NTNS3A65PZ
小信号MOSFET
20
V,
281
毫安，单P沟道，
SOT- 883 （ XDFN3 ） 1.0× 0.6× 0.4毫米
包
特点
http://onsemi.com
单P沟道MOSFET
超薄型SOT -883 （ XDFN3 ） 1.0× 0.6 ×0.4毫米
极薄的环境中，如便携式电子产品
低R
DS （ ON）
在超小型1.0 ×0.6毫米包装解决方案
1.5 V门极驱动
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
应用
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
1.3
W
@
4.5
V
I
D
最大
20
V
2.0
W
@
2.5
V
3.4
W
@
1.8
V
4.5
W
@
1.5
V
281
mA
高边开关
高速接口技术
在超便携解决方案优化的电源管理
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
脉冲漏
当前
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±8
281
202
332
155
218
842
55
to
150
130
260
mA
°C
2
mA
°C
3
mW
单位
V
V
mA
G (1)
P沟道MOSFET
S (2)
D (3)
记号
图
SOT- 883 （ XDFN3 ）
CASE 506CB
65 M
工作结存储
温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
1
65
M
=具体设备守则
=日期代码
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板，
或2毫米
2
， 1盎司铜。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比
≤
2%
订购信息
设备
NTNS3A65PZT5G
包
SOT883
（无铅）
航运
8000 /磁带&
REEL
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第0版
1
出版订单号：
NTNS3A65PZ/D
NTNS3A65PZ
热电阻额定值
参数
结 - 环境 - 稳态（注3 ）
结 - 环境 - 吨
≤
5秒（注3）
符号
R
θJA
R
θJA
最大
804
574
单位
° C / W
3.表面安装在FR4板上使用推荐的最小焊盘尺寸，或2毫米
2
， 1盎司铜。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
基本特征
（注4 ）
栅极阈值电压
负阈值温度
系数
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS
=
4.5
V，I
D
=
200
mA
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
=
2.5
V，I
D
=
100
mA
V
GS
=
1.8
V，I
D
=
50
mA
V
GS
=
1.5
V，I
D
=
10
mA
正向跨导
源极 - 漏极二极管电压
CHARGES &电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
阈值的栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏极电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TH ）
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
=
4.5
V, V
DD
=
10
V,
I
D
=
200
毫安，R
G
= 2
W
V
GS
=
4.5
V, V
DS
=
10
V;
I
D
=
200
mA
V
GS
= 0 V ，频率为1 MHz时， V
DS
=
10
V
44
6.7
5.5
1.1
0.1
0.2
0.2
nC
pF
g
FS
V
SD
V
DS
=
5
V，I
D
=
200
mA
V
GS
= 0 V，I
S
=
100
mA
V
GS
= V
DS
, I
D
=
250
mA
0.4
2.2
0.9
1.3
1.8
2.3
0.58
0.8
1.2
1.3
2.0
3.4
4.5
W
S
V
W
1.0
V
毫伏/°C的
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
=
250
mA
I
D
=
250
毫安，
裁判25℃
V
GS
= 0 V,
V
DS
=
20
V
T
J
= 25°C
20
11
1
±10
V
毫伏/°C的
mA
mA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±5
V
开关特性，V
GS
= 4.5 V
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
18
32
178
84
ns
4.开关的特点是独立的工作结点温度
http://onsemi.com
2
NTNS3A65PZ
典型特征
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5
Q
T
4
V
DS
3
2
1
0
10
V
GS
8
6
Q
gs
Q
gd
V
DS
=
10
V
I
D
=
0.2
V
T
J
= 25°C
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
4
2
12
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
C，电容（pF ）
C
国际空间站
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
OSS
C
RSS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
0
1.1 1.2
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.电容变化
1000
I
S
，源电流（ A）
V
DD
=
10
V
V
GS
=
4.5
V
t
D（关闭）
100
t
f
t
r
t
D（上）
10
图8.栅极 - 源极电压与总
收费
10.0
T， TIME （ NS ）
1.0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
=
55°C
0.1
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
0.90
I
D
，漏电流（ A）
0.80
I
D
=
250
mA
V
GS （ TH）
(V)
0.70
0.60
0.50
0.40
50
1.000
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图10.二极管的正向电压与电流
10
ms
100
ms
0.100
1毫秒
10毫秒
0.010
V
GS
≤
8
V
单脉冲
T
C
= 25°C
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.1
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
dc
0.001
25
0
25
50
75
100
125
T
J
，起动结温（ ° C）
150
图11.阈值电压
图12.最大额定正向偏置
安全工作区
http://onsemi.com
4
QQ：2880707522 复制
