【NTMS4706N功率MOSFET特点30 V ， 10.3 A单N沟道， SO- 8低RDS （】,IC型号NTMS4706NR2G,NTMS4706NR2G PDF资料,NTMS4706NR2G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMS4706N

功率MOSFET

特点

30 V ， 10.3 A单N沟道， SO- 8

低R

DS （ ON）

低栅电荷

标准的SO- 8封装的单

无铅包装是否可用

V

（ BR ） DSS

http://onsemi.com

R

DS （ ON）

典型值

9.0毫瓦@ 10 V

30 V

11.4毫瓦@ 4.5 V

10.3 A

I

D

最大

（注1 ）

应用

笔记本电脑，显卡

同步整流

高边开关

DC-DC转换器

参数

符号

V

DSS

V

GS

稳定

状态

t

v

10 s

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

T

A

= 25°C

P

D

I

D

价值

30

±20

8.6

6.2

10.3

1.5

2.2

T

A

= 25°C

T

A

= 85°C

T

A

= 25°C

t

p

= 10

ms

P

D

I

DM

T

J

,

T

英镑

I

S

E

AS

I

D

6.4

4.6

0.83

31

-55

150

2.1

150

W

A

W

单位

V

A

最大额定值

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

电流（注1 ）

N沟道

D

G

S

功耗

（注1 ）

稳定

状态

t

v

10 s

稳定

状态

连续漏极

电流（注2 ）

功耗

（注2 ）

漏电流脉冲

标记图/

引脚分配

1

8

漏

4706N

ALYWG

G

A

°C

A

mJ

工作结温和存储温度

源电流（体二极管）

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量

(V

DD

= 25 V, V

GS

= 10 V，I

L

峰值= 7.5 A，

L = 10 mH的，R

G

= 25

W)

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

SO8

CASE 751

12风格

来源

门

顶视图

T

L

260

°C

热阻最大额定值

参数

结 - 环境 - 稳态（注1 ）

结 - 环境 - 吨

v

10秒（注1 ）

结 - 环境 - 稳态（注2 ）

符号

R

qJA

R

qJA

R

qJA

价值

83.5

58

150

单位

° C / W

4706N =器件代码

A

=大会地点

L

= WaferLot

Y

=年

WW

=工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

设备

NTMS4706NR2

NTMS4706NR2G

包

SO8

（无铅）

航运

2500 /磁带&卷轴

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

在平1 Surfacemounted使用1平方米的焊盘尺寸（铜区FR4板= 1.127

[ 1盎司]包括痕迹）。

2. Surfacemounted使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

*有关我们的无铅战略和焊接细节的其他信息，请下载安森美半导体焊接和安装

技术参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

1

2005年11月 - 第3版

出版订单号：

NTMS4706N/D

NTMS4706N

电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

I

DSS

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

V

GS

= 0 V，I

D

= 250

mA

30

21

1.0

50

±100

nA

V

毫伏/°C的

mA

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

V

GS

= 0 V, V

DS

= 24 V

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注3）

栅极阈值电压

负阈值温度

系数

漏极至源极导通电阻

I

GSS

V

DS

= 0 V, V

GS

=

±20

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS

= V

DS

, I

D

= 250

mA

1.0

4.8

2.5

V

毫伏/°C的

V

GS

= 10 V，I

D

= 10.3 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 10 A

9.0

11.4

19

12

15

mW

正向跨导

g

FS

V

DS

= 15 V，I

D

= 10 A

S

收费，电容和栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

栅极电阻

开关特性

（注4 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

= 10 V, V

DD

= 15 V，I

D

= 1.0 A,

R

G

= 3.0

W

7.5

4.0

24

14

12

8.0

40

25

ns

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

G（ TOT ）

Q

G（ TH ）

Q

GS

Q

GD

R

G

V

GS

= 4.5 V, V

DS

= 15 V，I

D

= 10 A

V

GS

= 0 V ， F = 1.0兆赫，V

DS

= 24 V

950

400

100

10

1.25

2.4

4.5

1.82

W

15

nC

pF

漏源二极管特性

正向二极管电压

V

SD

V

GS

= 0 V，I

S

= 2.1 A

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

0.74

0.57

34

V

GS

= 0 V ，D

IS

/d

t

= 100 A / MS ，

I

S

= 2.1 A

16

18

29

nC

ns

1.0

V

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

t

RR

t

a

t

b

Q

RR

3.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比

v

2%.

4.开关的特点是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

2

NTMS4706N

典型性能曲线

30

I

D,

漏电流（安培）

25

20

15

10

5

0

2.6 V

5V

3.2 V

10 V

3V

2.8 V

T

J

= 25°C

I

D,

漏电流（安培）

35

30

25

20

15

10

5

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

T

J

= 55°C

1.5

2

2.5

3

3.5

4

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

4.5

V

DS

≥

10 V

2.4 V

2.2 V

图1.区域特征

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.03

T

J

= 25°C

I

D

= 10 A

R

DS （ON ），

漏极至源极电阻（ W）

0.018

图2.传输特性

T

J

= 25°C

0.015

V

GS

= 4.5 V

0.012

V

GS

= 10 V

0.009

0.025

0.02

0.015

0.01

0.005

1

7

2

3

4

5

6

8

9

V

GS

，栅极至源极电压（伏）

10

0.006

2

4

16

14

6

8

10

12

I

D,

漏电流（安培）

18

20

图3.导通电阻与栅极 - 源

电压

1.8

R

DS （ON ），

漏极 - 源极

电阻（标准化）

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

50

10

25

0

25

50

75

100

125

150

I

D

= 10.3 A

V

GS

= 10 V

I

DSS

，漏电（ NA）

1000

10000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

V

GS

= 0 V

T

J

= 150°C

100

T

J

= 100°C

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

T

J

，结温（ ° C）

V

DS

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

http://onsemi.com

3

NTMS4706N

典型性能曲线

V

DS

= 0 V

C，电容（pF ）

1500 C

国际空间站

1200

C

国际空间站

900

600

C

OSS

300

C

RSS

0

20

10

V

GS

0

V

DS

10

20

30

C

RSS

V

GS

= 0 V

VGS ，栅极至源极电压（伏）

1800

T

J

= 25°C

5

QT

4

V

DS

Q

GS

3

Q

GD

V

GS

20

V DS ，漏极至源极电压（伏）

16

12

2

8

1

0

2

I

D

= 10 A

T

J

= 25°C

4

6

8

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

4

0

10

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7.电容变化

1000

I

S

，源电流（安培）

V

DD

= 10 V

I

D

= 10.3 A

V

GS

= 4.5 V

T， TIME （ NS ）

100

t

r

7

6

5

4

3

2

1

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

V

GS

= 0 V

T

J

= 25°C

10

t

f

t

D（关闭）

t

D（上）

1

10

R

G

，栅极电阻（欧姆）

100

0

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

V

SD

，源极到漏极电压（伏）

1

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

图10.二极管的正向电压与电流

http://onsemi.com

4

NTMS4706N

包装尺寸

SOIC8

CASE 751-07

发行公司

X

A

8

5

B

1

4

S

0.25 (0.010)

M

Y

M

Y

G

C

Z

H

D

0.25 (0.010)

M

座位

飞机

K

注意事项：

1.尺寸和公差PER

ANSI Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米。

3，维A和B不包括

模具的突起。

4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ）

每边。

5.尺寸D不包括密封条

前伸。允许的dambar

突出应该0.127 （ 0.005 ） TOTAL

超过D尺寸的

最大的物质条件。

6. 751-01 THRU 751-06已经过时。 NEW

标准为751-07 。

MILLIMETERS

民

最大

4.80

5.00

3.80

4.00

1.35

1.75

0.33

0.51

1.27 BSC

0.10

0.25

0.19

0.25

0.40

1.27

0

_

8

_

0.25

0.50

5.80

6.20

来源

门

漏

英寸

民

最大

0.189

0.197

0.150

0.157

0.053

0.069

0.013

0.020

0.050 BSC

0.004

0.010

0.007

0.010

0.016

0.050

0

_

8

_

0.010

0.020

0.228

0.244

N

X 45

_

0.10 (0.004)

M

J

旋转Z Y

S

X

S

暗淡

A

B

C

D

G

H

J

K

M

N

S

风格12 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

焊接足迹*

1.52

0.060

7.0

0.275

4.0

0.155

0.6

0.024

1.270

0.050

SCALE 6 ： 1

mm

英寸

*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息

详细信息，请下载安森美半导体焊接与

安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。

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5