NTMSD2P102LR2
FETKY
特点
功率MOSFET和肖特基二极管
双SO- 8封装
在单SO- 8封装的高效率组件
高密度功率MOSFET，低R
DS （ ON）
,
肖特基二极管与低V
F
逻辑电平栅极驱动器
独立的引脚输出的MOSFET和肖特基模具
允许灵活的应用程序使用
少元件放置的板面空间节约
SO- 8表面贴装封装，安装方式为SO- 8
包中提供
无铅包装是否可用
http://onsemi.com
MOSFET
-2.3安培， -20伏
90毫瓦@ V
GS
= 4.5 V
肖特基二极管
2.0安培， 20伏
580毫伏@我
F
= 2.0 A
A
1
SO8
CASE 751
18风格
A
S
G
1
2
3
4
5
8
7
6
C
C
D
D
应用
在便携式和电池供电产品的电源管理，即：
电脑，打印机， PCMCIA卡，手机和无绳电话
MOSFET的最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热阻，结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
热阻，结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
热阻，结到环境
（注3）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 25°C
连续漏电流@ T
A
= 100°C
漏电流脉冲（注4 ）
工作和存储温度范围
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源 - 起始物为
J
= 25°C
(V
DD
= -20伏直流，V
GS
= -4.5伏，
峰值I
L
= -5.0 APK ， L = 28 mH的，R
G
= 25
W)
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
R
qJA
P
D
I
D
I
D
I
DM
T
J
, T
英镑
E
AS
价值
20
"10
175
0.71
2.3
1.45
9.0
105
1.19
2.97
1.88
12
62.5
2.0
3.85
2.43
15
-55到+150
350
单位
V
V
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
A
A
°C
mJ
8
顶视图
标记图
＆放大器;引脚分配
阳极
阳极
来源
门
4
1
2
3
E2P102
AYWW
G
（ TOP VIEW ）
E2P102
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
8
7
6
5
阴极
阴极
漏
漏
订购信息
T
L
260
°C
设备
NTMSD2P102LR2
NTMSD2P102LR2G
包
SO8
航运
2500 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.最小的FR- 4或G - 10 PCB ，稳态。
2.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ，稳态。
3.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单
双面） ，T
≤
10秒。
4.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比= 2 ％ 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
SO8
2500 /磁带&卷轴
（无铅）
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1
五月， 2006-第3版
出版订单号：
NTMSD2P102LR2/D
NTMSD2P102LR2
肖特基最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
反向重复峰值电压
阻断电压DC
平均正向电流（注5 ）
（额定V
R
, T
A
= 100°C)
重复峰值正向电流
（注5 ） （额定V
R
，方波， 20千赫，T
A
= 105°C)
非重复峰值浪涌电流（注5 ）
（浪涌应用在额定负载条件下，半波，单相， 60赫兹）
符号
V
RRM
V
R
I
O
I
FRM
I
FSM
价值
20
1.0
2.0
20
单位
V
A
A
A
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注6 ）
特征
开关特性
漏极至源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 250
MADC ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= -16伏直流，V
GS
= 0伏，T
J
= 25°C)
(V
DS
= -16伏直流，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
零栅极电压漏极电流
(V
GS
= 0伏，V
DS
= -20伏直流，T
J
= 25°C)
门体漏电流
(V
GS
= -10伏直流，V
DS
= 0伏）
门体漏电流
(V
GS
= + 10V ，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
MADC ）
温度系数（负）
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= -4.5伏，我
D
= -2.4 ADC）
(V
GS
= -2.7伏，我
D
= -1.2 ADC）
(V
GS
= -2.5伏，我
D
= -1.2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= -10伏直流，我
D
= -1.2 ADC）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
(V
DS
= -16伏直流，V
GS
= 0伏， F = 1.0兆赫）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
550
200
100
750
300
175
pF
V
GS （ TH）
0.5
R
DS （ ON）
g
FS
4.2
0.070
0.100
0.110
0.090
0.130
0.150
姆欧
0.90
2.5
1.5
VDC
毫伏/°C的
W
V
（ BR ） DSS
20
I
DSS
I
DSS
I
GSS
I
GSS
100
100
NADC
2.0
NADC
1.0
25
MADC
12.7
VDC
毫伏/°C的
MADC
符号
民
典型值
最大
单位
5.安装在一个2 “方形FR- 4板（ 1 ”平方2盎司铜0.06 “厚单面） ，T
≤
10秒。
6.处理措施以防止静电放电是强制性的。
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2
NTMSD2P102LR2
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （续） （注7 ）
特征
开关特性
（注8 & 9 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
体漏二极管额定值
（注8）
二极管正向导通电压
反向恢复时间
(I
S
= -2.4 ADC ，V
GS
= 0伏，
dI
S
/ DT = 100 A / MS）
反向恢复电荷存储
(I
S
= -2.4 ADC ，V
GS
= 0伏）
(I
S
= -2.4 ADC ，V
GS
= 0伏，T
J
= 125°C)
V
SD
t
rr
t
a
t
b
Q
RR
0.88
0.75
37
16
21
0.025
1.0
mC
VDC
ns
(V
DS
= -16伏直流，V
GS
= -4.5伏，
I
D
= -2.4 ADC）
(V
DD
= -10伏直流，我
D
= -1.2 ADC ，
V
GS
= -2.7伏，R
G
= 6.0
W)
(V
DD
= -10伏直流，我
D
= -2.4 ADC ，
V
GS
= -4.5伏，R
G
= 6.0
W)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
合计
Q
gs
Q
gd
10
35
33
29
15
40
35
35
10
1.5
5.0
20
65
60
55
18
nC
ns
ns
符号
民
典型值
最大
单位
肖特基整流器电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明） （注8）
最大正向电压
I
F
= 1.0 ADC
I
F
= 2.0 ADC
最大瞬时反向电流
V
R
= 20伏直流
变化最大电压率
V
R
= 20伏直流
dv / dt的
I
R
V
F
T
J
= 25°C
0.47
0.58
T
J
= 25°C
0.05
10,000
T
J
= 125°C
0.39
0.53
T
J
= 125°C
10
V / ms的
mA
V
7.处理措施以防止静电放电是强制性的。
8.指示脉冲测试：脉冲宽度= 300
ms
最大值，占空比= 2 ％ 。
9.开关特性是独立的工作结温。
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3
QQ：2880707522 复制
