NTMSD3P102R2
P沟道增强模式
功率MOSFET和肖特基二极管
双SO- 8封装
特点
在单SO- 8封装的高效率组件
高密度功率MOSFET，低R
DS （ ON）
,
肖特基二极管与低V
F
独立的引脚输出的MOSFET和肖特基模具
允许灵活的应用程序使用
少元件放置的板面空间节约
SO- 8表面贴装封装，
安装信息的SO- 8封装提供
无铅包可用
应用
DC-DC转换器
低压电机控制
在便携式和电池供电产品的电源管理，
如：电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳电话
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） 。
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续
热阻
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热阻
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热阻
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源
起始物为
J
= 25°C
(V
DD
=
20
VDC ，V
GS
=
4.5
VDC ，
峰值I
L
=
7.5
APK ， L = 5 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
20
"20
171
0.73
2.34
1.87
8.0
100
1.25
3.05
2.44
12
62.5
2.0
3.86
3.10
15
55
to
+150
140
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
FETKY
http://onsemi.com
MOSFET
3.05
安培
20
伏
0.085
W
@ V
GS
=
10
V
肖特基二极管
1.0安培
20伏
470毫伏@我
F
= 1.0 A
A
A
S
G
1
2
3
4
5
（ TOP VIEW ）
8
7
6
C
C
D
D
标记图&
引脚分配
8
1
SO8
CASE 751
18风格
E3P1
xx
A
Y
WW
G
8
C
C
D D
E3P1xx
AYWW
G
G
1
A
A
s克
=器件代码
= 02或S
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTMSD3P102R2
NTMSD3P102R2G
NTMSD3P102R2SG
包
SO8
航运
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚
单面） ，稳态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚单
双面） ，T
≤
10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
SO8
2500 /磁带&卷轴
（无铅）
SO8
2500 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
NTMSD3P102R2/D
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
第2版
1
NTMSD3P102R2
肖特基最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
反向重复峰值电压
阻断电压DC
热阻
结到环境（注5 ）
热阻
结到环境（注6 ）
热阻
结到环境（注7 ）
平均正向电流（注7 ）
（额定V
R
, T
A
= 100°C)
峰值重复正向电流（注7 ）
（额定V
R
，方波， 20千赫，T
A
= 105°C)
非重复峰值浪涌电流（注7 ）
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
符号
V
RRM
V
R
R
qJA
R
qJA
R
qJA
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
20
204
122
83
1.0
2.0
20
单位
V
° C / W
° C / W
° C / W
A
A
A
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
5.最低FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
6.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚单面） ，稳态。
7.安装到2 “方形FR- 4板（ 1平方， 2盎司铜0.06 ”厚单面） ，T
≤
10秒。
肖特基电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注8）
特征
最大正向电压
I
F
= 1.0 ADC
I
F
= 2.0 ADC
I
F
= 1.0 ADC
I
F
= 2.0 ADC
V
R
= 20伏直流
V
R
= 20伏直流
符号
V
F
T
J
= 25°C
0.47
0.58
T
J
= 25°C
0.05
dv / dt的
10,000
价值
T
J
= 125°C
0.39
0.53
T
J
= 125°C
10
V / ms的
单位
伏
最大正向电压
V
F
伏
最大瞬时反向电流
变化最大电压率
I
R
mA
8.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
http://onsemi.com
2
NTMSD3P102R2
FETKY
P沟道增强模式
功率MOSFET和肖特基二极管
双SO- 8封装
特点
在单SO- 8封装的高效率组件
高密度功率MOSFET，低R
DS （ ON）
,
肖特基二极管与低V
F
独立的引脚输出的MOSFET和肖特基模具
允许灵活的应用程序使用
少元件放置的板面空间节约
SO- 8表面贴装封装，
安装信息的SO- 8封装提供
应用
http://onsemi.com
MOSFET
-3.05安培
-20伏
0.085
W
@ V
GS
= 10 V
肖特基二极管
1.0安培
20伏
470毫伏@我
F
= 1.0 A
A
8
A
1
SO8
CASE 751
18风格
S
G
1
2
3
4
5
8
7
6
C
C
D
D
DC-DC转换器
低压电机控制
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳电话
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 -
结到环境（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 -
结到环境（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
热电阻 -
结到环境（注3 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 70°C
漏电流脉冲（注4 ）
工作和存储
温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C （V
DD
=
-20伏直流，V
GS
= -4.5伏，峰值I
L
=
-7.5 APK， L = 5毫亨，R
G
= 25
)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
θJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
20
"20
171
0.73
2.34
1.87
8.0
100
1.25
3.05
2.44
12
62.5
2.0
3.86
3.10
15
-55
+150
140
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
顶视图
标记图
＆放大器;引脚分配
阳极
阳极
来源
门
1
2
3
4
（ TOP VIEW ）
E3P102
L
Y
WW
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
E3P102
LYWW
8
7
6
5
阴极
阴极
漏
漏
T
L
260
°C
订购信息
设备
NTMSD3P102R2
包
SO8
航运
2500 /磁带&卷轴
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装到一个2“正方形的FR-4基板（1”平方2盎司铜0.06 “厚的单面） ，
稳定状态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面）
t
≤
10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第1版
出版订单号：
NTMSD3P102R2/D
NTMSD3P102R2
肖特基最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
反向重复峰值电压
阻断电压DC
热电阻 - 结到环境（注5 ）
热电阻 - 结到环境（注6 ）
热电阻 - 结到环境（注7 ）
平均正向电流（注7 ）
（额定V
R
, T
A
= 100°C)
重复峰值正向电流
（注7 ） （额定V
R
，方波， 20千赫，T
A
= 105°C)
非重复峰值浪涌电流（注7 ）
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
符号
V
RRM
V
R
R
θJA
R
θJA
R
θJA
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
20
204
122
83
1.0
2.0
20
单位
V
° C / W
° C / W
° C / W
A
A
A
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注8 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= -20伏直流，V
GS
= 0伏，T
J
= 25°C)
(V
DS
= -20伏直流，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
门体漏电流
(V
GS
= -20伏直流，V
DS
= 0伏）
门体漏电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= -10伏直流，我
D
= -3.05 ADC）
(V
GS
= -4.5伏，我
D
= -1.5 ADC）
正向跨导
(V
DS
= -15伏直流，我
D
= -3.05 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
5.
6.
7.
8.
(V
DS
= -16伏直流，V
GS
= 0伏，
16 Vd的
Vd
F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
518
190
70
750
350
135
pF
V
GS （ TH）
1.0
R
DS （ ON）
g
FS
5.0
0.063
0.090
0.085
0.125
姆欧
1.7
3.6
2.5
VDC
V
（ BR ） DSS
20
I
DSS
I
GSS
I
GSS
100
100
NADC
1.0
25
NADC
30
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，稳态。
安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，T
≤
10秒。
处理措施以防止静电放电是强制性的。
http://onsemi.com
2
QQ：2880707522 复制
