7
5.2
16.2
6.7
5.3
6.7
19.9
7.1
ns
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
0.8
12
10
2.0
7.0
nC
1.0
V
ns
2.表面装上用1平方英寸垫的尺寸FR4板（铜面积= 1.127平方英寸[ 2盎司]包括迹线）
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%
4.开关的特点是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
QQ：2881677436 复制
