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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第108页 > NTR0202PL
NTR0202PL
功率MOSFET
-20 V， -400毫安， P沟道
SOT- 23封装
特点
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
R
DSON
= 0.80
W,
V
GS
= 10 V
R
DSON
= 1.10
W,
V
GS
= 4.5 V
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包装是否可用
应用
V
（ BR ） DSS
20 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
550毫瓦@ -10 V
I
D
最大
= 400毫安
DC-DC转换器
电脑
打印机
PCMCIA卡
蜂窝和无绳电话
P- CHANNEL
D
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
连续漏电流@ T
A
= 25°C
漏电流脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
价值
20
$20
0.4
1.0
225
- 55
150
556
260
单位
V
V
A
mW
°C
° C / W
°C
3
S
标记图/
引脚分配
3
漏
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
PLW
1
门
PL
W
2
来源
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
=具体设备守则
=工作周
订购信息
设备
NTR0202PLT1
包
SOT23
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
NTR0202PLT1G SOT- 23
（无铅）
NTR0202PLT3
SOT23
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
NTR0202PLT3G SOT- 23
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 第2版
出版订单号：
NTR0202PL/D
NTR0202PL
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 10
毫安）
（正温度系数）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 25°C)
(V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V)
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
毫安）
（负温度系数）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= -10 V，I
D
= -200毫安）
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= -50毫安）
正向跨导
(V
DS
= -10 V，I
D
= -200毫安）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管特性
（注2 ）
二极管的正向电压（注2 ）
(I
S
= -400毫安，V
GS
= 0 V)
(I
S
= -400毫安，V
GS
= 0 V ，T
J
= 150°C)
反向恢复时间
(I
S
= -1.0 A，V
GS
= 0 V,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
(I
S
= -1.0 A，V
GS
= 0 V,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
V
SD
0.8
0.65
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
11.8
9
3
0.007
mC
1.0
ns
V
(V
DS
= -15 V，I
D
= -200毫安，
V
GS
= 10 V)
(V
DD
= -15 V，I
D
= -200毫安，
V
GS
= -10 V ，R
G
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
GS
Q
GD
3.0
6.0
18
4
2.18
0.41
0.40
nC
ns
(V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
70
74
26
pF
V
GS （ TH）
1.1
R
DS （ ON）
0.55
0.80
g
fs
0.5
0.80
1.10
姆欧
1.9
3.0
2.3
V
毫伏/°C的
W
V
（ BR ） DSS
20
33
I
DSS
1.0
10
I
GSS
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
民
典型值
最大
单位
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结温。
http://onsemi.com
2
NTR0202PL
0.75
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
6 V
0.5
5.5 V
5 V
3.5 V
3 V
4.5 V
2.5 V
0
0
0.25
0.5
0.75
1.0
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
4 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
1
V
DS
≥
10 V
0.75
T
J
= 125°C
0.5
T
J
= 25°C
0.25
0.25
T
J
= 40°C
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
1.5
T
J
= 150°C
1.0
0.75
V
GS
= 4.5 V
1
T
J
= 25°C
V
GS
= 10 V
0.5
0.5
T
J
= 40°C
0.25
0
0.125
0.25
0.375
0.5
0
0.125
0.25
0.375
0.5
0.625
0.75
0.875 1.0
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
图4.导通电阻与漏
电流和栅极电压
1000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
100
2.5
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
2
1.5
I
D
= 0.05 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V
10
1
0.5
1
T
J
= 25°C
0
40
0.1
15
10
35
60
85
110
135
150
2
6
10
14
18
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
http://onsemi.com
3
NTR0202PL
100
C
国际空间站
80
C，电容（pF ）
C
RSS
60
C
国际空间站
T
J
= 25°C
10
Q
T
7.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
0.9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
5
Q
1
2.5
C
RSS
0
0
0.5
Q
2
C
国际空间站
40
C
OSS
20
C
RSS
0
10
5
V
GS
0
5
V
DS
10
15
20
T
J
= 25°C
I
D
= 0.4 A
1
1.5
2
-GATE - 源极或漏极至源极电压
（伏）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总
收费
1
I
S
，源电流（安培）
100
V
DD
= 16 V
I
D
= 0.2 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
10
t
f
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
0.75
0.5
t
r
t
D（上）
0.25
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NTR0202PL
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-09
ISSUE AJ
A
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 ， -02 ， -06和陈旧，新
标准318-09 。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0385
0.0498
0.0140
0.0200
0.0670
0.0826
0.0040
0.0098
0.0034
0.0070
0.0180
0.0236
0.0350
0.0401
0.0830
0.0984
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.99
1.26
0.36
0.50
1.70
2.10
0.10
0.25
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
3
1
2
B
S
V
G
C
D
H
K
J
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
NTR0202PL
功率MOSFET
20
V,
400
毫安， P沟道
SOT- 23封装
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
20
V
R
DS （ ON）
典型值
550毫瓦@
10
V
P- CHANNEL
D
I
D
最大
400
mA
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
R
DSON
= 0.80
W,
V
GS
=
10
V
R
DSON
= 1.10
W,
V
GS
=
4.5
V
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包可用
应用
DC-DC转换器
电脑
打印机
PCMCIA卡
蜂窝和无绳电话
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
连续漏电流@ T
A
= 25°C
漏电流脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
热阻
结到环境
源电流（体二极管）
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
I
S
T
L
价值
20
$20
0.4
1.0
225
55
150
556
0.4
260
单位
V
V
A
mW
°C
° C / W
A
°C
SOT23
CASE 318
21风格
标记图&
引脚分配
漏
3
PL M
G
G
1
门
2
来源
PL
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
订购信息
设备
NTR0202PLT1
包
SOT23
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
NTR0202PLT1G SOT- 23
（无铅）
NTR0202PLT3
SOT23
NTR0202PLT3G SOT- 23
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第4版
1
出版订单号：
NTR0202PL/D
NTR0202PL
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
=
10
毫安）
（正温度系数）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 25°C)
(V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V)
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
毫安）
（负温度系数）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
=
10
V，I
D
=
200
毫安）
(V
GS
=
4.5
V，I
D
=
50
毫安）
正向跨导
(V
DS
=
10
V，I
D
=
200
毫安）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
(V
DS
=
15
V，I
D
=
200
毫安，
V
GS
=
10
V)
(V
DD
=
15
V，I
D
=
200
毫安，
V
GS
=
10
V ，R
G
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
GS
Q
GD
V
SD
3.0
6.0
18
4
2.18
0.41
0.40
nC
ns
(V
DS
=
5.0
V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
70
74
26
pF
V
GS （ TH）
1.1
1.9
3.0
0.55
0.80
0.5
2.3
V
毫伏/°C的
W
V
（ BR ） DSS
20
V
毫伏/°C的
1.0
10
±100
mA
符号
民
典型值
最大
单位
33
I
DSS
I
GSS
nA
R
DS （ ON）
0.80
1.10
g
fs
姆欧
体漏二极管特性
（注2 ）
二极管的正向电压（注2 ）
(I
S
=
400
毫安，V
GS
= 0 V)
(I
S
=
400
毫安，V
GS
= 0 V ，T
J
= 150°C)
反向恢复时间
(I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
(I
S
=
1.0
A，V
GS
= 0 V,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
0.8
0.65
11.8
9
3
0.007
mC
1.0
V
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结温。
http://onsemi.com
2
NTR0202PL
0.75
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
6
V
0.5
5.5
V
5
V
3.5
V
3
V
4
V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
=
10
V
T
J
= 25°C
1
V
DS
≥
10
V
0.75
T
J
= 125°C
0.5
T
J
= 25°C
0.25
4.5
V
0.25
2.5
V
0
T
J
= 40°C
0
0.25
0.5
0.75
1.0
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
1.5
T
J
= 150°C
1.0
0.75
V
GS
=
4.5
V
V
GS
=
10
V
1
T
J
= 25°C
0.5
T
J
= 40°C
0.5
0.25
0
0.125
0.25
0.375
0.5
0
0.125
0.25
0.375
0.5
0.625
0.75
0.875 1.0
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
图4.导通电阻与漏
电流和栅极电压
1000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
100
2.5
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
2
1.5
1
0.5
0
40
I
D
=
0.05
A
V
GS
=
4.5
V
I
D
=
0.2
A
V
GS
=
10
V
10
1
T
J
= 25°C
0.1
15
10
35
60
85
110
135
150
2
6
10
14
18
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
http://onsemi.com
3
NTR0202PL
100
C
国际空间站
80
C，电容（pF ）
60
40
C
OSS
20
C
RSS
0
10
5
V
GS
0
5
V
DS
10
15
C
RSS
C
国际空间站
T
J
= 25°C
10
Q
T
7.5
C
国际空间站
Q
1
2.5
C
RSS
0
0
0.5
1
1.5
T
J
= 25°C
I
D
=
0.4
A
2
Q
2
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
0.9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
5
20
-GATE - 源
或漏极至源极电压
（伏）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总
收费
1
I
S
，源电流（安培）
100
V
DD
=
16
V
I
D
=
0.2
A
V
GS
=
4.5
V
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
10
t
f
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
0.75
0.5
t
r
t
D（上）
0.25
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NTR0202PL
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
和
09
过时了，新
标准318-08 。
E
1
2
HE
c
b
q
0.25
e
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 ： 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。如果买方
购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
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电话：
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传真：
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当地销售代表。
http://onsemi.com
5
NTR0202PL/D
NTR0202PL
功率MOSFET
-20 V， -400毫安， P沟道
SOT- 23封装
特点
低R
DS （ ON）
提供更高的效率和延长电池寿命
R
DSON
= 0.80
W,
V
GS
= 10 V
R
DSON
= 1.10
W,
V
GS
= 4.5 V
小型SOT- 23表面贴装封装节省电路板空间
无铅包装是否可用
应用
V
（ BR ） DSS
20 V
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R
DS （ ON）
典型值
550毫瓦@ -10 V
I
D
最大
= 400毫安
DC-DC转换器
电脑
打印机
PCMCIA卡
蜂窝和无绳电话
P- CHANNEL
D
G
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
连续漏电流@ T
A
= 25°C
漏电流脉冲（T
p
≤
10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
热电阻 - 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
L
价值
20
$20
0.4
1.0
225
- 55
150
556
260
单位
V
V
A
mW
°C
° C / W
°C
3
S
标记图/
引脚分配
3
漏
1
2
SOT23
CASE 318
21风格
PLW
1
门
PL
W
2
来源
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
=具体设备守则
=工作周
订购信息
设备
NTR0202PLT1
包
SOT23
航运
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
NTR0202PLT1G SOT- 23
（无铅）
NTR0202PLT3
SOT23
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
NTR0202PLT3G SOT- 23
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 第2版
出版订单号：
NTR0202PL/D
NTR0202PL
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 10
毫安）
（正温度系数）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 25°C)
(V
DS
= 20 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0 V)
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
毫安）
（负温度系数）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= -10 V，I
D
= -200毫安）
(V
GS
= -4.5 V，I
D
= -50毫安）
正向跨导
(V
DS
= -10 V，I
D
= -200毫安）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管特性
（注2 ）
二极管的正向电压（注2 ）
(I
S
= -400毫安，V
GS
= 0 V)
(I
S
= -400毫安，V
GS
= 0 V ，T
J
= 150°C)
反向恢复时间
(I
S
= -1.0 A，V
GS
= 0 V,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
(I
S
= -1.0 A，V
GS
= 0 V,
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
V
SD
0.8
0.65
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
11.8
9
3
0.007
mC
1.0
ns
V
(V
DS
= -15 V，I
D
= -200毫安，
V
GS
= 10 V)
(V
DD
= -15 V，I
D
= -200毫安，
V
GS
= -10 V ，R
G
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
GS
Q
GD
3.0
6.0
18
4
2.18
0.41
0.40
nC
ns
(V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
70
74
26
pF
V
GS （ TH）
1.1
R
DS （ ON）
0.55
0.80
g
fs
0.5
0.80
1.10
姆欧
1.9
3.0
2.3
V
毫伏/°C的
W
V
（ BR ） DSS
20
33
I
DSS
1.0
10
I
GSS
±100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
民
典型值
最大
单位
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
3.开关特性是独立的工作结温。
http://onsemi.com
2
NTR0202PL
0.75
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
6 V
0.5
5.5 V
5 V
3.5 V
3 V
4.5 V
2.5 V
0
0
0.25
0.5
0.75
1.0
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
4 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 10 V
T
J
= 25°C
1
V
DS
≥
10 V
0.75
T
J
= 125°C
0.5
T
J
= 25°C
0.25
0.25
T
J
= 40°C
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
1.5
T
J
= 150°C
1.0
0.75
V
GS
= 4.5 V
1
T
J
= 25°C
V
GS
= 10 V
0.5
0.5
T
J
= 40°C
0.25
0
0.125
0.25
0.375
0.5
0
0.125
0.25
0.375
0.5
0.625
0.75
0.875 1.0
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与漏电流
图4.导通电阻与漏
电流和栅极电压
1000
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
I
DSS
，漏电（ NA）
100
2.5
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
2
1.5
I
D
= 0.05 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 0.2 A
V
GS
= 10 V
10
1
0.5
1
T
J
= 25°C
0
40
0.1
15
10
35
60
85
110
135
150
2
6
10
14
18
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
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3
NTR0202PL
100
C
国际空间站
80
C，电容（pF ）
C
RSS
60
C
国际空间站
T
J
= 25°C
10
Q
T
7.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
0.9
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
5
Q
1
2.5
C
RSS
0
0
0.5
Q
2
C
国际空间站
40
C
OSS
20
C
RSS
0
10
5
V
GS
0
5
V
DS
10
15
20
T
J
= 25°C
I
D
= 0.4 A
1
1.5
2
-GATE - 源极或漏极至源极电压
（伏）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总
收费
1
I
S
，源电流（安培）
100
V
DD
= 16 V
I
D
= 0.2 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
t
D（关闭）
10
t
f
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
0.75
0.5
t
r
t
D（上）
0.25
1
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
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4
NTR0202PL
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-09
ISSUE AJ
A
L
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 ， -02 ， -06和陈旧，新
标准318-09 。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0385
0.0498
0.0140
0.0200
0.0670
0.0826
0.0040
0.0098
0.0034
0.0070
0.0180
0.0236
0.0350
0.0401
0.0830
0.0984
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.99
1.26
0.36
0.50
1.70
2.10
0.10
0.25
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
3
1
2
B
S
V
G
C
D
H
K
J
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
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NCP301LSN11T1
N74F756D-T
NAND256W3A2CN6E
NCL30083ADMR2G
NJG1309VB2-C5
NAND01GW4A0CZB6
NJU7102D
NX8564LE6014-CC
NRS226M35
NTE5019T1
NJM2870F29
NCC5003FAWP
NTTFS4824NTAG
NCV8503PW50
NTE4027B
NJM78LR05
NCV8570SN25T1G
NX8562LF445-BA
NM24W04MT8
NZT45C11
供货商
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTR0202PL
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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