NTR2101P
小信号MOSFET
8.0
V,
3.7
A单P沟道， SOT -23
特点
领先的沟槽技术的低R
DS （ ON）
1.8
V额定的低电压栅极驱动器
SOT- 23表面贴装的小型封装（ 3× 3毫米），
无铅包装是否可用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
39毫瓦@
4.5
V
8.0
V
52毫瓦@
2.5
V
79毫瓦@
1.8
V
P- CHANNEL
D
3.7
A
I
D
最大
应用
高侧负载开关
DC- DC转换器
手机，笔记本电脑，PDA等
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
漏电流脉冲
t
≤
10 s
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
t
≤
10 s
TP = 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
8.0
±8.0
3.7
3.0
0.96
11
55
to
150
1.2
260
W
单位
V
V
A
G
S
3
A
°C
A
°C
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
标记图&
引脚分配
漏
3
TR7 M
G
G
1
门
2
来源
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态
结到环境
t
≤
10 s
符号
R
qJA
R
qJA
最大
160
130
单位
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
TR7
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
NTR2101PT1
NTR2101PT1G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第4版
1
出版订单号：
NTR2101P/D
NTR2101P
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新
标准318-08 。
E
1
2
HE
c
b
q
0.25
e
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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5
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