【NTB65N02R ， NTP65N02R产品预览功率MOSFET65 A， 24 V的N沟道的TO】,IC型号NTP65N02,NTP65N02 PDF资料,NTP65N02经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTB65N02R ， NTP65N02R

产品预览

功率MOSFET

65 A， 24 V的N沟道

的TO-220 ，D

PAK

http://onsemi.com

特点

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DSON

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

快速开关

65 A， 24 V

DS （ ON）

= 8.3毫瓦（ TYP ）

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

符号

DSS

和

英镑

价值

±20

160

-55

150

待定

单位

°C

TO–220AB

CASE 221A

风格5

xxxxx

YWW

漏电流（连续@ T

= 25 ° C（注3 ）

单脉冲（ TP = 10

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度

单脉冲漏到源雪崩

能源 - 起始物为

=25°C

= 50 V

, V

= 5 V

, I

= A

， L = 1 mH的，

= 25

热阻

结到外壳

结到环境（注1 ）

结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

记号

图表

QJC

qJA

1.6

120

260

° C / W

°C

PAK

CASE 418B

方式2

1.当表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板（铜区

在1.127

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

大小（铜面积在0.412

3.芯片电流能力受限包。

1 3

xxxxx

YWW

引脚分配

针

功能

门

漏

来源

漏

xxxxx

=具体设备守则

=年

=工作周

订购信息

设备

NTB65N02R

NTB65N02RT4

包

PAK

TO–220AB

航运

50单位/铁

800磁带&卷轴

50单位/铁

本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体

保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。

NTP65N02R

半导体元件工业有限责任公司， 2002年

2002年10月 - 修订版0

出版订单号：

NTB65N02R/D

NTB65N02R ， NTP65N02R

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注4 ）

= 0 V

, I

= 250

)

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 20 V

, V

= 0 V

)

= 20 V

, V

= 0 V

, T

= 150°C)

门体漏电流

±20

, V

= 0 V

)

基本特征

（注4 ）

栅极阈值电压（注4 ）

= V

, I

= 250

)

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）

= 4.5 V

, I

= 15 A

)

= 10 V

, I

= 20 A

)

= 10 V

, I

= 30 A

)

正向跨导（注4 ）

= 10 V

, I

= 15 A

)

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注5 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

= 4.5 V

, I

= 30 A

= 10 V

）（注4 ）

源极 - 漏极二极管的特性

正向电压上

导通电压

= 20 A

, V

= 0 V

）（注4 ）

(

= 30 A

, V

= 0 V

)

= 20 A

, V

= 0 V

, T

= 125°C)

–

0.88

1.10

0.80

0 80

15.5

12.6

2.6

0.005

1.2

–

= 5 V

, V

= 10 V

= 30 A

, R

= 3

（上）

（关闭）

–

11.2

8.4

3.7

4.04

100

–

(

= 24 V

, V

= 0 V F = 1 MHz）的

)

国际空间站

OSS

RSS

–

1050

394

1470

550

120

（ TH ）

1.0

–

（上）

–

10.5

8.3

9.5

12.5

10.5

–

姆欧

1.5

–4.1

2.0

–

毫伏/°C的

V（ BR ）

DSS

–

DSS

–

GSS

–

1.5

±100

27.5

25.5

–

毫伏/°C的

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

= 20 A

, V

= 0 V

/ DT = 100 A / MS ）（注4 ）

反向恢复电荷存储

4.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比= 2 ％。

5.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

NTB65N02R ， NTP65N02R

包装尺寸

TO–220AB

CASE 221A -09

ISSUE AA

–T–

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有

身体和铅的凹凸

允许的。

暗淡

英寸

民

最大

0.570

0.620

0.380

0.405

0.160

0.190

0.025

0.035

0.142

0.147

0.095

0.105

0.110

0.155

0.018

0.025

0.500

0.562

0.045

0.060

0.190

0.210

0.100

0.120

0.080

0.110

0.045

0.055

0.235

0.255

0.000

0.050

0.045

---

0.080

门

漏

来源

漏

MILLIMETERS

民

最大

14.48

15.75

9.66

10.28

4.07

4.82

0.64

0.88

3.61

3.73

2.42

2.66

2.80

3.93

0.46

0.64

12.70

14.27

1.15

1.52

4.83

5.33

2.54

3.04

2.04

2.79

1.15

1.39

5.97

6.47

0.00

1.27

1.15

---

2.04

1 2 3

风格5 ：

PIN 1 。

PAK

CASE 418B -04

ISSUE摹

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，新

标准418B -04 。

暗淡

英寸

民

最大

0.340

0.380

0.405

0.160

0.190

0.020

0.035

0.045

0.055

0.310

0.350

0.100 BSC

0.080

0.110

0.018

0.025

0.090

0.110

0.052

0.072

0.280

0.320

0.197 REF

0.079 REF

0.039 REF

0.575

0.625

0.045

0.055

门

漏

来源

漏

MILLIMETERS

民

最大

8.64

9.65

10.29

4.06

4.83

0.51

0.89

1.14

1.40

7.87

8.89

2.54 BSC

2.03

2.79

0.46

0.64

2.29

2.79

1.32

1.83

7.11

8.13

5.00 REF

2.00 REF

0.99 REF

14.60

15.88

1.14

1.40

–B–

–T–

座位

飞机

3 PL

0.13 (0.005)

T B

方式2 ：

PIN 1 。

http://onsemi.com

NTB65N02R ， NTP65N02R

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的

更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保

特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有

赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或

规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是

验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。

SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡

可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC

其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害

所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，

SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。

出版物订货信息

文学履行：

安森美半导体文学配送中心

P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国

电话：

303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大

传真：

303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大

电子邮件：

ONlit@hibbertco.com

N.美国技术支持：

800-282-9855免费电话美国/加拿大

日本：

安森美半导体，日本顾客焦点中心

2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051

电话：

81–3–5773–3850

电子邮件：

r14525@onsemi.com

安森美半导体网站：

http://onsemi.com

有关更多信息，请联系您当地的

销售代表。

http://onsemi.com

NTB65N02R/D

NTB65N02R ， NTP65N02R

产品预览

功率MOSFET

65 A， 24 V的N沟道

的TO-220 ，D

PAK

http://onsemi.com

特点

平面HD3e工艺的快速开关性能

低R

DSON

为最大限度地减少传导损耗

低C

国际空间站

以最小化驱动程序丢失

低栅电荷

快速开关

65 A， 24 V

DS （ ON）

= 8.3毫瓦（ TYP ）

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

符号

DSS

和

英镑

价值

±20

160

-55

150

待定

单位

°C

TO–220AB

CASE 221A

风格5

xxxxx

YWW

漏电流（连续@ T

= 25 ° C（注3 ）

单脉冲（ TP = 10

女士）

总功率耗散@ T

= 25°C

工作和存储温度

单脉冲漏到源雪崩

能源 - 起始物为

=25°C

= 50 V

, V

= 5 V

, I

= A

， L = 1 mH的，

= 25

热阻

结到外壳

结到环境（注1 ）

结到环境（注2 ）

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

记号

图表

QJC

qJA

1.6

120

260

° C / W

°C

PAK

CASE 418B

方式2

1.当表面安装用1英寸的焊盘尺寸的FR4板（铜区

在1.127

2.表面安装的FR4板采用最小建议垫

大小（铜面积在0.412

3.芯片电流能力受限包。

1 3

xxxxx

YWW

引脚分配

针

功能

门

漏

来源

漏

xxxxx

=具体设备守则

=年

=工作周

订购信息

设备

NTB65N02R

NTB65N02RT4

包

PAK

TO–220AB

航运

50单位/铁

800磁带&卷轴

50单位/铁

本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体

保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。

NTP65N02R

半导体元件工业有限责任公司， 2002年

2002年10月 - 修订版0

出版订单号：

NTB65N02R/D

NTB65N02R ， NTP65N02R

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压（注4 ）

= 0 V

, I

= 250

)

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 20 V

, V

= 0 V

)

= 20 V

, V

= 0 V

, T

= 150°C)

门体漏电流

±20

, V

= 0 V

)

基本特征

（注4 ）

栅极阈值电压（注4 ）

= V

, I

= 250

)

阈值温度系数（负）

静态漏 - 源极导通电阻（注4 ）

= 4.5 V

, I

= 15 A

)

= 10 V

, I

= 20 A

)

= 10 V

, I

= 30 A

)

正向跨导（注4 ）

= 10 V

, I

= 15 A

)

动态特性

输入电容

输出电容

传输电容

开关特性

（注5 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

= 4.5 V

, I

= 30 A

= 10 V

）（注4 ）

源极 - 漏极二极管的特性

正向电压上

导通电压

= 20 A

, V

= 0 V

）（注4 ）

(

= 30 A

, V

= 0 V

)

= 20 A

, V

= 0 V

, T

= 125°C)

–

0.88

1.10

0.80

0 80

15.5

12.6

2.6

0.005

1.2

–

= 5 V

, V

= 10 V

= 30 A

, R

= 3

（上）

（关闭）

–

11.2

8.4

3.7

4.04

100

–

(

= 24 V

, V

= 0 V F = 1 MHz）的

)

国际空间站

OSS

RSS

–

1050

394

1470

550

120

（ TH ）

1.0

–

（上）

–

10.5

8.3

9.5

12.5

10.5

–

姆欧

1.5

–4.1

2.0

–

毫伏/°C的

V（ BR ）

DSS

–

DSS

–

GSS

–

1.5

±100

27.5

25.5

–

毫伏/°C的

符号

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

= 20 A

, V

= 0 V

/ DT = 100 A / MS ）（注4 ）

反向恢复电荷存储

4.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比= 2 ％。

5.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

NTB65N02R ， NTP65N02R

包装尺寸

TO–220AB

CASE 221A -09

ISSUE AA

–T–

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有

身体和铅的凹凸

允许的。

暗淡

英寸

民

最大

0.570

0.620

0.380

0.405

0.160

0.190

0.025

0.035

0.142

0.147

0.095

0.105

0.110

0.155

0.018

0.025

0.500

0.562

0.045

0.060

0.190

0.210

0.100

0.120

0.080

0.110

0.045

0.055

0.235

0.255

0.000

0.050

0.045

---

0.080

门

漏

来源

漏

MILLIMETERS

民

最大

14.48

15.75

9.66

10.28

4.07

4.82

0.64

0.88

3.61

3.73

2.42

2.66

2.80

3.93

0.46

0.64

12.70

14.27

1.15

1.52

4.83

5.33

2.54

3.04

2.04

2.79

1.15

1.39

5.97

6.47

0.00

1.27

1.15

---

2.04

1 2 3

风格5 ：

PIN 1 。

PAK

CASE 418B -04

ISSUE摹

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. 418B -01 THRU 418B -03过时了，新

标准418B -04 。

暗淡

英寸

民

最大

0.340

0.380

0.405

0.160

0.190

0.020

0.035

0.045

0.055

0.310

0.350

0.100 BSC

0.080

0.110

0.018

0.025

0.090

0.110

0.052

0.072

0.280

0.320

0.197 REF

0.079 REF

0.039 REF

0.575

0.625

0.045

0.055

门

漏

来源

漏

MILLIMETERS

民

最大

8.64

9.65

10.29

4.06

4.83

0.51

0.89

1.14

1.40

7.87

8.89

2.54 BSC

2.03

2.79

0.46

0.64

2.29

2.79

1.32

1.83

7.11

8.13

5.00 REF

2.00 REF

0.99 REF

14.60

15.88

1.14

1.40

–B–

–T–

座位

飞机

3 PL

0.13 (0.005)

T B

方式2 ：

PIN 1 。

http://onsemi.com

NTB65N02R ， NTP65N02R

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留做出正确的

更改，恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保

特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何和所有

赔偿责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或

规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是

验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。

SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡

可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC

其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害

所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，

SCILLC是疏忽就部分的设计和制造。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。

出版物订货信息

文学履行：

安森美半导体文学配送中心

P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国

电话：

303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大

传真：

303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大

电子邮件：

ONlit@hibbertco.com

N.美国技术支持：

800-282-9855免费电话美国/加拿大

日本：

安森美半导体，日本顾客焦点中心

2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051

电话：

81–3–5773–3850

电子邮件：

r14525@onsemi.com

安森美半导体网站：

http://onsemi.com

有关更多信息，请联系您当地的

销售代表。

http://onsemi.com

NTB65N02R/D