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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第463页 > NTR4503NT1G
NTR4503N
功率MOSFET
30 V ， 2.5 A单N沟道， SOT -23
特点
领先的平面技术的低栅极电荷/快速切换
4.5 V额定的低电压栅极驱动器
SOT- 23表面贴装的小型封装（ 3× 3毫米），
无铅包装是否可用
V
（ BR ） DSS
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
85毫瓦@ 10 V
105毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
2.5 A
应用
DC- DC转换器
负载/电源开关用于便携式设备
负载/电源开关电脑
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
静电放电能力（注3）
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
C = 100 pF的，
RS = 1500
W
P
D
I
DM
ESD
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.0
1.5
2.5
0.73
1.5
1.1
0.42
6.0
125
-55
150
2.0
260
W
W
A
单位
V
V
A
30 V
N沟道
D
G
S
标记图/
引脚分配
3
3
漏
1
2
TR3
SOT23
CASE 318
21风格
M
2
来源
A
V
°C
A
°C
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
1
门
TR3
M
=具体设备守则
=日期代码
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
订购信息
设备
NTR4503NT1
NTR4503NT1G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨< 10秒（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
170
100
300
单位
° C / W
NTR4503NT3G
10000 /磁带&卷轴
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
3. ESD额定值信息： HBM 0级。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第3版
出版订单号：
NTR4503N/D
NTR4503N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V ，T
J
= 125°C
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
( )
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 24 V,
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 24 V
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 15 V
135
52
15
130
42
13
3.6
0.3
0.6
0.7
1.9
0.3
0.6
0.9
nC
250
75
25
7.0
nC
pF
pF
g
FS
V
DS
= 4.5 V，I
D
= 2.5 A
1.0
1.75
85
105
5.3
3.0
110
140
S
V
mW
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
30
36
1.0
10
"100
nA
V
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DD
= 24 V,
I
D
= 2.5 A，R
G
= 2.5
W
V
GS
= 10 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 1 ，R
G
= 6
W
5.8
5.8
14
1.6
4.8
6.7
13.6
1.8
12
10
25
5.0
ns
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A,
dI
S
/ DT = 100 A / MS
0.85
9.2
4.0
1.2
V
ns
nC
4.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTR4503N
典型性能曲线
10
I
D,
漏电流（安培）
10 V
6V
5V
4.5 V
4.2 V
4V
T
J
= 25°C
3.6 V
3.4 V
3.2 V
3V
2
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
2.8 V
2.6 V
0
2
V
DS
≥
10 V
I
D,
漏电流（安培）
8
3.8 V
8
6
4
4
100°C
25°C
T
J
= 55°C
3
4
5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
6
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
2
3
4
6
5
7
8
9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
10
I
D
= 2.5 A
T
J
= 25°C
0.12
图2.传输特性
T
J
= 25°C
0.11
V
GS
= 4.5 V
0.10
0.09
0.08
V
GS
= 10 V
0.07
2
3
4
5
6
I
D,
漏电流（安培）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
1.8
R
DS （ON ） ，
漏极 - 源极
电阻（标准化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
1
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
100
1000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
10
T
J
= 100°C
5
10
15
20
25
30
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTR4503N
典型性能曲线
V
DS ，
漏 - 源电压（伏）
V
GS ，
栅 - 源电压（伏）
300
V
DS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
15
V
DS
Q
G
V
GS
5
Q
GS
Q
GD
I
D
= 2.5 A
T
J
= 25°C
0
0
1
2
3
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
4
15
C，电容（pF ）
200
C
RSS
10
10
100
C
OSS
0
10
5
0
5
V
GS
0
V
DS
5
10
15
20
25
30
栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）
图7.电容变化
100
I
S
，源电流（安培）
V
DD
= 24 V
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
t
f
10
t
D（上）
t
r
3
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
2
1
1
1
10
R
G
，栅极电阻（欧姆）
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与电流
http://onsemi.com
4
NTR4503N
包装尺寸
SOT23
(TO236)
CASE 318-08
ISSUE AK
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
产品speci fi cation
NTR4503N
功率MOSFET
30 V ， 2.5 A单N沟道， SOT -23
特点
V
（ BR ） DSS
30 V
R
DS （ ON）
典型值
85毫瓦@ 10 V
105毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
2.5 A
领先的平面技术的低栅极电荷/快速切换
4.5 V额定的低电压栅极驱动器
SOT- 23表面贴装的小型封装（ 3× 3毫米），
无铅包装是否可用
N沟道
D
DC- DC转换器
负载/电源开关用于便携式设备
负载/电源开关电脑
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
10 s
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
静电放电能力（注3）
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
C = 100 pF的，
RS = 1500
W
P
D
I
DM
ESD
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.0
1.5
2.5
0.73
1.5
1.1
0.42
6.0
125
-55
150
2.0
260
W
A
V
°C
A
°C
W
A
1
2
单位
V
V
A
应用
G
S
标记图/
引脚分配
3
3
漏
TR3
SOT23
CASE 318
21风格
1
门
2
来源
TR3
M
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
NTR4503NT1
NTR4503NT1G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
NTR4503NT3G
10000 /磁带&卷轴
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 吨< 10秒（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
最大
170
100
300
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
3. ESD额定值信息： HBM 0级。
http://www.twtysemi.com
M
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V
V
GS
= 0 V, V
DS
= 24 V ，T
J
= 125°C
栅极 - 源极漏电流
TY特性
（注4 ）
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
( )
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 2.0 A
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 24 V,
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 2.5 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 24 V
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 15 V
g
FS
V
DS
= 4.5 V，I
D
= 2.5 A
1.0
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
30
符号
测试条件
民
NTR4503N
典型值
最大
单位
36
1.0
10
"100
nA
V
mA
1.75
85
105
5.3
3.0
110
140
V
mW
S
135
52
15
130
42
13
3.6
0.3
0.6
0.7
1.9
0.3
0.6
0.9
250
75
25
7.0
pF
pF
nC
nC
开关特性
（注5 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 10 V, V
DD
= 24 V,
I
D
= 2.5 A，R
G
= 2.5
W
V
GS
= 10 V, V
DD
= 15 V,
I
D
= 1 ，R
G
= 6
W
5.8
5.8
14
1.6
4.8
6.7
13.6
1.8
12
10
25
5.0
ns
ns
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.0 A,
dI
S
/ DT = 100 A / MS
0.85
9.2
4.0
1.2
V
ns
nC
4.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
5.开关特性是独立的工作结点温度。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 2
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