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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第281页 > NTP75N06
NTP75N06 ， NTB75N06
功率MOSFET
75安培， 60伏， N沟道
的TO-220和D
2
PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
典型应用
75安培， 60伏
R
DS （ ON）
= 9.5毫瓦
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ， L = 0.3 mH的
I
L（ PK）
= 75 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
75
50
225
214
1.4
2.4
-55
+175
844
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
4
单位
VDC
VDC
VDC
4
记号
图表
4
漏
TO220
CASE 221A
风格5
1
门
75N06
AYWW
1
2
3
3
来源
2
漏
4
漏
T
J
, T
英镑
E
AS
° C / W
R
QJC
R
qJA
T
L
0.7
62.5
260
°C
2
3
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
75N06
AYWW
2
1
3
漏
门
来源
75N06
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第2版
出版订单号：
NTP75N06/D
NTP75N06 ， NTB75N06
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注1 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压（注1 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注1 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 37.5 ADC）
静态漏 - 源极导通电压（注1 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 75 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 37.5 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注1 ） （V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 37.5 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 75 ADC ，
Vd
Ad
V
GS
= 10 VDC ）（注1 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏，
Ad
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS） （注1 ）
反向恢复电荷存储
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结点温度。
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏） （注1 ）
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
1.0
0.9
77
49
28
0.16
1.1
mC
VDC
ns
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 75 ADC ，
V
GS
= 10伏，R
G
= 9.1
W)
（注1 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
16
112
90
100
92
14
44
25
155
125
140
130
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
3220
1020
234
4510
1430
330
pF
V
GS （ TH）
2.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
0.72
0.63
40.2
0.86
姆欧
8.2
9.5
VDC
2.8
8.0
4.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
10
100
±100
NADC
71
73
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTP75N06 ， NTB75N06
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
140
120
100
80
V
GS
= 9 V
60
40
20
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 7 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 5.5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6.5 V
V
GS
= 6 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
3
3.5
4
4.5
T
J
= 55°C
5
5.5
6
6.5
7
V
DS
w
10 V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
图2.传输特性
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.015
V
GS
= 10 V
0.013
0.011
0.009
0.007
T
J
= 55°C
0.005
0.003
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0.015
V
GS
= 15 V
0.013
T
J
= 100°C
0.011
0.009
T
J
= 25°C
0.007
T
J
= 55°C
0.005
0.003
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
10
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
I
D
= 37.5 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
100
T
J
= 100°C
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTP75N06 ， NTB75N06
10000
V
DS
= 0 V
C，电容（pF ）
8000
C
国际空间站
6000
C
RSS
4000
C
国际空间站
C
OSS
2000
C
RSS
0
10
5
V
GS
0
V
DS
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
12
10
8
Q
1
6
4
2
0
I
D
= 75 A
T
J
= 25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Q
2
Q
T
V
GS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极 - 源极（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.6
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
r
t
D（关闭）
10
t
D（上）
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
V
GS
= 5 V
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
1
0.64 0.68 0.72 0.76 0.8
0.84 0.86 0.92 0.96
1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
图10.二极管的正向电压与电流
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
ms
I
D
= 75 A
800
100
100
ms
1毫秒
10
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
0.1
1
10
10毫秒
dc
600
400
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
http://onsemi.com
4
NTP75N06 ， NTB75N06
R（T ），有效瞬态热阻
（归一化）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
吨，时间（ ms）的
0.1
P
（ PK）
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
1.0
10
图13.热响应
订购信息
设备
NTP75N06
NTP75N06G
NTB75N06
NTB75N06G
NTB75N06T4
NTB75N06T4G
包
TO220
TO220
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
800磁带&卷轴
800磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
NTP75N06 ， NTB75N06
功率MOSFET
75安培， 60伏， N沟道
的TO-220和D
2
PAK
在专为低电压，高速开关应用
电源，转换器和功率电机控制和桥
电路。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用
典型应用
75安培， 60伏
R
DS （ ON）
= 9.5毫瓦
N沟道
D
电源
转换器
电源电机控制
桥电路
G
S
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
漏极至栅极电压（R
GS
= 10毫瓦）
栅极 - 源极电压
- 连续
- 不重复（T
p
v10
女士）
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 100°C
- 单脉冲（T
p
v10
女士）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= 50伏，V
GS
= 10 VDC ， L = 0.3 mH的
I
L（ PK）
= 75 A，V
DS
= 60 VDC ）
热阻
- 结到外壳
- 结到环境
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
价值
60
60
"20
"30
75
50
225
214
1.4
2.4
-55
+175
844
ADC
APK
W
W / ℃，
W
°C
mJ
4
单位
VDC
VDC
VDC
4
记号
图表
4
漏
TO220
CASE 221A
风格5
1
门
75N06
AYWW
1
2
3
3
来源
2
漏
4
漏
T
J
, T
英镑
E
AS
° C / W
R
QJC
R
qJA
T
L
0.7
62.5
260
°C
2
3
D
2
PAK
CASE 418B
方式2
75N06
AYWW
2
1
3
漏
门
来源
75N06
A
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
订购信息
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尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第2版
出版订单号：
NTP75N06/D
NTP75N06 ， NTB75N06
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压（注1 ）
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
门体漏电流（Ⅴ
GS
=
±
20伏直流电，V
DS
= 0伏）
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压（注1 ）
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
阈值温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻（注1 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 37.5 ADC）
静态漏 - 源极导通电压（注1 ）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 75 ADC）
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 37.5 ADC ，T
J
= 150°C)
正向跨导（注1 ） （V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 37.5 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
传输电容
开关特性
（注2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
(V
DS
= 48伏直流，我
D
= 75 ADC ，
Vd
Ad
V
GS
= 10 VDC ）（注1 ）
源极 - 漏极二极管的特性
在正向电压
反向恢复时间
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏，
Ad
Vd
dI
S
/ DT = 100 A / MS） （注1 ）
反向恢复电荷存储
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%.
2.开关特性是独立的工作结点温度。
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏） （注1 ）
(I
S
= 75 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 150°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
1.0
0.9
77
49
28
0.16
1.1
mC
VDC
ns
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 75 ADC ，
V
GS
= 10伏，R
G
= 9.1
W)
（注1 ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
T
Q
1
Q
2
16
112
90
100
92
14
44
25
155
125
140
130
nC
ns
(V
DS
= 25伏，V
GS
= 0伏，
Vd
Vd
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
3220
1020
234
4510
1430
330
pF
V
GS （ TH）
2.0
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
FS
0.72
0.63
40.2
0.86
姆欧
8.2
9.5
VDC
2.8
8.0
4.0
VDC
毫伏/°C的
mW
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
10
100
±100
NADC
71
73
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
NTP75N06 ， NTB75N06
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
140
120
100
80
V
GS
= 9 V
60
40
20
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 7 V
V
GS
= 8 V
V
GS
= 5.5 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6.5 V
V
GS
= 6 V
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
3
3.5
4
4.5
T
J
= 55°C
5
5.5
6
6.5
7
V
DS
w
10 V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
图2.传输特性
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
0.015
V
GS
= 10 V
0.013
0.011
0.009
0.007
T
J
= 55°C
0.005
0.003
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
0.015
V
GS
= 15 V
0.013
T
J
= 100°C
0.011
0.009
T
J
= 25°C
0.007
T
J
= 55°C
0.005
0.003
0
20
40
60
80
100
120
140
160
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图3.导通电阻与栅极 - 源
电压
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
50
10
25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
I
D
= 37.5 A
V
GS
= 10 V
I
DSS
，漏电（ NA）
10000
图4.导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
= 0 V
T
J
= 150°C
1000
T
J
= 125°C
100
T
J
= 100°C
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
http://onsemi.com
3
NTP75N06 ， NTB75N06
10000
V
DS
= 0 V
C，电容（pF ）
8000
C
国际空间站
6000
C
RSS
4000
C
国际空间站
C
OSS
2000
C
RSS
0
10
5
V
GS
0
V
DS
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
12
10
8
Q
1
6
4
2
0
I
D
= 75 A
T
J
= 25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Q
2
Q
T
V
GS
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
5
10
15
20
25
栅极 - 源极或漏极 - 源极（ V）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
1000
I
S
，源电流（安培）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.6
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
100
t
f
t
r
t
D（关闭）
10
t
D（上）
V
DS
= 30 V
I
D
= 75 A
V
GS
= 5 V
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
1
0.64 0.68 0.72 0.76 0.8
0.84 0.86 0.92 0.96
1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
E
AS
，单脉冲漏极 - 源
雪崩能量（兆焦耳）
1000
图10.二极管的正向电压与电流
V
GS
= 20 V
单脉冲
T
C
= 25°C
10
ms
I
D
= 75 A
800
100
100
ms
1毫秒
10
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
1
0.1
1
10
10毫秒
dc
600
400
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T
J
，起动结温（ ° C）
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
图12.最大雪崩能量 -
开始结温
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4
NTP75N06 ， NTB75N06
R（T ），有效瞬态热阻
（归一化）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.01
吨，时间（ ms）的
0.1
P
（ PK）
R
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
1.0
10
图13.热响应
订购信息
设备
NTP75N06
NTP75N06G
NTB75N06
NTB75N06G
NTB75N06T4
NTB75N06T4G
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（无铅）
D
2
PAK
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
D
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PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
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