【NTB6410AN ， NTP6410ANN沟道功率MOSFET100 V， 76 A， 13毫瓦特】,IC型号NTP6410AN,NTP6410AN PDF资料,NTP6410AN经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTB6410AN ， NTP6410AN

N沟道功率MOSFET

100 V， 76 A， 13毫瓦

特点

低R

DS （ ON）

高电流能力

100％的雪崩测试

这些无铅器件

（ BR ） DSS

100 V

单位

http://onsemi.com

最大

（注1 ）

76 A

DS （ ON）

最大

13毫瓦@ 10 V

最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续

连续漏极

当前

QJC

功耗

QJC

漏电流脉冲

稳定

状态

稳定

状态

= 25°C

= 100°C

= 25°C

, T

英镑

符号

DSS

价值

100

$20

188

305

+175

500

°C

N沟道

= 10

工作结温和存储温度

范围

源电流（体二极管）

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源（V

= 50伏，V

= 10 VDC ，

L（ PK）

= 57.7 A，L = 0.3 mH的，R

= 25

无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

260

°C

热电阻额定值

参数

结至外壳（漏）稳态

结到环境（注1 ）

符号

QJC

qJA

最大

0.8

单位

° C / W

TO220AB

CASE 221A

风格5

PAK

CASE 418B

方式2

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表面安装用1平方英寸焊盘尺寸FR4板，

（铜面积1.127平方[ 2盎司]包括痕迹）。

漏

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

NTP

6410ANG

AYWW

门

漏

来源

门

NTB

6410ANG

AYWW

漏

来源

6410AN =具体设备守则

=无铅器件

=大会地点

=年

WW =工作周

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第5页上。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年12月，

第0版

出版订单号：

NTB6410AN/D

NTB6410AN ， NTP6410AN

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

特征

开关特性

漏极至源极击穿电压

漏极至源极击穿电压Temper-

ATURE系数

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

D（上）

D（关闭）

= 0 V，I

= 76 A,

/ DT = 100 A / MS

= 25°C

= 125°C

= 10 V, V

= 80 V,

= 76 A，R

= 6.2

= 10 V, V

= 80 V,

= 76 A

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1 MHz的

= 10 V，I

= 76 A

= 10 V，I

= 20 A

正向跨导

收费，电容&栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

高原电压

栅极电阻

4500

650

250

120

5.2

5.1

2.4

= 5 V，I

= 20 A

= 0 V,

= 100 V

= 25°C

= 150°C

= 0 V，I

= 250

100

1.0

100

$100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极 - 源极导通电阻

= 0 V, V

$20

= V

, I

= 250

2.0

9.0

4.0

毫伏/°C的

开关特性，V

= 10 V

（注3）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 76 A

1.0

0.9

300

1.3

170

120

190

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

3.开关特性是独立的工作结点温度。

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160

140

，漏电流（ A）

120

100

= 4.4 V

，漏极至源极电压（ V）

5.4 V

5.0 V

6.0 V

= 25°C

10 V

7.0 V

，漏电流（ A）

6.5 V

160

140

120

100

= 125°C

= 25°C

55°C

10 V

，栅 - 源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

= 76 A

= 25°C

0.030

0.025

0.020

0.015

0.010

0.005

0.000

图2.传输特性

= 10 V

0.035

= 175°C

= 125°C

0.025

= 25°C

55°C

0.015

0.005

，栅 - 源极电压（ V）

，漏电流（ A）

图3.在区域与栅极电压

图4.在区域与漏电流和

栅极电压

100000

DS （ ON）

，漏极 - 源极电阻

（归一化）

2.5

= 10 V

= 76 A

= 0 V

= 150°C

DSS

，漏电（ NA）

10000

1.5

= 125°C

1000

0.5

100

125

150

175

100

图5.导通电阻变化与

温度

，结温辐射（ ° C）

图6. Drian - 源极漏电流

与电压

，漏极至源极电压（ V）

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，漏极至源极电压（ V）

1.1

，栅 - 源极电压（ V）

8000

7000

C，电容（pF ）

6000

5000

4000

3000

2000

1000

RSS

，漏极至源极电压（ V）

OSS

国际空间站

= 25°C

= 0 V

100

= 80 V

= 76 A

= 25°C

100

120

100

，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

= 80 V

= 76 A

= 10 V

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

，源电流（ A）

= 25°C

= 0 V

D（上）

D（关闭）

100

T， TIME （ NS ）

，栅极电阻（ W）

100

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

1000

雪崩能量（兆焦耳）

500

图10.二极管的正向电压与

当前

= 57.7 A

，漏电流（ A）

100

400

300

200

100

0.1

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

= 10 V

单脉冲

= 25°C

100

，漏极至源极电压（ V）

1000

100

125

150

175

，起动结温

图11.最大额定正向偏置

安全Opeating区

图12.最大雪崩能量对比

开始结温

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D = 0.5

0.2

R（ T）（ ° C / W）

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

0.001

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T，脉冲时间（s ）

1.0

100

1000

图13.热响应

订购信息

设备

NTB6410ANG

NTB6410ANT4G

NTP6410ANG

包

PAK

（无铅）

PAK

（无铅）

TO220

（无铅）

航运

50单位/铁

800 /磁带&卷轴

50单位/铁

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

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