NTB5860NL ， NTP5860NL ， NVB5860NL
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
I
D
= 250
mA
V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 60 V
门源漏电流
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
阈值温度系数
漏极 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V，I
S
= 100 A,
dI
S
/ DT = 20 A / MS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V, V
DD
= 48 V,
I
D
= 100 A，R
G
= 2.5
W
V
GS
= 10 V, V
DS
= 48 V,
I
D
= 40 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
GS
= 10 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
正向跨导
收费，电容&栅极电阻
输入电容
输出电容
传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
13216
1127
752
220
13
37
54
nC
pF
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
1.0
7.7
2.4
2.8
47
3.0
3.6
S
3.0
V
毫伏/°C的
mW
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
60
6.1
1.0
100
$100
nA
V
毫伏/°C的
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
$20
V
开关特性，V
GS
= 10 V
（注3）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
GS
= 0 V
I
S
= 40 A
0.76
0.60
50
25
25
71
nC
ns
1.1
V
dc
25
58
98
144
ns
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷存储
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3.开关特性是独立的工作结点温度。
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2
NTB5860NL ， NTP5860NL ， NVB5860NL
典型特征
280
I
D
，漏电流（ A）
240
200
160
120
80
40
0
0
1
2
3
4
5
3.6 V
280
240
I
D
，漏电流（ A）
200
160
120
80
40
0
2
T
J
= 25°C
V
DS
≥
10 V
V
GS
=
10 V
V
GS
= 4 V
4.4 V
T
J
= 25°C
3.8 V
3.4 V
3.2 V
T
J
= 125°C
3
T
J
=
55°C
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.008
I
D
= 20 A
T
J
= 25°C
0.0035
T
J
= 25°C
V
GS
= 4.5 V
0.006
0.0030
0.004
0.0025
V
GS
= 10 V
0.002
0.000
2
4
6
8
10
0.0020
10
30
50
70
90
110
130
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
I
D
，漏电流（ A）
图3.导通电阻与栅极电压
R
DS （ ON）
，漏源电阻（标准化）
图4.导通电阻与漏电流
2.0
I
D
= 20 A
1.8 V = 10 V
GS
100000
V
GS
= 0 V
I
DSS
，漏电（ NA）
T
J
= 150°C
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
10000
T
J
= 125°C
175
1000
10
20
30
40
50
60
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图5.导通电阻变化与
温度
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3
图6.漏 - 源极漏电流
与电压
NTB5860NL ， NTP5860NL ， NVB5860NL
典型特征
16000
14000
C，电容（pF ）
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
C
RSS
10
20
30
40
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
C
OSS
C
国际空间站
10
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
Q
T
8
6
4
2
0
Q
gs
Q
gd
V
DS
= 48 V
I
D
= 40 A
T
J
= 25°C
0
50
100
150
200
250
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极与总充电
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
= 48 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
T， TIME （ NS ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
100
t
f
t
D（关闭）
t
r
t
D（上）
10
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
1000
图10.二极管的正向电压与电流
1毫秒
10毫秒
dc
100
ms
10
ms
I
D
，漏电流（ A）
100
10
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
1
0.1
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
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4
NTB5860NL ， NTP5860NL ， NVB5860NL
典型特征
1
R
QJC （T ）
（ ° C / W）有效的瞬变
热阻
占空比= 0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.000001
T，脉冲时间（s ）
图12.热响应
订购信息
设备
NTP5860NLG
NTB5860NLT4G
NVB5860NLT4G*
包
TO220AB
（无铅）
D
2
PAK
（无铅）
D
2
PAK
（无铅）
航运
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* NVB前缀为汽车和独特的要求和现场控制需求变更的其他应用程序; AEC - Q101标准和PPAP
有能力的。
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5
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