NTS4101P
功率MOSFET
20
V,
1.37
A单P沟道， SC- 70
特点
领导
20
V沟的低R
DS （ ON）
2.5
V额定的低电压栅极驱动器
SC- 70表面贴装的小型封装（ 2×2毫米）
无铅包装是否可用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
83毫瓦@
4.5
V
20
V
88毫瓦@
3.6
V
104毫瓦@
2.5
V
1.37
A
I
D
最大
应用
高侧负载开关
充电电路
单电池的应用，如：手机，
数码相机，掌上电脑
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8
1.37
0.62
0.329
4.0
55
to
150
0.5
260
W
A
°C
A
°C
1
2
P沟道MOSFET
S
单位
V
V
A
G
D
t
p
= 10
ms
标记图&
引脚分配
3
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） ，连续
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
D
3
TT M
G
G
1
G
S
2
SC70/SOT323
CASE 419
风格8
TT
M
G
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
符号
R
qJA
最大
380
单位
° C / W
=器件代码
=日期代码*
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
NTS4101PT1
NTS4101PT1G
包
SOT323
SOT323
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业，LLC ， 206
2006年3月，
第2版
1
出版订单号：
NTS4101P/D
NTS4101P
包装尺寸
SC- 70 （ SOT- 323 ）
CASE 419-04
ISSUE M
D
e1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3
H
E
1
2
E
b
e
A
0.05 (0.002)
A1
A2
L
c
暗淡
A
A1
A2
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
民
0.80
0.00
0.30
0.10
1.80
1.15
1.20
2.00
MILLIMETERS
喃
最大
0.90
1.00
0.05
0.10
0.7 REF
0.35
0.40
0.18
0.25
2.10
2.20
1.24
1.35
1.30
1.40
0.65 BSC
0.425 REF
2.10
2.40
民
0.032
0.000
0.012
0.004
0.071
0.045
0.047
0.079
英寸
喃
0.035
0.002
0.028 REF
0.014
0.007
0.083
0.049
0.051
0.026 BSC
0.017 REF
0.083
最大
0.040
0.004
0.016
0.010
0.087
0.053
0.055
0.095
风格8 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.65
0.025
0.65
0.025
1.9
0.075
0.9
0.035
0.7
0.028
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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5
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