【NTR1P02T1功率MOSFET-20 V， -1 ， P沟道SOT- 23封装特点超低导通电阻，】,IC型号NTR1P02T1,NTR1P02T1 PDF资料,NTR1P02T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTR1P02T1

功率MOSFET

-20 V， -1 ， P沟道SOT- 23封装

特点

超低导通电阻，从而提高效率

并延长电池寿命

DS （ ON）

= 0.180

= 10 V

DS （ ON）

= 0.280

= 4.5 V

在便携式和电池供电产品的电源管理

小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间

安装信息的SOT- 23封装提供

应用

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

20 V

DS （ ON）

典型值

148毫瓦@ -10 V

最大

1.0 A

P- CHANNEL

DC-DC转换器

电脑

打印机

PCMCIA卡

蜂窝和无绳电话

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

- 脉冲漏电流（T

≤

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度范围

热电阻 - 结到环境

最大无铅焊接温度的

目的（ 1/8“从案例10秒）

符号

DSS

, T

英镑

qJA

价值

±20

1.0

2.67

400

- 55

150

300

260

°C

° C / W

°C

单位

SOT23

CASE 318

21风格

标记图/

引脚分配

漏

门

来源

=具体设备守则

=日期代码

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

订购信息

设备

NTR1P02T1

NTR1P02T3

包

SOT23

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年3月 - 第4版

出版订单号：

NTR1P02T1/D

NTR1P02T1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0 V，I

= 10

毫安）

（正温度系数）

零栅极电压漏极电流

= 20 V, V

= 0 V ，T

= 25°C)

= 20 V, V

= 0 V ，T

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

±20

V, V

= 0 V)

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

毫安）

（负温度系数）

静态漏 - 源极导通电阻

= -10 V，I

= 1.5 A)

= -4.5 V，I

= 0.75 A)

动态特性

输入电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

输出电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

反向传输电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

上升时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

关断延迟时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

下降时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

总栅极电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

栅极 - 源电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

栅极 - 漏极电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

体漏二极管额定值

（注1 ）

二极管正向通态电压（注2 ）

= -0.6 A，V

= 0 V)

= -0.6 A，V

= 0 V ，T

= 150°C)

反向恢复时间

= -1 ，二

/ DT = 100 A /

A / MS ，V

= 0 V)

0.8

0.6

反向恢复电荷存储

= -1 ，二

/ DT = 100 A / MS ，V

= 0 V)

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结温。

13.5

10.5

3.0

0.008

1.0

D（上）

D（关闭）

合计

7.0

9.0

3.0

2.5

0.75

1.0

国际空间站

OSS

RSS

165

110

GS （ TH）

1.1

DS （ ON）

0.148

0.235

0.180

0.280

1.9

4.0

2.3

毫伏/°C的

（ BR ） DSS

DSS

1.0

GSS

±100

毫伏/°C的

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

NTR1P02T1

2.5

，漏极电流（ AMPS ）

2.25

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

0.25

= 2.5 V

1.5

0.75

1.75

0.25

0.5

1.25

，漏极至源极电压（伏）

3 V

4.5 V

4 V

3.5 V

= 25°C

，漏极电流（ AMPS ）

1.75

1.5

1.25

0.75

= 125°C

0.5

0.25

2.5

3.5

1.5

，栅极至源极电压（伏）

= 40°C

≥

10 V

= 25°C

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.1 0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

，漏极电流（ AMPS ）

= 25°C

= 40°C

= 4.5 V

= 150°C

0.275

0.25

0.225

0.2

0.175

0.15

0.125

0.1

0.075

0.05

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

，漏极电流（ AMPS ）

= 40°C

= 25°C

= 10 V

= 150°C

图3.导通电阻与漏电流

和温度

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.5

= 1.5 A

= 10 V

1000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

= 0 V

DSS

，漏电（ NA）

= 150°C

100

1.5

= 125°C

0.5

105

130

155

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

NTR1P02T1

，栅极至源极电压（伏）

300

国际空间站

250

C，电容（pF ）

RSS

200

150

100

= 0 V

国际空间站

= 25°C

4.5

1.5

= 1 A

= 25°C

0.5

1.5

，总栅极电荷（ NC）

OSS

RSS

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

100

，源电流（安培）

= 15 V

= 1 A

= 5 V

T， TIME （ NS ）

D（关闭）

D（上）

1.001

0.901

0.801

0.701

0.601

0.501

0.401

0.301

0.201

0.101

0.001

2.0E01 3.0E01

4.0E01

5.0E01 6.0E01 7.0E01

= 0 V

= 25°C

，栅极电阻（ W）

100

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

http://onsemi.com

NTR1P02T1

包装尺寸

SOT23

(TO236)

CASE 318-08

ISSUE AK

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.最大引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新

标准318-08 。

英寸

民

最大

0.1102

0.1197

0.0472

0.0551

0.0350

0.0440

0.0150

0.0200

0.0701

0.0807

0.0005

0.0040

0.0034

0.0070

0.0140

0.0285

0.0350

0.0401

0.0830

0.1039

0.0177

0.0236

MILLIMETERS

民

最大

2.80

3.04

1.20

1.40

0.89

1.11

0.37

0.50

1.78

2.04

0.013

0.100

0.085

0.177

0.35

0.69

0.89

1.02

2.10

2.64

0.45

0.60

B·S

暗淡

风格21 ：

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

焊接足迹

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

0.8

0.031

SCALE 10 ： 1

英寸

http://onsemi.com

NTR1P02T1

功率MOSFET

-20 V， -1 ， P沟道SOT- 23封装

特点

超低导通电阻，从而提高效率

并延长电池寿命

DS （ ON）

= 0.180

= 10 V

DS （ ON）

= 0.280

= 4.5 V

在便携式和电池供电产品的电源管理

小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间

安装信息的SOT- 23封装提供

应用

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

20 V

DS （ ON）

典型值

148毫瓦@ -10 V

最大

1.0 A

P- CHANNEL

DC-DC转换器

电脑

打印机

PCMCIA卡

蜂窝和无绳电话

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

- 脉冲漏电流（T

≤

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度范围

热电阻 - 结到环境

最大无铅焊接温度的

目的（ 1/8“从案例10秒）

符号

DSS

, T

英镑

qJA

价值

±20

1.0

2.67

400

- 55

150

300

260

°C

° C / W

°C

单位

SOT23

CASE 318

21风格

标记图/

引脚分配

漏

P2W

门

来源

=具体设备守则

=工作周

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

订购信息

设备

NTR1P02T1

NTR1P02T3

包

SOT23

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年7月 - 第3版

出版订单号：

NTR1P02T1/D

NTR1P02T1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0 V，I

= 10

毫安）

（正温度系数）

零栅极电压漏极电流

= 20 V, V

= 0 V ，T

= 25°C)

= 20 V, V

= 0 V ，T

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

±20

V, V

= 0 V)

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

毫安）

（负温度系数）

静态漏 - 源极导通电阻

= -10 V，I

= 1.5 A)

= -4.5 V，I

= 0.75 A)

动态特性

输入电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

输出电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

反向传输电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

上升时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

关断延迟时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

下降时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

总栅极电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

栅极 - 源电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

栅极 - 漏极电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

体漏二极管额定值

（注1 ）

二极管正向通态电压（注2 ）

= -0.6 A，V

= 0 V)

= -0.6 A，V

= 0 V ，T

= 150°C)

反向恢复时间

= -1 ，二

/ DT = 100 A /

A / MS ，V

= 0 V)

0.8

0.6

反向恢复电荷存储

= -1 ，二

/ DT = 100 A / MS ，V

= 0 V)

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结温。

13.5

10.5

3.0

0.008

1.0

D（上）

D（关闭）

合计

7.0

9.0

3.0

2.5

0.75

1.0

国际空间站

OSS

RSS

165

110

GS （ TH）

1.1

DS （ ON）

0.148

0.235

0.180

0.280

1.9

4.0

2.3

毫伏/°C的

（ BR ） DSS

DSS

1.0

GSS

±100

毫伏/°C的

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

NTR1P02T1

2.5

，漏极电流（ AMPS ）

2.25

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

0.25

= 2.5 V

1.5

0.75

1.75

0.25

0.5

1.25

，漏极至源极电压（伏）

3 V

4.5 V

4 V

3.5 V

= 25°C

，漏极电流（ AMPS ）

1.75

1.5

1.25

0.75

= 125°C

0.5

0.25

2.5

3.5

1.5

，栅极至源极电压（伏）

= 40°C

≥

10 V

= 25°C

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.1 0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

，漏极电流（ AMPS ）

= 25°C

= 40°C

= 4.5 V

= 150°C

0.275

0.25

0.225

0.2

0.175

0.15

0.125

0.1

0.075

0.05

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

，漏极电流（ AMPS ）

= 40°C

= 25°C

= 10 V

= 150°C

图3.导通电阻与漏电流

和温度

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.5

= 1.5 A

= 10 V

1000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

= 0 V

DSS

，漏电（ NA）

= 150°C

100

1.5

= 125°C

0.5

105

130

155

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

NTR1P02T1

，栅极至源极电压（伏）

300

国际空间站

250

C，电容（pF ）

RSS

200

150

100

= 0 V

国际空间站

= 25°C

4.5

1.5

= 1 A

= 25°C

0.5

1.5

，总栅极电荷（ NC）

OSS

RSS

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

100

，源电流（安培）

= 15 V

= 1 A

= 5 V

T， TIME （ NS ）

D（关闭）

D（上）

1.001

0.901

0.801

0.701

0.601

0.501

0.401

0.301

0.201

0.101

0.001

2.0E01 3.0E01

4.0E01

5.0E01 6.0E01 7.0E01

= 0 V

= 25°C

，栅极电阻（ W）

100

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

http://onsemi.com

NTR1P02T1

包装尺寸

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-09

ISSUE AJ

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4. 318-01 ， -02 ， -06和陈旧，新

标准318-09 。

英寸

民

最大

0.1102

0.1197

0.0472

0.0551

0.0385

0.0498

0.0140

0.0200

0.0670

0.0826

0.0040

0.0098

0.0034

0.0070

0.0180

0.0236

0.0350

0.0401

0.0830

0.0984

0.0177

0.0236

MILLIMETERS

民

最大

2.80

3.04

1.20

1.40

0.99

1.26

0.36

0.50

1.70

2.10

0.10

0.25

0.085

0.177

0.45

0.60

0.89

1.02

2.10

2.50

0.45

0.60

暗淡

风格21 ：

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

焊接足迹*

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

0.8

0.031

SCALE 10 ： 1

英寸

http://onsemi.com

NTR1P02T1

功率MOSFET

-20 V， -1 ， P沟道SOT- 23封装

特点

超低导通电阻，从而提高效率

并延长电池寿命

DS （ ON）

= 0.180

= 10 V

DS （ ON）

= 0.280

= 4.5 V

在便携式和电池供电产品的电源管理

小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间

安装信息的SOT- 23封装提供

应用

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

20 V

DS （ ON）

典型值

148毫瓦@ -10 V

最大

1.0 A

P- CHANNEL

DC-DC转换器

电脑

打印机

PCMCIA卡

蜂窝和无绳电话

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

- 脉冲漏电流（T

≤

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度范围

热电阻 - 结到环境

最大无铅焊接温度的

目的（ 1/8“从案例10秒）

符号

DSS

, T

英镑

qJA

价值

±20

1.0

2.67

400

- 55

150

300

260

°C

° C / W

°C

单位

SOT23

CASE 318

21风格

标记图/

引脚分配

漏

P2W

门

来源

=具体设备守则

=工作周

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

订购信息

设备

NTR1P02T1

NTR1P02T3

包

SOT23

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2004年

2004年7月 - 第3版

出版订单号：

NTR1P02T1/D

NTR1P02T1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

= 0 V，I

= 10

毫安）

（正温度系数）

零栅极电压漏极电流

= 20 V, V

= 0 V ，T

= 25°C)

= 20 V, V

= 0 V ，T

= 150°C)

门体漏电流（Ⅴ

±20

V, V

= 0 V)

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

毫安）

（负温度系数）

静态漏 - 源极导通电阻

= -10 V，I

= 1.5 A)

= -4.5 V，I

= 0.75 A)

动态特性

输入电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

输出电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

反向传输电容

= 5 V, V

= 0 V ， F = 1.0兆赫）

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

上升时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

关断延迟时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

下降时间

= -15 V，I

= -1 A，V

= -5 V ，R

= 2.5

总栅极电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

栅极 - 源电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

栅极 - 漏极电荷

= 15 V, V

= -5 V，I

= 0.8 A)

体漏二极管额定值

（注1 ）

二极管正向通态电压（注2 ）

= -0.6 A，V

= 0 V)

= -0.6 A，V

= 0 V ，T

= 150°C)

反向恢复时间

= -1 ，二

/ DT = 100 A /

A / MS ，V

= 0 V)

0.8

0.6

反向恢复电荷存储

= -1 ，二

/ DT = 100 A / MS ，V

= 0 V)

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结温。

13.5

10.5

3.0

0.008

1.0

D（上）

D（关闭）

合计

7.0

9.0

3.0

2.5

0.75

1.0

国际空间站

OSS

RSS

165

110

GS （ TH）

1.1

DS （ ON）

0.148

0.235

0.180

0.280

1.9

4.0

2.3

毫伏/°C的

（ BR ） DSS

DSS

1.0

GSS

±100

毫伏/°C的

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

NTR1P02T1

2.5

，漏极电流（ AMPS ）

2.25

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

0.25

= 2.5 V

1.5

0.75

1.75

0.25

0.5

1.25

，漏极至源极电压（伏）

3 V

4.5 V

4 V

3.5 V

= 25°C

，漏极电流（ AMPS ）

1.75

1.5

1.25

0.75

= 125°C

0.5

0.25

2.5

3.5

1.5

，栅极至源极电压（伏）

= 40°C

≥

10 V

= 25°C

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

图2.传输特性

0.45

0.4

0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0.1 0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

，漏极电流（ AMPS ）

= 25°C

= 40°C

= 4.5 V

= 150°C

0.275

0.25

0.225

0.2

0.175

0.15

0.125

0.1

0.075

0.05

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

，漏极电流（ AMPS ）

= 40°C

= 25°C

= 10 V

= 150°C

图3.导通电阻与漏电流

和温度

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.5

= 1.5 A

= 10 V

1000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

= 0 V

DSS

，漏电（ NA）

= 150°C

100

1.5

= 125°C

0.5

105

130

155

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTR1P02T1

，栅极至源极电压（伏）

300

国际空间站

250

C，电容（pF ）

RSS

200

150

100

= 0 V

国际空间站

= 25°C

4.5

1.5

= 1 A

= 25°C

0.5

1.5

，总栅极电荷（ NC）

OSS

RSS

栅极 - 源极或漏极至源极

电压（伏）

图7.电容变化

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

100

，源电流（安培）

= 15 V

= 1 A

= 5 V

T， TIME （ NS ）

D（关闭）

D（上）

1.001

0.901

0.801

0.701

0.601

0.501

0.401

0.301

0.201

0.101

0.001

2.0E01 3.0E01

4.0E01

5.0E01 6.0E01 7.0E01

= 0 V

= 25°C

，栅极电阻（ W）

100

，源极到漏极电压（伏）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与

当前

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NTR1P02T1

包装尺寸

SOT- 23 （ TO- 236 ）

CASE 318-09

ISSUE AJ

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线

涂层厚度。最低LEAD

厚度为最小厚度

基础材料。

4. 318-01 ， -02 ， -06和陈旧，新

标准318-09 。

英寸

民

最大

0.1102

0.1197

0.0472

0.0551

0.0385

0.0498

0.0140

0.0200

0.0670

0.0826

0.0040

0.0098

0.0034

0.0070

0.0180

0.0236

0.0350

0.0401

0.0830

0.0984

0.0177

0.0236

MILLIMETERS

民

最大

2.80

3.04

1.20

1.40

0.99

1.26

0.36

0.50

1.70

2.10

0.10

0.25

0.085

0.177

0.45

0.60

0.89

1.02

2.10

2.50

0.45

0.60

暗淡

风格21 ：

PIN 1. GATE

2.源

3.排水

焊接足迹*

0.95

0.037

0.95

0.037

2.0

0.079

0.9

0.035

0.8

0.031

SCALE 10 ： 1

英寸

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