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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第104页 > NTR3162PT3G
NTR3162P
功率MOSFET
特点
20
V,
3.6
A单P沟道， SOT -23
低R
DS （ ON）
在低栅极电压
0.3
V低阈值电压
开关速度快
这是一个Pb - Free设备
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
70毫瓦@
4.5
V
20
V
95毫瓦@
2.5
V
120毫瓦@
1.8
V
I
D
最大
2.2
A
1.9
A
1.7
A
应用
电池管理
在PWM负载开关
电池保护
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
漏电流脉冲
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
1.25
10.7
55
to
150
0.6
260
A
°C
A
°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
价值
20
±8
2.2
1.6
3.6
0.48
W
A
单位
V
V
简化的原理图
门
1
漏
3
2
（ TOP VIEW ）
来源
标记图/
引脚分配
3
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
3
漏
TRDMG
G
1
1
门
2
来源
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热电阻额定值
参数
结到环境
稳态（注1 ）
结到环境
吨< 10秒（注1 ）
符号
R
qJA
R
qJA
最大
260
100
单位
° C / W
TRD
=具体设备守则
M
=日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
NTR3162PT1G
NTR3162PT3G
包
SOT23
（无铅）
SOT23
（无铅）
航运
3000 /
磁带&卷轴
10000 /
磁带&卷轴
1.表面安装用1平方焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年5月
第0版
1
出版订单号：
NTR3162P/D
NTR3162P
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注3）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.2
A
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
1.9
A
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1.7
A
V
GS
=
1.5
V，I
D
=
1.0
A
正向跨导
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
D
=
1.0
A,
dI
SD
/d
t
= 100 A / MS
V
GS
= 0 V，I
S
=
1.0
A，T
J
= 25°C
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
10
V,
I
D
=
3.6
A，R
G
= 6
W
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
10
V,
I
D
=
3.6
A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
=
10
V
V
DS
=
5.0
V，I
D
=
2.2
A
收费，电容和栅极电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
栅极电阻
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
8.0
15
31
50
ns
940
140
100
10.3
0.5
1.4
2.7
6.0
W
nC
pF
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.3
0.6
2.5
48
57
72
88
9.0
S
70
95
120
1.0
V
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安，
参考至25℃
V
GS
= 0 V, V
DS
=
16
V，T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V, V
DS
=
16
V，T
J
= 85°C
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"8
V
20
14.5
1.0
5.0
$100
V
毫伏/°C的
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
0.7
25
8.0
17
11
nC
1.2
V
ns
2.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 2盎司]包括痕迹） 。
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTR3162P
P- CHANNEL典型特征
10
9.0
I
D,
漏电流（ A）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.2
V
V
GS
=
5
V
2.5
V
2.0
V
1.8
V
1.5
V
T
J
= 25°C
I
D,
漏电流（ A）
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0.5
125°C
0.75
1
25°C
T
J
=
55°C
V
DS
=
5
V
1.25
1.5
1.75
2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻（ W）
图2.传输特性
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
I
D
=
2.2
A
T
J
= 25°C
0.30
T
J
= 25°C
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
V
GS
=
1.5
V
V
GS
=
1.8
V
V
GS
=
2.5
V
V
GS
=
4.5
V
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
，栅极电压（V ）
I
D,
漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
R
DS （ON ） ，
漏极至源极电阻
（归一化）
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
1000
I
D
=
2.2
A
V
GS
=
4.5
V
I
DSS
，漏电（ NA）
100000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
10000
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
，结温（ ° C）
V
DS ，
漏极至源极电压（V ）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTR3162P
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
V
GS ，
栅 - 源电压（V）的
5
4
3
Q
gs
2
1
0
V
DS
Q
gd
V
DS
=
10
A
I
D
=
3.6
A
T
J
= 25°C
Q
T
V
GS
12
10
8
6
4
2
0
11
V
DS ，
漏极至源极电压（V ）
C，电容（pF ）
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
F = 1 MHz的
C
RSS
0
5
10
C
OSS
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
=
10
V
I
D
=
3.6
A
V
GS
=
4.5
V
100
T， TIME （ NS ）
图8.栅极至源极和漏极 - 源
电压和总栅极电荷
10
t
D（关闭）
t
f
t
r
T
J
= 150°C
1.0
T
J
= 125°C
T
J
=
55°C
T
J
= 25°C
0.1
0.2
10
t
D（上）
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
0.8
I
D
=
250
mA
0.7
0.6
V
GS （ TH）
(V)
0.5
0.4
0.3
0.2
50
80
70
60
功率（W）的
50
40
30
20
10
25
0
25
50
75
100
125
150
图10.二极管的正向电压与电流
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J
，结温（ ° C）
单脉冲时间（s ）
图11.阈值电压
图12.单脉冲最大功率
耗散
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4
NTR3162P
100
V
GS
=
8
V
单脉冲
T
C
= 25°C
100
ms
1
1毫秒
10毫秒
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
dc
100
I
D,
漏电流（ A）
10
0.01
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图13.最大额定正向偏置
安全工作区
R（T ） ，瞬态热阻
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1
10
100
1000
图14.热响应
http://onsemi.com
5
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NTE5165A
NTE1439
NT732ATTD103J3500J
NMC27C512AN20
NTC1540-20MHZ
NX8565LE946-BC
NM24C17ULZEN
NM93C46TVM8
NL37WZ14US
NTB60N06LG
NAND128R4A2BZB1E
NAWER10M50V4X5.5NBF
NE688M03
NJM2405M
供货商
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厂家
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单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
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    NTR3162PT3G
    -
    -
    -
    -
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联系人：高小姐/李先生
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2022
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