【NTB75N03R ， NTP75N03R功率MOSFET75安培， 25伏N沟2PAK ， TO-】,IC型号NTP75N03R,NTP75N03R PDF资料,NTP75N03R经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTB75N03R ， NTP75N03R

功率MOSFET

75安培， 25伏

N沟

PAK ， TO- 220

特点

http://onsemi.com

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

75安培

25伏

DS （ ON）

= 5.6毫欧（典型值）

单位

° C / W

°C

门

260

°C

漏

来源

75N03

门

P75N03R

YWW

TO220AB

CASE 221A

风格5

PAK

CASE 418AA

方式2

±20

1.68

74.4

225

2.08

12.6

100

1.25

9.7

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

热电阻 - 结到外壳

总功率耗散@ T

= 25°C

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

- 单脉冲（T

= 10

女士）

热电阻 - 结到环境

（注1 ）

总功率耗散@ T

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

= 25°C

热电阻 - 结到环境

（注2 ）

总功率耗散@ T

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

= 25°C

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

= 25°C

= 30 V

, V

= 10 V

, I

= 12 A

L = 1 mH的，R

= 25

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

DSS

QJC

qJA

, T

英镑

价值

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

漏

-55

150

71.7

75N03R

YWW

漏

来源

1.当表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板，

在（铜面积1.127

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

大小（铜面积在0.412

=器件代码

=年

=工作周

订购信息

设备

NTP75N03R

NTB75N03R

NTB75N03RT4

包

TO220AB

PAK

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2003

2003年10月 - 第2版

出版订单号：

NTB75N03R/D

NTB75N03R ， NTP75N03R

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

= 0 V

, I

= 250

)

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 20 V

, V

= 0 V

)

= 20 V

, V

= 0 V

, T

= 150°C)

门体漏电流

±20

, V

= 0 V

)

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

= V

, I

= 250

)

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

= 4.5 V

, I

= 20 A

)

= 10 V

, I

= 20 A

)

正向跨导（注3 ）

= 10 V

, I

= 15 A

)

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

= 5 V

, I

= 30 A

= 10 V

）（注3）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

= 20 A

, V

= 0 V

) (

（注3）

(

)

= 20 A

, V

= 0 V

, T

= 125°C)

反向恢复时间

= 35 A

, V

= 0 V

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比= 2 ％。

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

0.86

0 73

0.73

15.6

13.8

1.78

0.004

1.2

= 10 V

, V

= 10 V

= 30 A

, R

= 3

D（上）

D（关闭）

6.9

1.3

18.4

5.5

13.2

3.3

6.2

= 20 V

, V

= 0 V,

F = 1 MHz）的

国际空间站

OSS

RSS

1333

600

218

GS （ TH）

1.0

DS （ ON）

8.1

5.6

8.0

姆欧

1.5

4.0

2.0

毫伏/°C的

（ BR ） DSS

DSS

GSS

1.0

±100

20.5

毫伏/°C的

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

NTB75N03R ， NTP75N03R

140

，漏极电流（ AMPS ）

120

100

10 V

140

4.5 V

，漏极电流（ AMPS ）

120

100

= 25°C

= 125°C

= 55°C

≥

10 V

3.5 V

= 2.5 V

，漏极至源极电压（伏）

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.022

= 10 V

0.018

0.022

= 4.5 V

= 150°C

0.018

0.014

= 150°C

= 125°C

0.006

0.002

= 25°C

= 55°C

100

120

140

0.014

= 125°C

0.010

= 25°C

0.010

0.006

= 55°C

0.002

100

120

140

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

100

125

150

= 30 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

10,000

100,000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

= 0 V

= 150°C

= 125°C

1000

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

NTB75N03R ， NTP75N03R

功率MOSFET开关

交换行为是最容易建模和预测

由认识到功率MOSFET是充电

控制。各种开关间隔的长度（ΔT）

由如何快速FET输入电容可确定

从发电机通过电流进行充电。

已发布的电容数据是难以用于

计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容

变化很大随施加电压。因此，门

电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计

平均输入电流（I

G（ AV ）

）可以由一个作

驱动电路，使得基本的分析

T = Q / I

G（ AV ）

在上升和下降时间间隔切换时，

阻性负载，V

实际上保持恒定的水平

被誉为高原电压，V

SGP

。因此，上升和下降

时间可近似由下：

= Q

个R

/(V

普遍优惠制

)

= Q

个R

普遍优惠制

哪里

=栅极驱动电压，其中从0变到V

=栅极驱动电阻

和Q

和V

普遍优惠制

从栅极电荷曲线读取。

在导通和关断延迟时间，栅极电流是

不是恒定的。最简单的计算使用合适的

在一个标准方程用于从所述电容值曲线

电压的变化的RC网络。该方程为：

D（上）

= R

国际空间站

在[V

/(V

普遍优惠制

)]

D（关闭）

= R

国际空间站

在（V

普遍优惠制

)

的电容（C

国际空间站

）从电容曲线上读出在

对应于关断状态的条件时的电压

计算牛逼

D（上）

和读出在对应于一个电压

导通状态时，计算吨

D（关闭）

在高开关速度，寄生电路元件

复杂的分析。 MOSFET的电感

源引，内包装，在电路布线

这是通用的漏极和栅极的电流路径，

产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源

电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的

是漏极电流的函数，在数学溶液

复杂的。 MOSFET的输出电容也

复杂的数学。最后， MOSFET的

有限的内部栅极电阻，有效地增加了

所述驱动源的电阻，但内阻

难以测量，因此，没有被指定。

电阻开关时间变化与门

电阻（图9）显示了如何典型开关

性能由寄生电路元件的影响。如果

寄生效应不存在时，曲线的斜率将

保持统一的值，而不管开关速度。

用于获得所述数据的电路被构造以最小化

在漏极和栅极电路环路共同电感和

被认为是很容易达到的板装

组件。大多数电力电子负载是感性的;该

图中的数据是使用电阻性负载，其

近似的最佳冷落感性负载。动力

的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;

然而，不压井作业减少了开关损耗。

2400

国际空间站

2000

C，电容（pF ）

1600

1200

800

400

= 0 V V

= 0 V

OSS

RSS

= 25°C

国际空间站

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

http://onsemi.com

NTB75N03R ， NTP75N03R

VGS ，栅极至源极电压（伏）

1000

T， TIME （ NS ）

100

D（关闭）

D（上）

= 10 V

= 35 A

= 10 V

100

= 35 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

，栅极电阻（欧姆）

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

漏极至源极二极管特性

IS ，源电流（安培）

= 0 V

= 150°C

= 25°C

0.6

0.8

0.2

0.4

，源极到漏极电压（伏）

1.0

图10.二极管的正向电压与电流

安全工作区

正向偏置安全工作区曲线定义

的最大同时漏极 - 源极电压和

漏电流的晶体管可以处理安全时，它是

正向偏置。曲线是基于最大峰值

结温度和壳体温度（T

） 25℃ 。

重复峰值脉冲功率限制使用确定

在与程序一起使用时的热响应数据

在AN569讨论， “瞬态热阻 -

一般数据和它的使用。 “

关断状态，导通状态可能会之间的切换

遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流

），也不额定电压（V

DSS

）的上限和

过渡时间（t

）不超过10

此外，该总

功率平均一个完整的开关周期不得

超过（T

J（下最大）

)/(R

θJC

指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用

与松开感性负载的开关电路。为

可靠的操作，所存储的能量从电路电感

耗散在晶体管，而在雪崩必须小于

超过额定界限和调节操作条件

从这些规定不同。虽然行业惯例是

以速度在能源方面，雪崩能量能力不

一个常数。能量等级降低非线性地与

峰值电流的增加，雪崩和峰值结

温度。

虽然许多E-场效应管能承受的压力

漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲

电流（I

），能量等级在额定指定

连续电流（I

），按照行业惯例。

能量等级必须降低温度，如图

在所附的图中（图12）。在最大能量

低于额定连续电流我

可以安全地假定为

等于指定的值。

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NTB75N03R ， NTP75N03R

功率MOSFET

75安培， 25伏

N沟

PAK ， TO- 220

特点

http://onsemi.com

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

75安培

25伏

DS （ ON）

= 5.6毫欧（典型值）

单位

° C / W

°C

门

260

°C

漏

来源

75N03

门

P75N03R

YWW

TO220AB

CASE 221A

风格5

PAK

CASE 418AA

方式2

±20

1.68

74.4

225

2.08

12.6

100

1.25

9.7

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压 - 连续

热电阻 - 结到外壳

总功率耗散@ T

= 25°C

漏电流

- 连续@ T

= 25°C

- 单脉冲（T

= 10

女士）

热电阻 - 结到环境

（注1 ）

总功率耗散@ T

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

= 25°C

热电阻 - 结到环境

（注2 ）

总功率耗散@ T

= 25°C

漏电流 - 连续@ T

= 25°C

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源 - 起始物为

= 25°C

= 30 V

, V

= 10 V

, I

= 12 A

L = 1 mH的，R

= 25

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

DSS

QJC

qJA

, T

英镑

价值

标记DIAGRAMS

＆放大器;引脚分配

漏

-55

150

71.7

75N03R

YWW

漏

来源

1.当表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板，

在（铜面积1.127

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

大小（铜面积在0.412

=器件代码

=年

=工作周

订购信息

设备

NTP75N03R

NTB75N03R

NTB75N03RT4

包

TO220AB

PAK

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2003

2003年10月 - 第2版

出版订单号：

NTB75N03R/D

NTB75N03R ， NTP75N03R

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注3 ）

= 0 V

, I

= 250

)

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 20 V

, V

= 0 V

)

= 20 V

, V

= 0 V

, T

= 150°C)

门体漏电流

±20

, V

= 0 V

)

基本特征

（注3）

栅极阈值电压（注3 ）

= V

, I

= 250

)

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注3 ）

= 4.5 V

, I

= 20 A

)

= 10 V

, I

= 20 A

)

正向跨导（注3 ）

= 10 V

, I

= 15 A

)

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

= 5 V

, I

= 30 A

= 10 V

）（注3）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

= 20 A

, V

= 0 V

) (

（注3）

(

)

= 20 A

, V

= 0 V

, T

= 125°C)

反向恢复时间

= 35 A

, V

= 0 V

/ DT = 100 A / MS）（注3 ）

反向恢复电荷存储

3.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比= 2 ％。

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

0.86

0 73

0.73

15.6

13.8

1.78

0.004

1.2

= 10 V

, V

= 10 V

= 30 A

, R

= 3

D（上）

D（关闭）

6.9

1.3

18.4

5.5

13.2

3.3

6.2

= 20 V

, V

= 0 V,

F = 1 MHz）的

国际空间站

OSS

RSS

1333

600

218

GS （ TH）

1.0

DS （ ON）

8.1

5.6

8.0

姆欧

1.5

4.0

2.0

毫伏/°C的

（ BR ） DSS

DSS

GSS

1.0

±100

20.5

毫伏/°C的

符号

民

典型值

最大

单位

http://onsemi.com

NTB75N03R ， NTP75N03R

140

，漏极电流（ AMPS ）

120

100

10 V

140

4.5 V

，漏极电流（ AMPS ）

120

100

= 25°C

= 125°C

= 55°C

≥

10 V

3.5 V

= 2.5 V

，漏极至源极电压（伏）

，栅极至源极电压（伏）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

DS （ ON）

，漏源电阻（ Ω ）

图2.传输特性

0.022

= 10 V

0.018

0.022

= 4.5 V

= 150°C

0.018

0.014

= 150°C

= 125°C

0.006

0.002

= 25°C

= 55°C

100

120

140

0.014

= 125°C

0.010

= 25°C

0.010

0.006

= 55°C

0.002

100

120

140

，漏极电流（ AMPS ）

图3.导通电阻与漏电流

和温度

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

100

125

150

= 30 A

= 10 V

DSS

，漏电（ NA）

10,000

100,000

图4.导通电阻与漏电流

和温度

= 0 V

= 150°C

= 125°C

1000

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

NTB75N03R ， NTP75N03R

功率MOSFET开关

交换行为是最容易建模和预测

由认识到功率MOSFET是充电

控制。各种开关间隔的长度（ΔT）

由如何快速FET输入电容可确定

从发电机通过电流进行充电。

已发布的电容数据是难以用于

计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容

变化很大随施加电压。因此，门

电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计

平均输入电流（I

G（ AV ）

）可以由一个作

驱动电路，使得基本的分析

T = Q / I

G（ AV ）

在上升和下降时间间隔切换时，

阻性负载，V

实际上保持恒定的水平

被誉为高原电压，V

SGP

。因此，上升和下降

时间可近似由下：

= Q

个R

/(V

普遍优惠制

)

= Q

个R

普遍优惠制

哪里

=栅极驱动电压，其中从0变到V

=栅极驱动电阻

和Q

和V

普遍优惠制

从栅极电荷曲线读取。

在导通和关断延迟时间，栅极电流是

不是恒定的。最简单的计算使用合适的

在一个标准方程用于从所述电容值曲线

电压的变化的RC网络。该方程为：

D（上）

= R

国际空间站

在[V

/(V

普遍优惠制

)]

D（关闭）

= R

国际空间站

在（V

普遍优惠制

)

的电容（C

国际空间站

）从电容曲线上读出在

对应于关断状态的条件时的电压

计算牛逼

D（上）

和读出在对应于一个电压

导通状态时，计算吨

D（关闭）

在高开关速度，寄生电路元件

复杂的分析。 MOSFET的电感

源引，内包装，在电路布线

这是通用的漏极和栅极的电流路径，

产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源

电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的

是漏极电流的函数，在数学溶液

复杂的。 MOSFET的输出电容也

复杂的数学。最后， MOSFET的

有限的内部栅极电阻，有效地增加了

所述驱动源的电阻，但内阻

难以测量，因此，没有被指定。

电阻开关时间变化与门

电阻（图9）显示了如何典型开关

性能由寄生电路元件的影响。如果

寄生效应不存在时，曲线的斜率将

保持统一的值，而不管开关速度。

用于获得所述数据的电路被构造以最小化

在漏极和栅极电路环路共同电感和

被认为是很容易达到的板装

组件。大多数电力电子负载是感性的;该

图中的数据是使用电阻性负载，其

近似的最佳冷落感性负载。动力

的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;

然而，不压井作业减少了开关损耗。

2400

国际空间站

2000

C，电容（pF ）

1600

1200

800

400

= 0 V V

= 0 V

OSS

RSS

= 25°C

国际空间站

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

http://onsemi.com

NTB75N03R ， NTP75N03R

VGS ，栅极至源极电压（伏）

1000

T， TIME （ NS ）

100

D（关闭）

D（上）

= 10 V

= 35 A

= 10 V

100

= 35 A

= 25°C

，总栅极电荷（ NC）

，栅极电阻（欧姆）

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

漏极至源极二极管特性

IS ，源电流（安培）

= 0 V

= 150°C

= 25°C

0.6

0.8

0.2

0.4

，源极到漏极电压（伏）

1.0

图10.二极管的正向电压与电流

安全工作区

正向偏置安全工作区曲线定义

的最大同时漏极 - 源极电压和

漏电流的晶体管可以处理安全时，它是

正向偏置。曲线是基于最大峰值

结温度和壳体温度（T

） 25℃ 。

重复峰值脉冲功率限制使用确定

在与程序一起使用时的热响应数据

在AN569讨论， “瞬态热阻 -

一般数据和它的使用。 “

关断状态，导通状态可能会之间的切换

遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流

），也不额定电压（V

DSS

）的上限和

过渡时间（t

）不超过10

此外，该总

功率平均一个完整的开关周期不得

超过（T

J（下最大）

)/(R

θJC

指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用

与松开感性负载的开关电路。为

可靠的操作，所存储的能量从电路电感

耗散在晶体管，而在雪崩必须小于

超过额定界限和调节操作条件

从这些规定不同。虽然行业惯例是

以速度在能源方面，雪崩能量能力不

一个常数。能量等级降低非线性地与

峰值电流的增加，雪崩和峰值结

温度。

虽然许多E-场效应管能承受的压力

漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲

电流（I

），能量等级在额定指定

连续电流（I

），按照行业惯例。

能量等级必须降低温度，如图

在所附的图中（图12）。在最大能量

低于额定连续电流我

可以安全地假定为

等于指定的值。

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