NTMSD3P303R2
FETKY
P沟道增强模式
功率MOSFET和肖特基二极管
双SO- 8封装
特点
在单SO- 8封装的高效率组件
高密度功率MOSFET，低R
DS （ ON）
,
肖特基二极管与低V
F
独立的引脚输出的MOSFET和肖特基模具
允许灵活的应用程序使用
少元件放置的板面空间节约
SO- 8表面贴装封装，
安装信息的SO- 8封装提供
无铅包装是否可用
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MOSFET
3.05
安培
30
伏
0.085
W
@ V
GS
=
10
V
肖特基二极管
3.0安培
30伏特
420毫伏@我
F
= 3.0 A
A
A
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
S
G
1
2
3
4
5
（ TOP VIEW ）
8
7
6
C
C
D
D
应用
DC-DC转换器
低压电机控制
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热阻
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
30
VDC ，V
GS
=
4.5
VDC ，
峰值I
L
=
7.5
APK ， L = 5 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
30
"20
171
0.73
2.34
1.87
8.0
100
1.25
3.05
2.44
12
62.5
2.0
3.86
3.10
15
55
to
+150
140
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳电话
标记图&
引脚分配
C
8
1
SO8
CASE 751
18风格
8
E3P303
AYWW
G
G
1
A
A
s克
C
D D
E3P303 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTMSD3P303R2
NTMSD3P303R2G
包
SO8
航运
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1英寸平方， 2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4板
（ 1平方， 2盎司铜0.06 “厚单面） ，T
≤
10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
SO8
2500 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
1
出版订单号：
NTMSD3P303R2/D
NTMSD3P303R2
肖特基最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
反向重复峰值电压
阻断电压DC
热阻
结到环境（注5 ）
热阻
结到环境（注6 ）
热阻
结到环境（注7 ）
平均正向电流（注7 ）
（额定V
R
, T
A
= 100°C)
峰值重复正向电流（注7 ）
（额定V
R
，方波， 20千赫，T
A
= 105°C)
非重复峰值浪涌电流（注7 ）
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
符号
V
RRM
V
R
R
qJA
R
qJA
R
qJA
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
30
197
97
62.5
3.0
6.0
30
单位
V
° C / W
° C / W
° C / W
A
A
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
5.最低FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
6.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚单面） ，稳态。
7.安装到2 “方形FR- 4板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚单面） ，T
≤
10秒。
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注8）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=
250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
=
30
VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 25°C)
(V
DS
=
30
VDC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
=
20
VDC ，V
DS
= 0伏）
门体漏电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
MADC ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
=
10
VDC ，我
D
=
3.05
ADC）
(V
GS
=
4.5
VDC ，我
D
=
1.5
ADC）
正向跨导
(V
DS
=
15
VDC ，我
D
=
3.05
ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
(V
DS
=
24
VDC ，
V
GS
= 0伏，
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
520
170
70
750
325
135
pF
V
GS （ TH）
1.0
1.7
3.6
0.063
0.090
5.0
2.5
0.085
0.125
VDC
V
（ BR ） DSS
30
30
1.0
25
100
100
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
I
DSS
I
GSS
I
GSS
NADC
NADC
R
DS （ ON）
W
g
FS
姆欧
8.处理措施以防止静电放电是强制性的。
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2
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