【NTS2101P功率MOSFET-8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70特点领先的沟槽】,IC型号NTS2101PT1G,NTS2101PT1G PDF资料,NTS2101PT1G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTS2101P

功率MOSFET

-8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70

特点

领先的沟槽技术的低R

DS （ ON）

延长电池寿命

-1.8 V额定的低电压栅极驱动器

SC- 70表面贴装的小型封装（ 2 ×2mm的）

无铅包装是否可用

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

DS （ ON）

典型值

65毫瓦@ -4.5 V

8.0 V

78毫瓦@ -2.5 V

117毫瓦@ -1.8 V

1.4 A

最大

应用

高侧负载开关

充电电路

单电池的应用，如手机，

数码相机，PDA等

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

稳定

状态

≤

功耗

（注1 ）

稳定

状态

≤

漏电流脉冲

TP = 10

英镑

= 25°C

= 70°C

= 25°C

符号

DSS

价值

8.0

±8.0

1.4

1.1

1.5

0.29

0.33

3.0

-55

150

0.46

260

单位

P沟道MOSFET

标记图&

引脚分配

°C

漏

TS M

门

来源

工作结温和存储温度

源电流（体二极管），连续

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

SC70/SOT323

CASE 419

风格8

热电阻额定值

参数

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

结 - 环境 - 吨

≤

5秒（注1 ）

符号

qJA

最大

430

375

单位

° C / W

=器件代码

=日期代码*

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向可能有所不同

在制造地点。

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板

（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ）。

订购信息

设备

NTS2101PT1

NTS2101PT1G

包

SOT323

（无铅）

航运

3000 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2006年3月 - 第1版

出版订单号：

NTS2101P/D

NTS2101P

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

= 0 V,

= 6.4 V

= 25°C

= 70°C

= 0 V，I

= 250

8.0

1.0

5.0

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值

温度COEF网络cient

漏极至源极导通电阻

GSS

= 0 V, V

±8.0

GS （ TH）

DS （ ON）

= V

, I

= 250

0.45

0.7

2.6

毫伏/°C的

100

140

210

= -4.5 V，I

= 1.0 A

= -2.5 V，I

= 0.5 A

= -1.8 V，I

= 0.3 A

117

收费和电容

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

开关特性

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

D（上）

D（关闭）

= 4.5 V, V

= 4.0 V,

= -1.0 A，R

= 6.2

6.2

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

= 5.0 V, V

= 5.0 V,

= 1.0 A

= 0 V ， F = 1.0 MHz时，

= 8.0 V

640

120

6.4

0.7

1.0

1.5

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 0 V,

= 0.3 A

= 25°C

= 125°C

0.62

0.51

23.4

7.7

15.7

9.5

1.2

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

= 0 V ，二

/ DT = 100 A / MS ，

= 1.0 A

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTS2101P

典型电气特性

8.0

漏电流（安培）

2.2 V

6.0

= -2.5 V至-4.5 V

4.0

1.6 V

1.8 V

= 25°C

漏电流（安培）

2.0 V

8.0 V

10 V

6.0

4.0

2.0

1.4 V

1.2 V

1.0 V

4.0

2.0

= 125°C

= 25°C

= 55°C

1.0

2.0

3.0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

，漏极至源极电压（伏）

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.16

= 4.5 V

0.12

= 125°C

0.08

= 25°C

= 55°C

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.16

图2.传输特性

= 2.5 V

0.12

= 125°C

= 25°C

0.08

= 55°C

0.04

2.0

4.0

6.0

8.0

2.0

4.0

6.0

8.0

漏电流（安培）

图3.导通电阻与漏电流和

温度

1.5

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

= 1.0 A

= 4.5 V

1.3

C，电容（pF ）

800

1000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

= 25°C

= 0 V

国际空间站

600

1.1

400

OSS

200

RSS

0.9

0.7

100

125

150

，结温（ ° C）

漏 - 源电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.电容变化

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NTS2101P

典型电气特性

GS ，

栅 - 源电压（伏）

，源电流（安培）

4.0

= 0 V

3.0

2.0

= 125°C

1.0

= 25°C

= 5.0 A

= 1.0 A

= 25°C

2.0

4.0

6.0

，总栅极电荷（ NC）

8.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

，源极到漏极电压（伏）

图7.栅极 - 源极和漏极 - 源

电压和总栅极电荷

图8.二极管的正向电压与电流

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NTS2101P

包装尺寸

SC- 70 （ SOT- 323 ）

CASE 419-04

ISSUE M

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

MILLIMETERS

喃

最大

0.90

1.00

0.05

0.10

0.7 REF

0.35

0.40

0.18

0.25

2.10

2.20

1.24

1.35

1.30

1.40

0.65 BSC

0.425 REF

2.10

2.40

英寸

喃

0.035

0.002

0.028 REF

0.014

0.007

0.083

0.049

0.051

0.026 BSC

0.017 REF

0.083

0.05 (0.002)

暗淡

民

0.80

0.00

0.30

0.10

1.80

1.15

1.20

民

0.032

0.000

0.012

0.004

0.071

0.045

0.047

最大

0.040

0.004

0.016

0.010

0.087

0.053

0.055

2.00

0.079

0.095

风格8 ：

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

焊接足迹*

0.65

0.025

0.65

0.025

1.9

0.075

0.9

0.035

0.7

0.028

SCALE 10 ： 1

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

安森美半导体

和

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