NTR1P02LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新
标准318-08 。
E
1
2
HE
c
b
q
0.25
e
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
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P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
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电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
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为了文学：
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有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
NTR1P02LT1/D
NTR1P02LT1
功率MOSFET
-20 V， -1.3 A， P沟道
SOT- 23封装
这些微型表面贴装MOSFET的低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
最大
220毫瓦
I
D
最大
1.3 A
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的（ 1/8“从案例10秒）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
价值
20
±12
1.3
4.0
400
- 55
150
300
260
单位
V
V
A
A
mW
°C
° C / W
°C
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
3
G
P- CHANNEL
D
S
标记图/
引脚分配
3
漏
PO2W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1
门
2
来源
PO2 =具体设备守则
W
=工作周
订购信息
设备
NTR1P02LT1
NTR1P02LT1G
NTR1P02LT3
NTR1P02LT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 修订版5
出版订单号：
NTR1P02LT1/D
NTR1P02LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-09
ISSUE AJ
A
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 ， -02 ， -06和陈旧，新
标准318-09 。
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0385
0.0498
0.0140
0.0200
0.0670
0.0826
0.0040
0.0098
0.0034
0.0070
0.0180
0.0236
0.0350
0.0401
0.0830
0.0984
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.99
1.26
0.36
0.50
1.70
2.10
0.10
0.25
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
3
1
2
B
S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
NTR1P02LT1
功率MOSFET
-20 V， -1.3 A， P沟道
SOT- 23封装
这些微型表面贴装MOSFET的低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗，节约能源，使这些器件非常适用
对于空间敏感的电源管理电路使用。典型
应用是直流 - 直流转换器和电源管理在便携式
和电池供电的产品，如计算机，打印机， PCMCIA
卡，手机和无绳电话。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
20 V
R
DS （ ON）
最大
220毫瓦
I
D
最大
1.3 A
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的（ 1/8“从案例10秒）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
价值
20
±12
1.3
4.0
400
- 55
150
300
260
单位
V
V
A
A
mW
°C
° C / W
°C
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
3
G
P- CHANNEL
D
S
标记图/
引脚分配
3
漏
PO2W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1
门
2
来源
PO2 =具体设备守则
W
=工作周
订购信息
设备
NTR1P02LT1
NTR1P02LT1G
NTR1P02LT3
NTR1P02LT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 修订版5
出版订单号：
NTR1P02LT1/D
NTR1P02LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-09
ISSUE AJ
A
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 ， -02 ， -06和陈旧，新
标准318-09 。
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0385
0.0498
0.0140
0.0200
0.0670
0.0826
0.0040
0.0098
0.0034
0.0070
0.0180
0.0236
0.0350
0.0401
0.0830
0.0984
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.99
1.26
0.36
0.50
1.70
2.10
0.10
0.25
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
3
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2
B
S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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5
QQ：2880707522 复制
